本說明書涉及半導(dǎo)體裝置和制作半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置的持續(xù)微型化已產(chǎn)生以并無不利影響裝置的電氣性能的方式微型化裝置封裝的需求。

在分立裝置領(lǐng)域中，這種趨勢已產(chǎn)生芯片規(guī)模封裝(csp)。這種類型的封裝一般包括具有主表面和背面的半導(dǎo)體管芯。該裝置的電接觸被設(shè)置在該主表面上。通過將封裝的主表面面向下放置在載體上，該封裝可以表面安裝在載體例如印刷電路上。這可允許在主表面上的接觸被焊接到在載體上的對應(yīng)接觸。芯片規(guī)模封裝可以使用極少的模制化合物(封裝劑)或不使用模制化合物(封裝劑)。

芯片規(guī)模封裝(csp)尤其是倒裝芯片封裝可以提供具有相對小的封裝大小的相對大的基板容積。在一些csp中，幾乎100％的封裝體積是硅。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在隨附的獨立權(quán)利要求和從屬權(quán)利要求中陳述了本公開的方面。來自從屬權(quán)利要求的特征的組合可以視情況與獨立權(quán)利要求的特征進(jìn)行組合，而不僅僅是按照權(quán)利要求書中所明確陳述的那樣進(jìn)行組合。

根據(jù)本公開的方面，提供半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：

基板，該基板包括主表面和背面；

一個或多個電接觸，該一個或多個電接觸位于主表面上；以及

介電分隔，該介電分隔用于將基板的第一部分與基板的第二部分電隔離，其中介電分隔從主表面延伸穿過基板到背面。

根據(jù)本公開的另一方面，提供制作半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括：

提供具有主表面和背面的晶片；

形成從主表面至少部分地延伸穿過晶片的溝槽；

用介電質(zhì)至少部分地填充溝槽；

在主表面上形成多個電接觸；

從晶片的背面去除材料，至少直至曝露溝槽的底部；以及

切單晶片以形成多個半導(dǎo)體基板，其中該基板中的至少一個基板包括由介電質(zhì)填充的溝槽形成的介電分隔，其中該介電分隔將基板的第一部分與基板的第二部分電隔離。

提供從主表面延伸穿過基板到背面的介電分隔可以允許位于基板的不同部分中的裝置的特征部彼此電隔離。

基板的第一部分可以包括半導(dǎo)體裝置的有源區(qū)域，并且基板的第二部分可以包括在主表面和背面之間延伸的基板的側(cè)壁。在該例子中，介電分隔可以將基板的側(cè)壁與有源區(qū)域電隔離。這可以防止有源區(qū)域和可以被用于安裝裝置的任何焊料之間的電短路，該焊料應(yīng)當(dāng)與側(cè)壁接觸。設(shè)想包括側(cè)壁的基板的一部分自身可以不包括裝置的有源區(qū)域。在一些例子中，與包括有源區(qū)域的基板的一部分的尺寸相比，包括側(cè)壁的基板的一部分可以較薄(例如，大約1-3％)，由此允許減小裝置的整體大小。

基板的第一部分可以包括半導(dǎo)體裝置的第一有源區(qū)域，并且基板的第二部分可以包括半導(dǎo)體裝置的第二有源區(qū)域。在該例子中，介電分隔可以被用于將第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域彼此電隔離。

介電分隔可以被成形以限定基板中的至少一個聯(lián)鎖部分。在一些例子中，半導(dǎo)體裝置的該(或每個)介電分隔可以包括多個此類聯(lián)鎖部分。

一個或多個聯(lián)鎖部分可以包括位于介電分隔的一側(cè)上的鎖定構(gòu)件和位于該介電分隔的相對側(cè)上的開口。鎖定構(gòu)件可以被收容在開口內(nèi)，以抑制介電分隔電隔離的基板的部分的物理分離。開口的形狀可以與鎖定構(gòu)件的形狀一致。

在一些例子中，至少一個聯(lián)鎖部分的鎖定構(gòu)件可以包括頸部部分和頭部分。開口可以包括嘴部分，鎖定構(gòu)件的頸部部分可以被收容在嘴部分內(nèi)。當(dāng)從主表面上方查看時，鎖定構(gòu)件的頭部分可以至少與開口的嘴部分一樣寬，以防止從開口移除頭部分。在一些例子中，鎖定構(gòu)件的頭部分可以比開口的嘴部分更寬。

設(shè)想用于鎖定構(gòu)件的各種不同的形狀。例如，當(dāng)從主表面上方查看時，鎖定構(gòu)件的形狀可以基本上是梯形的。在一些例子中，當(dāng)從主表面的上方查看時，鎖定構(gòu)件的邊緣可以是彎曲的。

在一些例子中，當(dāng)從基板的主表面上方查看時，介電分隔可以包括至少一個拐角。包括一個或多個拐角的介電分隔的布局可以例如允許介電分隔至少部分地圍繞基板的一部分。

在一些例子中，半導(dǎo)體裝置可以包括至少一個另外的介電分隔。介電分隔中的至少一些介電分隔可以相交。包括一個或多個交叉點的介電分隔的布局可以例如允許介電分隔至少部分地圍繞基板的一部分。

基板可以包括至少一個另外的部分。該基板的第一部分、第二部分和每個另外的部分可以通過本文中所描述的種類的一個或多個介電分隔與相鄰部分電隔離。例如，這可以允許裝置的多個有源區(qū)域彼此隔離，和/或可以允許那些有源區(qū)域與基板的側(cè)壁隔離。

根據(jù)本公開的另外的方面，提供包括上述種類的半導(dǎo)體裝置的芯片規(guī)模封裝。

附圖說明

在下文中將僅以例子的方式參考附圖來描述本公開的實施例，在附圖中相似的附圖標(biāo)記指代相似的要素，并且在附圖中：

圖1示出根據(jù)本公開的實施例的半導(dǎo)體裝置；

圖2示出根據(jù)本公開的另一實施例的半導(dǎo)體裝置；

圖3示出根據(jù)本公開的另外的實施例的半導(dǎo)體裝置；

圖4示出安裝在載體例如印刷電路板(pcb)上的圖3中所示的種類的半導(dǎo)體裝置；

圖5a到圖5c示出根據(jù)本公開的另一實施例的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法；

圖6示出根據(jù)本公開的另外的實施例的半導(dǎo)體裝置；

圖7示出根據(jù)本公開的實施例的具有多個聯(lián)鎖部分的介電分隔；

圖8更詳細(xì)地示出圖6和圖7中所示的種類的聯(lián)鎖部分；以及

圖9a到圖9c每個示出根據(jù)本公開的實施例的用于半導(dǎo)體裝置的介電分隔的另外的例子。

具體實施方式

以下參考附圖描述本公開的實施例。

圖1示出根據(jù)本公開的實施例的半導(dǎo)體裝置10。裝置10包括基板2?；?可以是包括例如硅的半導(dǎo)體基板?；?具有主表面4和背面6?；?可以包括許多側(cè)壁14，該側(cè)壁14在基板2的邊緣處在主表面4和背面6之間延伸。

裝置10還包括位于主表面上的一個或多個電接觸22。電接觸22可以是金屬的。例如，接觸22可以包括堆疊在主表面4上的一層或多層金屬。接觸22可以是例如形成的焊料墊，該焊料墊用于允許焊料被用于將裝置10安裝和電連接到載體的表面。因此，裝置10可以是芯片規(guī)模封裝，該芯片規(guī)模封裝可以安裝在載體例如印刷電路板(pcb)的表面上。

在該例子中，基板2包括第一部分30和第二部分40。在該例子中，第一部分30包括有源區(qū)域，該有源區(qū)域包括一個或多個部件(例如，有源部件例如晶體管或二極管)，該一個或多個部件可以連接到位于該部分中的接觸22。類似地，在該例子中，第二部分40包括有源區(qū)域，該有源區(qū)域包括一個或多個部件(例如，有源部件例如晶體管或二極管)，該一個或多個部件可以連接到位于該部分中的接觸22。

裝置10還包括介電分隔12。介電分隔12可以從主表面4延伸穿過基板2到背面6，使得基板2的第一部分30不會物理上接觸基板2的第二部分40。因此，介電分隔可以將基板2的第一部分30與基板2的第二部分40電隔離。在本例子中，這可以允許基板2的每個相應(yīng)的部分30、40中的有源區(qū)域彼此電隔離。這可以例如允許每個有源區(qū)域中的部件基本上彼此獨立地進(jìn)行操作，防止例如不同的有源區(qū)域中的部件之間的不想要的串?dāng)_。

圖2示出根據(jù)本公開的另一實施例的半導(dǎo)體裝置10。裝置10包括基板2，如先前所提到的，該基板2可以是包括例如硅的半導(dǎo)體基板?；?具有主表面4和背面6。與圖1的例子相似，基板2可以包括許多側(cè)壁14，該側(cè)壁14在基板2的邊緣處在主表面4和背面6之間延伸。

在該例子中，基板2包括第一部分30和第二部分40。與圖1的例子一樣，裝置10包括介電分隔12，該介電分隔12可以從主表面4延伸穿過基板2到背面6，使得基板2的第一部分30不會物理上接觸基板2的第二部分40。因此，介電分隔可以將基板2的第一部分30與基板2的第二部分40電隔離。

在圖2的例子中，介電分隔12包括拐角18。提供介電分隔12中的一個或多個拐角18可以允許與圖1的例子相比以更大的靈活性確定介電分隔12的布局。例如，在圖2的例子中的介電分隔12允許拐角部分(圖2中的第二部分40)與基板2的剩余部分電隔離?；宓拿總€部分30、40可以例如包括有源區(qū)域，該有源區(qū)域可以通過介電分隔12彼此電隔離，如上面關(guān)于圖1所提到的。

圖3示出根據(jù)本公開的另外的實施例的半導(dǎo)體裝置10。裝置10包括基板2，如先前所提到的，該基板2可以是包括例如硅的半導(dǎo)體基板?；?具有主表面4和背面6。與圖1和圖2的例子相似，基板2包括許多側(cè)壁14，該側(cè)壁14在基板2的邊緣處在主表面4和背面6之間延伸。

在該例子中的基板2包括第一部分30，該第一部分30包括先前關(guān)于圖1和圖2所描述的種類的有源區(qū)域。上面關(guān)于圖1所描述的種類的一個或多個接觸22可以位于基板2的第一部分30中的主表面4上。

在該例子中，裝置10包括多個介電分隔12。這些介電分隔12在基板2的第一部分30的拐角處彼此相交，如圖3所示。如先前所描述的，每個介電分隔12可以從主表面4延伸穿過基板2到背面6。在該例子中的介電分隔12中的每個介電分隔12將基板2的第一部分30與包括側(cè)壁14中的一個側(cè)壁14的基板的另一部分電隔離。在同一方向上與第一部分30的寬度w相比，包括側(cè)壁14的基板2的部分的厚度t可以較薄(例如，≈1-3％)。例如，包括側(cè)壁14的基板2的部分可以是大約t≈1-5μm厚，并且在同一方向上的第一部分30的寬度可以是幾百微米，例如，大約w≈300μm。

設(shè)想代替使用如圖2所示的多個相交的介電分隔12，可以使用(上面關(guān)于圖2所描述的種類的)具有4個拐角的單個箱形介電分隔12將基板2的第一部分30與基板2的側(cè)壁14電隔離，該具有4個拐角的單個箱形介電分隔12在每一側(cè)上包圍基板2的第一部分30。

圖4示出以主表面4面向下被表面安裝在載體例如印刷電路板(pcb)上的圖3的裝置10。pcb可以包括一個或多個接觸例如焊料墊42，以允許使用焊料44的部分安裝裝置，該焊料44的部分提供載體和主表面4上的接觸22之間的電連接。圖4還示出在一些例子中保護(hù)層45(例如介電質(zhì))可以位于主表面4上，由此防止用于安裝裝置10的焊料44中的任何焊料44直接與主表面4接觸。如果焊料44確實直接接觸主表面4，則這可能引起焊料44和裝置10之間(例如，到第一部分30中的有源區(qū)域)的不想要的電短路。

如在圖4中可以看到的，當(dāng)焊料被用于實施該種類的表面安裝時，可能偶爾出現(xiàn)焊料44中的一些焊料44可能不注意地與側(cè)壁14接觸(這在圖4中由使用附圖數(shù)字50標(biāo)注的點狀區(qū)域來表明)。在該例子中，如果基板2的側(cè)壁14不與包括有源區(qū)域的第一部分30隔離，這可能經(jīng)由接觸側(cè)壁14的焊料44的一部分在接觸22、接觸42和裝置10的有源區(qū)域之間產(chǎn)生電短路，該電短路可能導(dǎo)致裝置10的不正確操作，或甚至裝置失效。而且，在圖4的例子中，介電分隔12可以允許包括相應(yīng)的側(cè)壁14的基板2的不同部分中的每個部分彼此隔離，這可以防止在被用于安裝裝置10的焊料與不止一個側(cè)壁14接觸的情況下，經(jīng)由側(cè)壁的裝置10和/或載體40的不同接觸22、42之間的電短路。

設(shè)想關(guān)于圖4描述的種類的裝置10的一個或多個有源區(qū)域不需要與基板2的側(cè)壁14中的所有側(cè)壁14隔離。例如，圖4中所示的種類的一個或多個介電分隔12可以被提供僅僅用于使有源區(qū)域與相對靠近主表面4上的接觸22的側(cè)壁14隔離。對于位于離開接觸22中的任一個接觸22一定距離的側(cè)壁，被用于連接到接觸22的任何焊料實際觸及側(cè)壁14的風(fēng)險可以是相對低的。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本公開的實施例可以允許相對靠近基板2的邊緣來放置接觸22，同時避免上面所提到的電短路問題，這可以允許減少裝置10的整體大小。

圖5a到圖5c示出在根據(jù)本公開的實施例的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法的例子中的許多步驟。在該例子中，裝置是晶片級芯片規(guī)模封裝(wlcsp)。

在圖5a中所示的第一步驟中，提供了晶片102。晶片102可以是包括例如硅的半導(dǎo)體晶片。晶片102具有主表面104和背面106。使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造技術(shù)，一個或多個有源區(qū)域可以形成于晶片102中，并且一個或多個接觸可以形成于晶片102的主表面104上，以提供到這些有源區(qū)域的電連接。設(shè)想可以或在下面將描述的溝槽和對應(yīng)的介電分隔形成之前或在該溝槽和對應(yīng)的介電分隔形成之后形成有源區(qū)域和/或主表面上的接觸。為了清楚起見，圖5a到圖5c中未示出有源區(qū)域和接觸。

至少一個溝槽110形成于晶片102中?？梢岳缡褂霉饪碳夹g(shù)形成一個或多個溝槽110，在光刻技術(shù)中對主表面進(jìn)行掩模和蝕刻。在另一例子中，可以使用激光蝕刻。一個或多個溝槽110從主表面104至少部分地延伸穿過晶片102。如由圖5b中的虛線114所表示的，在下面所描述的背面研磨步驟之后，一個或多個溝槽的深度可以被選取為約等于晶片的厚度，或比晶片的厚度更深。

在圖5b中所示的接下來的步驟中，用介電質(zhì)至少部分地填充一個或多個溝槽?？梢岳缤ㄟ^以下步驟形成介電質(zhì)：

·用(低壓化學(xué)氣相沉積(lpcvd))沉積氧化物填充一個或多個溝槽；

·熱氧化一個或多個溝槽的側(cè)壁，并且用未摻雜的lpcvd多晶硅填充一個或多個溝槽的剩余部分；或

·使用聚酰亞胺或類似的旋涂聚合物。

至少部分地填充一個或多個溝槽方法和材料的選取可以取決于例如該一個或多個溝槽的寬度。

在本例子中，用介電質(zhì)完全填充一個或多個溝槽110。應(yīng)當(dāng)理解，可以選取形成于圖5a中的一個或多個溝槽110的布局，使得在如下所述的晶片的切單之后，用介電質(zhì)填充的一個或多個溝槽110形成本文中所描述的種類的介電分隔112。

在已經(jīng)用介電質(zhì)至少部分地填充一個或多個溝槽110之后，可以例如通過對晶片102進(jìn)行背面研磨，從晶片102的背面106去除材料?？梢匀コ摬牧现辽僦敝疗芈兑粋€或多個溝槽110的底部。如在圖5c中可以看到的，這引起對應(yīng)于用介電質(zhì)填充的溝槽110的一個或多個介電分隔12的形成。

在由圖5c中的虛線114表示的接下來的步驟中，可以切單(分割)晶片以形成多個半導(dǎo)體基板。每個基板可以是本文中所描述的種類的半導(dǎo)體裝置的基板。應(yīng)注意，基板的主表面可以對應(yīng)于晶片102的主表面104，而每個基板的背面可以對應(yīng)于晶片102的背面研磨的背面106。

圖6示出根據(jù)本公開的另外的實施例的半導(dǎo)體裝置10。裝置10包括基板2，如先前所提到的，該基板2可以是包括例如硅的半導(dǎo)體基板。基板2具有主表面4和背面。與圖1的例子相似，基板2可以包括許多側(cè)壁，該側(cè)壁在基板2的邊緣處在主表面4和背面之間延伸。圖6中的裝置10的視圖是從主表面4的上方，并且同樣地，背面和側(cè)壁不是可見的。

在該例子中，基板2包括第一部分30，該第一部分30可以包括裝置10的有源區(qū)域。基板包括許多其它部分，例如第二部分40，該第二部分40包括基板2的側(cè)壁中的一個側(cè)壁。在其它例子中，第二部分40可以包括裝置的另一有源區(qū)域，如先前關(guān)于圖1所解釋的。

裝置10包括許多介電分隔12，該介電分隔12可以從主表面4延伸穿過基板2到背面，如先前所解釋的。在本例子中，裝置10包括4個介電分隔12，該4個介電分隔12在許多位置處相交，并且該4個介電分隔12將基板2的第一部分30與包括基板2的側(cè)壁的基板2的部分(例如第二部分40)電隔離。因而，在該例子中，介電分隔12的布局類似于關(guān)于圖3所描述的布局。

根據(jù)本公開的實施例，介電分隔12中的至少一些介電分隔12可以被成形以限定基板2中的至少一個聯(lián)鎖部分。這些聯(lián)鎖部分可以每個包括位于介電分隔12的一側(cè)上的鎖定構(gòu)件62，以及位于介電分隔12的相對側(cè)上的開口64。鎖定構(gòu)件62可以被收容在開口64內(nèi)。每個開口64可以被成形為與被收容在該開口64內(nèi)的鎖定構(gòu)件62的形狀一致。

如下面將更詳細(xì)描述的，鎖定構(gòu)件62可以被成形以抵抗從開口64移除鎖定構(gòu)件62。因此，聯(lián)鎖部分可以通過抑制介電分隔12電隔離的基板2的部分的物理分離，改進(jìn)裝置10的機(jī)械穩(wěn)固性。因此，提供本文中所描述的種類的聯(lián)鎖部分可以通過介電分隔12的存在來解決引入到基板2中的潛在的結(jié)構(gòu)缺陷。

在本例子中，每個介電分隔12包括兩個此類聯(lián)鎖區(qū)域，如在圖6中可以看到的。鎖定構(gòu)件62可以被取向為基本上橫向于介電分隔12自身在其上延伸的方向延伸。應(yīng)當(dāng)理解，鎖定構(gòu)件62可以位于介電分隔12的任一側(cè)上，并且開口64可以被設(shè)置在介電分隔12的相對側(cè)上以收容鎖定構(gòu)件62。例如，在圖6的例子中，鎖定構(gòu)件62中的一些鎖定構(gòu)件62相對于基板2的第一部分30向外延伸，而鎖定構(gòu)件62中的其它鎖定構(gòu)件62相對于基板2的第一部分30向內(nèi)延伸。

在圖6的例子中，通過插入介電分隔12的直線節(jié)段將每個介電分隔12的聯(lián)鎖部分60分離。聯(lián)鎖部分60可以沿著該介電分隔12或每個介電分隔12位于規(guī)則的間隔處?？梢酝ㄟ^介電分隔12的長度和介電分隔12包括的聯(lián)鎖部分60的數(shù)量，確定相鄰的聯(lián)鎖部分60之間的間距。設(shè)想相鄰的聯(lián)鎖部分60之間的間距可以隨著介電分隔12的長度變化。

在圖7的例子中，介電分隔12包括多個聯(lián)鎖部分60，該多個聯(lián)鎖部分60沿著介電分隔12彼此相鄰地定位。在該例子中，由于聯(lián)鎖部分60彼此相鄰地定位，所以該聯(lián)鎖部分60沒有通過上述種類的直線節(jié)段分離。不過設(shè)想在一些例子中，介電分隔12可以具有圖7中所示的種類的一組或多組相鄰的聯(lián)鎖部分60，每組通過一個或多個直線節(jié)段分離。

在圖7的例子中，應(yīng)注意相鄰的聯(lián)鎖部分60的鎖定構(gòu)件62位于介電分隔12的相對側(cè)上，并且對應(yīng)地，相鄰的聯(lián)鎖部分60的開口64也位于介電分隔12的相對側(cè)上。

圖8更詳細(xì)地示出圖6和圖7中所示的種類的聯(lián)鎖部分60。在該例子中，鎖定構(gòu)件62包括頸部部分66和頭部分68。在頭部分68的最寬的點(圖8中所指示的尺寸“y”)處，當(dāng)從基板的主表面上方查看時，頭部分68比頸部部分66的最窄的部分(圖8中所指示的尺寸“x”)更寬。開口包括嘴部分67，該嘴部分67可以通常是開口64的最窄的部分。如圖8所示，鎖定構(gòu)件62的頸部部分可以位于開口64的嘴部分67中。

頸部部分66、頭部分68和嘴部分67的形狀可以幫助保持鎖定構(gòu)件62在開口64內(nèi)。例如，當(dāng)從基板的主表面上方查看時，頭部分68的最寬的點可以至少與開口64的嘴部分67的寬度(在圖8中所指示的尺寸“z”)一樣寬(或在一些例子中，如在圖8中，頭部分68的最寬的點可以比開口64的嘴部分67的寬度更寬)。

設(shè)想在給定的裝置10中聯(lián)鎖部分60的特征部的尺寸可以是不相等的。例如，在裝置10的某些部分中可以使用更大的鎖定構(gòu)件62，其中設(shè)想可以需要更大的機(jī)械強(qiáng)度。

在圖8的例子中，當(dāng)從主表面上方查看時，鎖定構(gòu)件62的形狀基本上是梯形的。由于在該例子中開口64的形狀符合鎖定構(gòu)件62的形狀，所以當(dāng)從主表面上方查看時，開口自身的形狀基本上也是梯形的。然而，設(shè)想鎖定構(gòu)件62和/或開口64可以具有可替換的形狀。下面關(guān)于圖9a到圖9c描述了一些另外的例子。

在一些例子中(包括圖9a到圖9c中所示的那些例子)，當(dāng)從主表面上方查看時，鎖定構(gòu)件可以具有彎曲的邊緣。

圖9a中所示的介電分隔12形成聯(lián)鎖部分60，該聯(lián)鎖部分60具有基本上圓形的頭部分68。在頭部分68的最寬的點(在該例子中，其可以被認(rèn)為是基本上圓形的頭部分68的直徑)處，當(dāng)從基板的主表面的上方查看時，頭部分68比頸部部分66的最窄的部分更寬。由于開口64的形狀與頭部分62的形狀一致，所以在該例子中，開口64的形狀基本上也是圓形的。在該例子中，再者，頭部分68的最寬的點可以至少與開口64的嘴部分67的寬度一樣寬(或在一些例子中，頭部分68的最寬的點可以比開口64的嘴部分67的寬度更寬)，以幫助保持鎖定構(gòu)件62在開口64內(nèi)。

圖9b中所示的介電分隔12形成具有鎖定構(gòu)件62的聯(lián)鎖部分60，該鎖定構(gòu)件62具有頭部分68和收縮的頸部部分66(像沙漏的形狀)，該頭部分68具有基本上平坦的頂部部分。在該例子中，開口64的形狀類似于頭部分62的形狀。在頭部分68的最寬的點處，當(dāng)從基板的主表面上方查看時，頭部分68比收縮的頸部部分66的最窄的部分更寬。而且在該例子中，頭部分68的最寬的點可以至少與開口64的嘴部分67的寬度一樣寬(或在一些例子中，頭部分68的最寬的點可以比開口64的嘴部分67的寬度更寬)，以幫助保持鎖定構(gòu)件62在開口64內(nèi)。

圖9c中所示的介電分隔12形成聯(lián)鎖部分60，聯(lián)鎖部分60具有鎖定構(gòu)件62，該鎖定構(gòu)件62被成形為類似于圖9b中所示的鎖定構(gòu)件62，除了代替具有基本上平坦的頂部部分，鎖定構(gòu)件62具有凹入的頂部部分。這可以增大鎖定構(gòu)件62的表面積，該增大可以改進(jìn)聯(lián)鎖部分60的機(jī)械強(qiáng)度。此外，在該例子中，開口64的形狀與頭部分62的形狀一致。在頭部分68的最寬的點處，當(dāng)從基板的主表面上方查看時，頭部分68比收縮的頸部部分66的最窄的部分更寬。而且在該例子中，頭部分68的最寬的點可以至少與開口64的嘴部分67的寬度一樣寬(或在一些例子中，頭部分68的最寬的點可以比開口64的嘴部分67的寬度更寬)，以幫助保持鎖定構(gòu)件62在開口64內(nèi)。

設(shè)想本文中所描述的種類的給定的裝置10不需要包括均具有相同的大小和/或形狀的聯(lián)鎖部分60。例如，給定的裝置10可以包括具有關(guān)于圖8和圖9a到圖9c描述的種類的形狀的混合的聯(lián)鎖部分60。

參考關(guān)于圖5a到圖5c所描述的方法，應(yīng)當(dāng)理解，可以通過圖5a中所示的一個或多個溝槽110的適當(dāng)成形來形成本文中所描述的鎖定部分60。如先前所提到，可以光刻形成一個或多個溝槽110，或可以例如通過激光蝕刻形成一個或多個溝槽110。這些技術(shù)中的任一種技術(shù)將適合于使一個或多個溝槽110適當(dāng)?shù)爻尚?，使得如圖5b中所示的用介電質(zhì)填充一個或多個溝槽110和如圖5c中所示的晶片102的切單可以產(chǎn)生具有一個或多個介電分隔12的裝置10，該一個或多個介電分隔12具有上述種類的一個或多個聯(lián)鎖部分60。

因此，已經(jīng)描述了半導(dǎo)體裝置和制作半導(dǎo)體裝置的方法。該裝置包括基板，該基板包括主表面和背面。該裝置還包括介電分隔，該介電分隔用于將基板的第一部分與基板的第二部分電隔離。介電分隔從主表面延伸穿過基板到背面。

雖然已經(jīng)描述了本公開的特定實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，可以在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)做出很多修改/添加和/或替代。