專利名稱：一種高像素密度led顯示模塊及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過控制LED發(fā)光的顯示模塊及其制作方法，屬光電子器 件制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
LED顯示屏均由LED顯示模塊組成。分為圖文顯示屏和視頻顯示屏，圖文顯 示屏可與計算機同步顯示漢字、英文文本和圖形；視頻顯示屏采用微型計算機 進行控制，圖文、圖像并茂，以實時、同步、清晰的信息傳播方式播放各種信 息。
LED顯示模塊中每一個可被單獨控制的發(fā)光單元稱為象素，象素之間的距離 稱為點距，點距越大，象素密度越低，單位面積內(nèi)的信息容量越少。
常用的LED顯示模塊中的象素是單獨固定在電路板上的發(fā)光二極管，在電 路板上具有為每一象素提供電力驅(qū)動與控制的電路，電路分布所需占用的空間 使得顯示屏在提高點距方面受到限制；因此，LED顯示屏主要應用于車站、碼頭、 機場、商場、銀行、證券巿場等公共場所。但不能應用于如手機、PM、電視、 電腦顯示屏等高信息密度的顯示。
由于LED發(fā)光器件相較于常用的LCD、等離子等顯示器件，具有如亮度高、 響應快、工作電壓低、功耗小、微型化、易與集成電路匹配、驅(qū)動簡單、壽命 長、耐沖擊、性能穩(wěn)定等優(yōu)點，因此，若能將LED顯示模塊的點距降低，提高 像素密度，使之滿足高信息密度的顯示要求，將對于顯示技術(shù)的發(fā)展具有極大 的推動意義。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種高像素密度、低點距的LED顯示模塊及其制作方 法，利用LED發(fā)光象素本身的材料來提供顯示模塊中的行、列電路連接，從而 去除了電路板上對發(fā)光象素的控制電路所需占用的空間，大大降低了 LED模塊 的點距，從而使得LED顯示的應用領(lǐng)域擴大到如手機、P0S機、PDA、 MP3等高 信息密度的使用場合。
為了達到以上目的，本發(fā)明公開了一種高分辨率LED顯示模塊及其制作方 法，該方法步驟如下
1、 取一片砷化鎵基板外延片，在外延片的P層表面上形成電極圖形及歐 姆接觸。
2、 從外延片P層表面的特定位置向下切割形成深度超過外延片中P型材 料厚度的溝槽，在溝槽中蒸鍍N型歐姆接觸金屬并形成歐姆接觸。
3、 將外延片底部粘貼在硅片上，然后在與溝槽垂直的方向?qū)⑼庋悠懈?成獨立的行塊排列，行塊的排列是利用粘貼于底部的硅片來保持其排列完整性 的。
4、 按行排列垂直的方向從表面向下進行列切割，從而使行塊成為獨立的像 素單元，切割深度以分離行塊中P型層的連接(即切透PN結(jié))，但不破壞N型 層的連接為準；列切割時，需保持行塊中N型層的連接，從而使得顯示模塊內(nèi) 部同行的各像素單元的N型導通可通過條塊內(nèi)本身的N型材料來進行。
5、 從P型表面向下切割形成的溝槽在最終形成的模塊中處于邊緣位置，其 作用在于制作外部控制電路與顯示模塊內(nèi)部行塊的電路連接。
6、 完成以上搡作后，從溝槽的位置處去除不需要的區(qū)域，即形成可直接封 裝應用的LED顯示模塊。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較的有益效果是，本LED顯示模塊利用象素本身的材料來提供模塊內(nèi)部中的電路連接，節(jié)約了對象素的控制電路所需占用的空間，
大大降低了 LED顯示模塊的點距，提高像素密度。
本發(fā)明可應用于手機、P0S機、PDA、 MP3等高信息密度的使用領(lǐng)域；尤其 適用于高精度、高分辨率的LED顯示屏。


圖l是本發(fā)明實施例中的制作流程圖。
圖2是本發(fā)明實施例中的條塊剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明實施例中溝槽及進行列切割后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖號表示為P型層表面歐姆接觸(l); PN結(jié)(2);粘合劑(3);硅片(4);
溝槽(5 )。 '
具體實施例方式
實施例1:
根據(jù)附圖1所示的工藝流程，如附圖2所示，取一片砷化鎵基板、發(fā)光波 長約625nm的紅光外延片，首先在外延片的P型層表面形成電極圖形及歐姆接 觸(1)。其次，從外延片P型層表面的特定位置向下切割形成深度超過外延片 中P型材料厚度的溝槽(5),在溝槽中蒸鍍N型歐姆接觸金屬并形成歐姆接觸。 下一步，將外延片底部用粘合劑U)粘貼在硅片(4)上，然后在與溝槽垂直 的方向?qū)⑼庋悠懈畛瑟毩⒌男袎K排列，但在切割時不得損傷粘貼于外延片底 部硅片的完整性，行塊的排列是利用粘貼于底部的硅片來保持其排列完整性的。 再下一步，按行排列垂直的方向從表面向下進行列切割，從而使行塊成為獨立 的像素單元，切割深度以分離行塊中P型層的連接(即切透PN結(jié)(2))，但不 破壞N型層的連接為準。完成以上操作后，從溝槽的位置處去除不需要的區(qū)域， 即形成可直接封裝應用的紅光LED顯示模塊。實施例2:
取一片砷化鎵基板、發(fā)光波長約590nm的黃光外延片，首先在外延片的P 層表面形成電極圖形及歐姆接觸(1)。其次，從外延片P層表面的特定位置向 下切割形成深度超過外延片中P型材料厚度的溝槽(5)，在溝槽中蒸鍍N型歐 姆接觸金屬并形成歐姆接觸。下一步，將外延片底部用粘合劑(3)粘貼在硅片 (4)上，然后在與溝槽垂直的方向?qū)⑼庋悠懈畛瑟毩⒌男袎K排列，但在切割 時不是損傷粘貼于外延片底部硅片的完整性，行塊的排列是利用粘貼于底部的 硅片來保持其排列完整性的。再下一步，按行排列垂直的方向從表面向下進行 列切割，從而使行塊成為獨立的像素單元，切割深度以分離行塊中P型層的連 接(即切透PN結(jié)(2)),但不破壞N型層的連接為準。完成以上操作后，從溝 槽的位置處去除不需要的區(qū)域，即形成可直接封裝應用的黃光LED顯示模塊。 實施例3:
取一片砷化鎵基板、發(fā)光波長約570nm的黃綠光外延片，首先在外延片的P 層表面形成電極圖形及歐姆接觸(1)。其次，從外延片P層表面的特定位置向 下切割形成深度超過外延片中P型材料厚度的溝槽(5),在溝槽中蒸鍍N型歐 姆接觸金屬并形成歐姆接觸。下一步，將外延片底部用粘合劑(3)粘貼在硅片 (4)上，然后在與溝槽垂直的方向?qū)⑼庋悠懈畛瑟毩⒌男袎K排列，但在切割 時不是損傷粘貼于外延片底部硅片的完整性，行塊的排列是利用粘貼于底部的 硅片來保持其排列完整性的。再下一步，按行排列垂直的方向從表面向下進行 列切割，從而使行塊成為獨立的像素單元，切割深度以分離行塊中P型層的連 接(即切透PN結(jié)(2))，但不破壞N型層的連接為準。完成以上操作后，從溝 槽的位置處去除不需要的區(qū)域，即形成可直接封裝應用的黃綠光LED顯示模塊。
權(quán)利要求
1、一種高像素密度LED顯示模塊的制作方法，其特征在于，任取一片砷化鎵基板外延片，在外延片的P層表面形成電極圖形及歐姆接觸；從外延片P層表面的特定位置向下切割形成深度超過外延片中P型材料厚度的溝槽，在溝槽中蒸鍍N型歐姆接觸金屬并形成歐姆接觸；將外延片底部粘貼在硅片上，然后在與溝槽垂直的方向?qū)⑼庋悠懈畛瑟毩⒌男袎K排列，行塊的排列是利用粘貼于底部的硅片來保持其排列完整性的；按行排列垂直的方向從表面向下進行列切割，從而使行塊成為獨立的像素單元，切割深度以分離行塊中P型層的連接，以不破壞N型層的連接為準。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高像素密度LED顯示模塊及其制作方法，其 特征在于，在所述按行排列垂直的方向從表面向下進行列切割時，需保持行塊 中N型層的連接，從而使得顯示模塊內(nèi)部同行的各像素單元的N型導通可通過 條塊內(nèi)本身的N型材料來實現(xiàn)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高像素密度LED顯示模塊及其制作方法，其 特征在于，從P型表面向下切割形成的溝槽在最終形成的模塊中處于邊緣位置, 其作用在于制作外部控制電路與顯示模塊內(nèi)部行塊的電路連接。
全文摘要
一種高像素密度LED顯示模塊的制作方法，屬光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法取砷化鎵基板外延片，在外延片的P層表面形成電極圖形及歐姆接觸；從外延片P層表面的特定位置向下切割形成深度超過外延片中P型材料厚度的溝槽，在溝槽中蒸鍍N型歐姆接觸金屬并形成歐姆接觸；將外延片底部粘貼在硅片上，然后在與溝槽垂直的方向?qū)⑼庋悠懈畛瑟毩⒌男袎K排列；按行排列垂直的方向從表面向下進行列切割，從而使行塊成為獨立的像素單元，切割深度以分離行塊中P型層的連接，不破壞N型層的連接為準。本LED顯示模塊利用象素本身的材料來提供模塊內(nèi)部中的電路連接，節(jié)約了對象素的控制電路所需占用的空間，大大降低了LED顯示模塊的點距，提高像素密度。
文檔編號H01L21/02GK101625981SQ20091011590
公開日2010年1月13日 申請日期2009年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月3日
發(fā)明者萬金平, 強 任, 劉淑梅, 曹喜平 申請人:南昌欣磊光電科技有限公司