技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種在場電介質(zhì)上具有故障安全熔絲的IC。一種熔絲電路，其包含：襯底；頂部半導體層，其摻雜第一導電類型，所述頂部半導體層具有形成于其中的摻雜第二導電類型的包含阱觸點的阱。場電介質(zhì)層FOX處于所述半導體層上。熔絲處于所述阱內(nèi)的所述FOX上，所述熔絲包含熔絲體，所述熔絲體包含具有第一熔絲觸點及第二熔絲觸點的導電材料。晶體管形成于所述半導體層中，所述晶體管包含具有CT觸點的控制端子CT、具有FT觸點的第一端子FT及具有ST觸點的第二端子ST。耦合路徑處于所述CT觸點與阱觸點之間，第一電阻器耦合于所述FT觸點與CT觸點之間，且耦合路徑處于所述ST觸點與所述第一熔絲觸點之間。

技術(shù)研發(fā)人員：河原秀明;楊紅;歐根·蓬皮柳·門德里切盧;羅伯特·格雷厄姆·肖
受保護的技術(shù)使用者：德州儀器公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.16
技術(shù)公布日：2017.08.18