技術(shù)編號(hào)：11521921
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。所揭示的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體集成電路(IC)裝置上的熔絲。背景技術(shù)熔絲以各種工藝技術(shù)經(jīng)實(shí)施用于多種不同半導(dǎo)體IC裝置。舉例來說，多晶硅熔絲可用于對(duì)存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行編程，所述存儲(chǔ)器裝置例如可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可編程邏輯陣列(PLA)及冗余存儲(chǔ)器陣列。通常在這些存儲(chǔ)器裝置的制造期間形成熔絲陣列，所述熔絲陣列通常形成于厚度可為1μm或更多的場(chǎng)氧化物層上。PROM或PLA裝置中的熔絲用于針對(duì)特定應(yīng)用定制PROM或PLA裝置。通過燒斷(或熔斷)所選擇的存儲(chǔ)器單元中的適當(dāng)熔絲對(duì)PROM或PLA裝置進(jìn)行編...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。