技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及具有可選擇像素密度的全晶片檢測(cè)方法。本發(fā)明公開用于半導(dǎo)體晶片的全晶片檢測(cè)方法。一種方法包括同時(shí)在半導(dǎo)體晶片的整個(gè)表面的測(cè)量部位上以最大測(cè)量部位像素密度ρmax進(jìn)行選擇測(cè)量參數(shù)的測(cè)量以獲得測(cè)量數(shù)據(jù)，其中以最大測(cè)量部位像素密度ρmax獲得的測(cè)量部位像素的總數(shù)在104與108之間。該方法亦包括定義半導(dǎo)體晶片的表面的多個(gè)分區(qū)，其中該多個(gè)分區(qū)中的每一者具有測(cè)量部位像素密度ρ，其中該多個(gè)分區(qū)中的至少兩者具有不同尺寸的測(cè)量部位像素且因此具有不同測(cè)量部位像素密度ρ。該方法亦包括基于多分區(qū)及對(duì)應(yīng)測(cè)量部位像素密度ρ而處理測(cè)量數(shù)據(jù)。該經(jīng)處理測(cè)量數(shù)據(jù)可用于對(duì)用以在半導(dǎo)體晶片上形成器件的程序進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理控制。

技術(shù)研發(fā)人員：D·M·歐文;B-H·李;E·鮑徹;A·M·霍里魯克
受保護(hù)的技術(shù)使用者：超科技公司
文檔號(hào)碼：201611168660
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.16
技術(shù)公布日：2017.06.27