本發(fā)明涉及絕緣介質(zhì)漿料及厚膜電路的絕緣包封漿料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料及其制備方法。

背景技術(shù)：

絕緣介質(zhì)漿料主要是附著在金屬基材表面，為厚膜電路與金屬基材絕緣；包封介質(zhì)漿料主要是包封已印刷燒結(jié)好的厚膜電路，以防止外部環(huán)境的有害影響，并起到使厚膜電路有穩(wěn)定的電氣性能、免受外界有害物質(zhì)的侵蝕、防止機(jī)械損傷以及與其他導(dǎo)體之間形成絕緣層的作用。

厚膜技術(shù)是通過絲網(wǎng)印刷的方法把絕緣介質(zhì)漿料、電阻漿料、電極漿料和包封介質(zhì)漿料等材料涂制在基板上，經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)，在基板上形成粘附牢固的功能膜；目前，厚膜技術(shù)在電加熱領(lǐng)域廣泛作為大功率電熱元件使用。作為大功率電熱元件基板，傳統(tǒng)的陶瓷材料已不能滿足現(xiàn)有電發(fā)熱元器件對傳熱和散熱的要求，而且陶瓷基板的脆性大，機(jī)械加工性能差，不利于大面積印刷、切割以及安裝。

另外，不銹鋼基材具有機(jī)械性能好、抗沖擊性能好的優(yōu)勢，越來越多的應(yīng)用于厚膜大功率電熱元件；但是，不銹鋼基材密度大，不利于輕量化產(chǎn)品；不銹鋼厚膜電路元件燒成溫度高，不利于節(jié)能減排。

鋁基材具有重量輕、導(dǎo)熱性能優(yōu)于不銹鋼且易加工的優(yōu)點，非常適合作為一種大功率厚膜電路基板使用，可擴(kuò)大大功率厚膜發(fā)熱的使用領(lǐng)域；但金屬鋁的熱膨脹系數(shù)大，與目前常用的厚膜電子漿料不匹配，而且鋁的熔點只有660℃左右，傳統(tǒng)的高溫?zé)Y(jié)工藝不適合鋁基材。因此，研制基于鋁基的厚膜元件，相應(yīng)的厚膜電子漿料必須符合鋁基材的特點。基于鋁基板的厚膜元件，首先應(yīng)開發(fā)出可以直接應(yīng)用于鋁基的絕緣介質(zhì)漿料，基于鋁基厚膜電路才有應(yīng)用的可能。

需進(jìn)一步說明，二氧化硅（石英）耐酸堿腐蝕、耐高溫、耐磨損，熱態(tài)性能穩(wěn)定，電絕緣性能好；而片狀的外型可以起到增加裂紋偏轉(zhuǎn)和橋聯(lián)作用，對提高玻璃介質(zhì)層的斷裂韌性有明顯的效果；片狀的外型同時可有效的阻斷導(dǎo)電粒子在介質(zhì)層中的擴(kuò)散遷移，提升介質(zhì)層的絕緣效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，該含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料具有以下優(yōu)點，具體為：1、低熔點玻璃的熱膨脹系數(shù)大于16*10^-6m/K，可以很好的匹配鋁基板；低熔點玻璃粉的熔點＜600℃，可以在鋁的熔點下燒結(jié)；2、片狀二氧化硅（石英）粉的加入，有效地提高了介質(zhì)層的耐腐蝕性能、耐氧化性能、耐熱性能、電氣絕緣性能；3、該絕緣介質(zhì)漿料制成絕緣介質(zhì)層與金屬鋁基板結(jié)合力好，擊穿電壓高，絕緣性能良好。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料的制備方法，該制備方法工藝簡單方便且有利于實現(xiàn)規(guī)?；I(yè)生產(chǎn)，并能夠有效地生產(chǎn)制備上述含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。

一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

低熔點玻璃粉 40-70%

片狀二氧化硅粉 0-20%（不含0）

有機(jī)載體 20-40%

著色劑 0-3%；

其中，低熔點玻璃粉由Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃組成，其質(zhì)量份依次為： 4-30%、0-5%、0-5%、0-25%、30-70%、0-5%、0-5%、0-1%、0-1%、0-1%，0-3%、0-3%、2-10%、0-2%。

其中，所述片狀二氧化硅粉的粒徑值為0.5-10μm，徑厚比為4:1-20:1。

其中，所述有機(jī)載體包括有松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素，各物料的質(zhì)量份依次為：20-40%、20-40%、20-40%、1-10%、1-10%、0-3%、0-3%、2-10%。

其中，所述有機(jī)載體的粘度值為50-200Pa.s。

其中，所述著色劑為鐵的氧化物、鈷的氧化物、銅的氧化物、錳的氧化物、銅的氧化物、鎳的氧化物中的一種或者其中至少兩種所組成的混合物。

一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料的制備方法，包括有以下工藝步驟，具體為：

a、制備低熔點玻璃粉：按配比稱取Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃，攪拌混勻后獲得氧化物混合料；將攪拌混勻后的氧化物混合料置于馬弗爐中進(jìn)行熔煉處理，熔煉時于1200℃-1500℃的溫度條件下保溫半小時以上，以獲得玻璃熔液；而后將玻璃熔液進(jìn)行水淬處理以獲得玻璃渣，將玻璃渣置于球磨機(jī)中進(jìn)行球磨處理，以獲得粒徑值小于10微米的低熔點玻璃粉，其中，低熔點玻璃粉中Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃的質(zhì)量份依次為： 4-30%、0-5%、0-5%、0-25%、30-70%、0-5%、0-5%、0-1%、0-1%、0-1%，0-3%、0-3%、2-10%、0-2%；

b、制備有機(jī)載體：按配比稱取松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素置于攪拌機(jī)中并于60-80℃的溫度條件下攪拌溶解，以獲得粘度值為50-200Pa.s的有機(jī)載體；其中，有機(jī)載體中松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素的質(zhì)量份依次為：20-40%、20-40%、20-40%、1-10%、1-10%、0-3%、0-3%、2-10%；

c、介質(zhì)漿料制備：將低熔點玻璃粉、片狀二氧化硅粉、有機(jī)載體、著色劑按配比混合并置于研磨機(jī)中進(jìn)行研磨軋制處理，以獲得粘度值為200-400Pa.s、細(xì)度小于15μm的介質(zhì)漿料。

需進(jìn)一步解釋，上述介質(zhì)漿料印刷在鋁基材上或鋁基材厚膜電路上，能夠在空氣氣氛中燒結(jié)，其燒結(jié)工藝參數(shù)為：第一階段為：120℃-200℃保溫10min-20min；第二階段：400℃-470℃保溫10min-20min；第三階段：燒結(jié)的峰值溫度為530℃-600℃，保溫10min-20min；隨爐冷卻后即得到鋁基絕緣介質(zhì)層。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明所述的一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，其包括有以下質(zhì)量份的物料：低熔點玻璃粉40-70%、片狀二氧化硅粉0-20%（不含0）、有機(jī)載體20-40%、著色劑0-3%；低熔點玻璃粉由Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃組成，其質(zhì)量份依次為： 4-30%、0-5%、0-5%、0-25%、30-70%、0-5%、0-5%、0-1%、0-1%、0-1%，0-3%、0-3%、2-10%、0-2%。通過上述物料配比，該含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料具有以下優(yōu)點，具體為：1、低熔點玻璃的熱膨脹系數(shù)大于16*10^-6m/K，可以很好的匹配鋁基板；低熔點玻璃粉的熔點＜600℃，可以在鋁的熔點下燒結(jié)；2、片狀二氧化硅（石英）粉的加入，有效地提高了介質(zhì)層的耐腐蝕性能、耐氧化性能、耐熱性能、導(dǎo)熱性能、電氣絕緣性能；3、該絕緣介質(zhì)漿料制成絕緣介質(zhì)層與金屬鋁基板結(jié)合力好，擊穿電壓高，絕緣性能良好。

本發(fā)明的另一有益效果為：本發(fā)明所述的一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料的制備方法，包括有以下工藝步驟，具體為：a、制備低熔點玻璃粉：按配比稱取Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃，攪拌混勻后獲得氧化物混合料；將攪拌混勻后的氧化物混合料置于馬弗爐中進(jìn)行熔煉處理，熔煉時于1200℃-1500℃的溫度條件下保溫半小時以上，以獲得玻璃熔液；而后將玻璃熔液進(jìn)行水淬處理以獲得玻璃渣，將玻璃渣置于球磨機(jī)中進(jìn)行球磨處理，以獲得粒徑值小于10微米的低熔點玻璃粉，其中，低熔點玻璃粉中Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃的質(zhì)量份依次為： 4-30%、0-5%、0-5%、0-25%、30-70%、0-5%、0-5%、0-1%、0-1%、0-1%，0-3%、0-3%、2-10%、0-2%；b、制備有機(jī)載體：按配比稱取松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素置于攪拌機(jī)中并于60-80℃的溫度條件下攪拌溶解，以獲得粘度值為50-200Pa.s的有機(jī)載體；其中，有機(jī)載體中松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素的質(zhì)量份依次為：20-40%、20-40%、20-40%、1-10%、1-10%、0-3%、0-3%、2-10%；c、介質(zhì)漿料制備：將低熔點玻璃粉、片狀二氧化硅粉、有機(jī)載體、著色劑按配比混合并置于研磨機(jī)中進(jìn)行研磨軋制處理，以獲得粘度值為200-400Pa.s、細(xì)度小于15μm的介質(zhì)漿料。通過上述工藝步驟設(shè)計，該制備方法能夠有效地生產(chǎn)制備上述含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，工藝簡單方便且有利于實現(xiàn)規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，所描述的實施例僅為本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實施例1，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

低熔點玻璃粉 50%

片狀二氧化硅粉 10%

有機(jī)載體 37%

著色劑 3%。

其中，低熔點玻璃粉由Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃組成，其質(zhì)量份依次為： 15%、1%、1%、18%、43%、3%、2%、2%、1%、1%，3%、1%、8%、1%。

其中，片狀二氧化硅粉的粒徑值為0.5-10μm，徑厚比為4:1-20:1。

另外，有機(jī)載體包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

乙基纖維素 5%

松油醇 20%

丁基卡必醇 20%

丁基卡必醇醋酸酯 35%

檸檬酸三丁酯 3%

1,4-丁內(nèi)酯 5%

氫化蓖麻油 1%

卵磷脂 1%。

著色劑為三氧化二鐵。

需進(jìn)一步指出，本實施例1的含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備低熔點玻璃粉：按照本實施例1的質(zhì)量配比稱取Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃，攪拌混勻后獲得氧化物混合料；將攪拌混勻后的氧化物混合料置于馬弗爐中進(jìn)行熔煉處理，熔煉時于1200℃的溫度條件下保溫半小時，以獲得玻璃熔液；而后將玻璃熔液進(jìn)行水淬處理以獲得玻璃渣，將玻璃渣置于球磨機(jī)中進(jìn)行球磨處理，以獲得粒徑值小于10微米的低熔點玻璃粉；

b、制備有機(jī)載體：按照本實施例1的質(zhì)量配比稱取有松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素，而后將有機(jī)載體的原料置于攪拌機(jī)中并于60-80℃的溫度條件下攪拌溶解，以獲得粘度值為50-200Pa.s的有機(jī)載體；

c、介質(zhì)漿料制備：將低熔點玻璃粉、片狀二氧化硅粉、有機(jī)載體、著色劑按本實施例1的配比混合并置于研磨機(jī)中進(jìn)行研磨軋制處理，以獲得粘度值為200-400Pa.s、細(xì)度小于15μm的介質(zhì)漿料。

其中，本實施例1的介質(zhì)漿料通過絲網(wǎng)在金屬鋁基材上印刷成膜，在560℃燒結(jié)后介質(zhì)層厚度90μm，擊穿電壓＞1800V，絕緣電阻＞40MΩ，漏電流＜0.5mA。

實施例2，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

低熔點玻璃粉 50%

片狀二氧化硅粉 14%

有機(jī)載體 33%

著色劑 3%。

其中，低熔點玻璃粉由Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃組成，其質(zhì)量份依次為： 15%、1%、1%、18%、43%、3%、2%、2%、1%、1%，3%、1%、8%、1%。

其中，片狀二氧化硅粉的粒徑值為0.5-10μm，徑厚比為4:1-20:1。

另外，有機(jī)載體包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

乙基纖維素 5%

松油醇 20%

丁基卡必醇 20%

丁基卡必醇醋酸酯 35%

檸檬酸三丁酯 3%

1,4-丁內(nèi)酯 5%

氫化蓖麻油 1%

卵磷脂 1%。

著色劑為三氧化二鐵。

需進(jìn)一步指出，本實施例2的含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備低熔點玻璃粉：按照本實施例2的質(zhì)量配比稱取Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃，攪拌混勻后獲得氧化物混合料；將攪拌混勻后的氧化物混合料置于馬弗爐中進(jìn)行熔煉處理，熔煉時于1200℃的溫度條件下保溫半小時，以獲得玻璃熔液；而后將玻璃熔液進(jìn)行水淬處理以獲得玻璃渣，將玻璃渣置于球磨機(jī)中進(jìn)行球磨處理，以獲得粒徑值小于10微米的低熔點玻璃粉；

b、制備有機(jī)載體：按照本實施例2的質(zhì)量配比稱取有松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素，而后將有機(jī)載體的原料置于攪拌機(jī)中并于60-80℃的溫度條件下攪拌溶解，以獲得粘度值為50-200Pa.s的有機(jī)載體；

c、介質(zhì)漿料制備：將低熔點玻璃粉、片狀二氧化硅粉、有機(jī)載體、著色劑按本實施例2的配比混合并置于研磨機(jī)中進(jìn)行研磨軋制處理，以獲得粘度值為200-400Pa.s、細(xì)度小于15μm的介質(zhì)漿料。

其中，本實施例2的介質(zhì)漿料通過絲網(wǎng)在金屬鋁基材上印刷成膜，在560℃燒結(jié)后介質(zhì)層厚度94μm，擊穿電壓＞1900V，絕緣電阻＞45MΩ，漏電流＜0.5mA。

實施例3，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

低熔點玻璃粉 50%

片狀二氧化硅粉 18%

有機(jī)載體 32%。

其中，低熔點玻璃粉由Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃組成，其質(zhì)量份依次為： 15%、1%、1%、20%、45%、2%、3%、1%、2%、1%，3%、1%、4%、1%。

其中，片狀二氧化硅粉的粒徑值為0.5-10μm，徑厚比為4:1-20:1。

另外，有機(jī)載體包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

乙基纖維素 7%

松油醇 20%

丁基卡必醇 30%

丁基卡必醇醋酸酯 30%

檸檬酸三丁酯 7%

1,4-丁內(nèi)酯 4%

氫化蓖麻油 1%

卵磷脂 1%。

需進(jìn)一步指出，本實施例3的含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備低熔點玻璃粉：按照本實施例3的質(zhì)量配比稱取Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃，攪拌混勻后獲得氧化物混合料；將攪拌混勻后的氧化物混合料置于馬弗爐中進(jìn)行熔煉處理，熔煉時于1400℃的溫度條件下保溫2小時，以獲得玻璃熔液；而后將玻璃熔液進(jìn)行水淬處理以獲得玻璃渣，將玻璃渣置于球磨機(jī)中進(jìn)行球磨處理，以獲得粒徑值小于10微米的低熔點玻璃粉；

b、制備有機(jī)載體：按照本實施例3的質(zhì)量配比稱取有松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素，而后將有機(jī)載體的原料置于攪拌機(jī)中并于60-80℃的溫度條件下攪拌溶解，以獲得粘度值為50-200Pa.s的有機(jī)載體；

c、介質(zhì)漿料制備：將低熔點玻璃粉、片狀二氧化硅粉、有機(jī)載體、著色劑按本實施例3的配比混合并置于研磨機(jī)中進(jìn)行研磨軋制處理，以獲得粘度值為200-400Pa.s、細(xì)度小于15μm的介質(zhì)漿料。

其中，本實施例3的介質(zhì)漿料通過絲網(wǎng)在金屬鋁基材上印刷成膜，在580℃燒結(jié)后介質(zhì)層厚度106μm，擊穿電壓＞2200V，絕緣電阻＞50MΩ，漏電流＜0.5mA。

實施例4，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料，包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

低熔點玻璃粉 50%

片狀二氧化硅粉 20%

有機(jī)載體 29%

著色劑 1%。

其中，低熔點玻璃粉由Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃組成，其質(zhì)量份依次為： 15%、1%、1%、18%、44%、3%、2%、2%、1.5%、1%，2%、1%、7%、1.5%。

其中，片狀二氧化硅粉的粒徑值為0.5-10μm，徑厚比為4:1-20:1。

另外，有機(jī)載體包括有以下質(zhì)量份的物料，具體為：

乙基纖維素 6%

松油醇 25%

丁基卡必醇 25%

丁基卡必醇醋酸酯 34%

檸檬酸三丁酯 5%

1,4-丁內(nèi)酯 3%

氫化蓖麻油 1%

卵磷脂 1%。

著色劑為二氧化錳。

需進(jìn)一步指出，本實施例4的含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料可以采用以下制備方法制備而成，具體的，一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟：

a、制備低熔點玻璃粉：按照本實施例4的質(zhì)量配比稱取Li₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、ZnO、SiO₂、Bi₂O₃、B₂O₃、CaO、BaO、SrO、V₂O₅、P₂O₅、TiO₂、Sb₂O₃，攪拌混勻后獲得氧化物混合料；將攪拌混勻后的氧化物混合料置于馬弗爐中進(jìn)行熔煉處理，熔煉時于1500℃的溫度條件下保溫1小時，以獲得玻璃熔液；而后將玻璃熔液進(jìn)行水淬處理以獲得玻璃渣，將玻璃渣置于球磨機(jī)中進(jìn)行球磨處理，以獲得粒徑值小于10微米的低熔點玻璃粉；

b、制備有機(jī)載體：按照本實施例4的質(zhì)量配比稱取有松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1,4-丁內(nèi)酯、氫化蓖麻油、卵磷脂以及乙基纖維素，而后將有機(jī)載體的原料置于攪拌機(jī)中并于60-80℃的溫度條件下攪拌溶解，以獲得粘度值為50-200Pa.s的有機(jī)載體；

c、介質(zhì)漿料制備：將低熔點玻璃粉、片狀二氧化硅粉、有機(jī)載體、著色劑按本實施例4的配比混合并置于研磨機(jī)中進(jìn)行研磨軋制處理，以獲得粘度值為200-400Pa.s、細(xì)度小于15μm的介質(zhì)漿料。

其中，本實施例4的介質(zhì)漿料通過絲網(wǎng)在金屬鋁基材上印刷成膜，在580℃燒結(jié)后介質(zhì)層厚度116μm，擊穿電壓＞2300V，絕緣電阻＞50MΩ，漏電流＜0.5mA。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化涵括在本發(fā)明內(nèi)。