專利名稱：用于制作半導(dǎo)體裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，具體而言涉及用于制作 其中在絕緣層內(nèi)形成開口的半導(dǎo)體裝置的方法。
技術(shù)背景干法刻蝕工藝已知為形成用于接觸的接觸孔的工藝，該接觸孔將例如DRAM的半導(dǎo)體裝置中下層內(nèi)的布線層與上層內(nèi)的布線層連接。對(duì) 于在氧化硅膜內(nèi)提供接觸孔的干法刻蝕工藝的情形，Ar作為稀釋氣體 用于改善垂直可加工性以及半導(dǎo)體晶片平面內(nèi)的均勻性。在最近DRAM中，接觸的直徑變得超精細(xì)，且接觸被置于相互之間 極端相鄰的緊密間隔條件下。此外，為了維持裝置的性能，正在進(jìn)行 的是通過加深孔來提高縱橫比。圖1示出了一種半導(dǎo)體裝置的剖面視 圖，其具有通過常規(guī)技術(shù)形成的具有大縱橫比的接觸孔。示出了層間 絕緣膜101、接觸102、層間絕緣膜103、掩模104和接觸孔108。在 上述情形中形成具有大縱橫比的接觸孔108時(shí)，干法刻蝕工藝中的刻 蝕時(shí)間必須變得更長(zhǎng)，且存在掩模104的厚度無法充分增大的限制。 因此，如圖所示，在刻蝕層間絕緣膜103 (氧化硅膜)之后掩模104 的剩余膜不能得到充分保證，而由此導(dǎo)致接觸孔108開口畸變的現(xiàn)象。 此外，掩模104的剖面在刻蝕時(shí)不能維持為矩形以形成凸塊且使掩模 104本身畸變的現(xiàn)象，促進(jìn)了該開口的畸變。掩模的剩余膜的減小和畸變直接導(dǎo)致接觸孔相互短路，引起成品 率降低。因此，不采用由使用有機(jī)膜的光敏抗蝕劑形成的常規(guī)掩模， 介紹一種由多晶硅制成的硬掩模，其可以實(shí)現(xiàn)針對(duì)掩模的更高選擇 比，或者由非晶硅制成的硬掩模，其可以使釋放工藝變得比多晶硅簡(jiǎn) 單。介紹了由多晶硅制成的硬掩模，其針對(duì)掩模具有更高的選擇比， 還介紹了由非晶碳制成的硬掩模，其釋放工藝可以比多晶硅更簡(jiǎn)單。 同時(shí)，引入Xe氣體，該氣體可以顯著地抑制掩模在干法刻蝕時(shí)出現(xiàn)的 畸變，盡管該氣體非常昂貴。也就是說，通過使用Xe氣體或Ar/Xe混 合氣體作為稀釋氣體，可以執(zhí)行刻蝕而不引起掩?；?。然而在90nm這一代之后的超精細(xì)和高縱橫比結(jié)構(gòu)中，僅通過其單
一使用難以高成品率地穩(wěn)定地制作圖案。這里的原因在于面臨以前從未出現(xiàn)的稱為扭曲(twisting)的現(xiàn)象。圖2示出了通過另一種常規(guī) 技術(shù)制作的、具有更高縱橫比的接觸孔的半導(dǎo)體裝置的剖面視圖。圖 中示有層間絕緣膜101、接觸102、層間絕緣膜103、掩模104和接觸 孔109。如圖所示，出現(xiàn)了稱為扭曲的現(xiàn)象，其中接觸孔109本身無法 被垂直地圖案化從而畸變。當(dāng)這種扭曲發(fā)生時(shí)，下層內(nèi)的接觸102和 上層內(nèi)的布線層之間的傳導(dǎo)變差。該扭曲傾向于發(fā)生在接觸孔109的 更深部分，且在使用Xe氣體時(shí)較使用Ar氣體時(shí)更容易發(fā)生。即，當(dāng)僅Ar氣體作為稀釋氣體時(shí)，造成由于開口畸變引起的接觸 孔的相互短路。當(dāng)僅包含Xe的稀釋氣體用于抑制該短路時(shí)，出現(xiàn)扭曲。 因此，對(duì)于最近具有高縱橫比的精細(xì)緊密間隔的接觸孔的圖案化變得 困難。期望有一種用于形成超精細(xì)深孔接觸的技術(shù)，該技術(shù)不會(huì)導(dǎo)致 開口畸變及扭曲。作為相關(guān)技術(shù)，日本專利申請(qǐng)公開No. 10-98021公開了一種用 于制作半導(dǎo)體裝置的方法。用于制作半導(dǎo)體裝置的該方法特征在于， 使用包含碳氟化合物、氧氣和惰性氣體的刻蝕氣體來刻蝕硅化合物 層，其中該碳氟化合物由通式CmFn (其中m和n為表示原子數(shù)目的自 然數(shù)，滿足條件111>2， n《2m)表示。更具體而言，該方法的特征在于， 在刻蝕期間使例如Ar的惰性氣體的數(shù)量小于先前步驟。目的是減小 damage on ground。然而，在例如Ar的惰性氣體的數(shù)量小于先前步 驟的方法中，掩模的畸變無法得到抑制。因此，開口的畸變無法得到 抑制。另外，深孔部分內(nèi)的扭曲無法避免。作為相關(guān)技術(shù)，日本專利申請(qǐng)公開No. 2002-305171公開了一種 硅基襯底表面處理的方法。該硅基襯底的表面處理方法是指這樣的方 法，即，其中硅基襯底的目標(biāo)表面的刻蝕處理是通過等離子體處理來執(zhí)行的。該方法的特征在于，包括在上述處理目標(biāo)表面上形成精細(xì)不 規(guī)則性的第一等離子體刻蝕步驟，以及在該第一等離子體刻蝕步驟之 后，通過使用包含氟基氣體的等離子體發(fā)生氣體的等離子體處理進(jìn)一 步刻蝕該處理目標(biāo)表面以形成均勻而混濁刻蝕表面的第二等離子體刻 蝕步驟。更具體而言，該方法的特征在于，僅使用例如Ar的惰性氣體 的第一步驟以及僅使用例如CF" SF6的含氟氣體的第二步驟。在僅使 用惰性氣體的刻蝕中，針對(duì)掩模的選擇比無法維持在高的狀態(tài)且掩模
的刻蝕速率增大。僅使用CF4或SF6的刻蝕無法制作垂直圖案，不適用 于高縱橫比的圖案化。作為相關(guān)技術(shù)，日本專利申請(qǐng)公開No. 2002-110647公開了一種 用于制作半導(dǎo)體集成電路裝置的方法。在用于制作半導(dǎo)體集成電路裝 置的方法中，對(duì)沉積在半導(dǎo)體襯底上的氧化硅基絕緣膜執(zhí)行使用包含 碳氟化合物基氣體及氧氣的刻蝕氣體的等離子體刻蝕處理，從而選擇 性地刻蝕上述氧化硅基絕緣膜。在該操作中，第一和第二步驟依次執(zhí) 行。在上述第一步驟中，刻蝕處理是在下述條件下執(zhí)行的其中聚合 物層的沉積性能弱于上述第二步驟。在隨后第二步驟中，刻蝕處理是 在改變條件后執(zhí)行的其中聚合物層的沉積性能強(qiáng)于上迷第一步驟。 更具體而言，該方法的特征在于包括低沉積性能的第一步驟以及沉積 性能比第一步驟更低的隨后的第二步驟。在該方法中，在刻蝕氧化硅 期間無法避免形成掩模畸變，因此開口的畸變無法抑制。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，該方法能 夠超精細(xì)地形成深孔接觸而不產(chǎn)生開口畸變以及接觸孔內(nèi)的扭曲。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，該 方法能夠抑制在形成接觸孔時(shí)的成品率降低且制作具有高可靠性的半 導(dǎo)體裝置。下文中，將使用在"具體實(shí)施方式
"使用的數(shù)字和標(biāo)記來解釋解 決該問題的手段。這些數(shù)字和標(biāo)記加有括號(hào)，從而使得權(quán)利要求中的 描迷和用于實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系變得清楚。這些 數(shù)字和標(biāo)記不應(yīng)用于解釋權(quán)利要求所述的本發(fā)明的技術(shù)范圍。為了解決上述問題，本發(fā)明的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法包括步 驟(a)通過使用包含Xe氣體的第一刻蝕氣體的干法刻蝕，在包含氧 化硅的絕緣層(3)的上部?jī)?nèi)形成接觸孔(6),以及(b)通過使用不 包含Xe氣體的笫二刻蝕氣體的干法刻蝕，加深絕緣層(3)內(nèi)的接觸 孔(7 )。在本發(fā)明中，當(dāng)在包含氧化硅的層內(nèi)形成深孔接觸時(shí)，使用包含 Xe氣體的第一刻蝕氣體在步驟(a )執(zhí)行干法刻蝕。通過添加Xe氣體， 可以在掩模表面平滑的條件下執(zhí)行刻蝕，而不在用于形成接觸孔的掩 模表面上產(chǎn)生不規(guī)則性。由此，接觸孔開口的畸變可以得到抑制。接 著在步驟(b)，使用不包含Xe氣體的第二刻蝕氣體。通過不添加Xe 氣體，稱為扭曲的接觸孔彎折可以得到避免，即使形成更深接觸孔。 因此，通過改變刻蝕早期和后期的刻蝕氣體類型，可以抑制開口畸變 以及接觸孔內(nèi)的扭曲，并形成具有大縱橫比的接觸孔。在用于制作半導(dǎo)體裝置的上述方法中，優(yōu)選地該第一刻蝕氣體包 含通過使用Xe氣體或者Xe氣體和Ar氣體的混合氣體來稀釋刻蝕氣體 而得到的氣體。在本發(fā)明中，通過使用該氣體，刻蝕可以在研磨表面平滑的條件 下執(zhí)行，而不在用于形成接觸孔的掩模的表面上產(chǎn)生不規(guī)則性。在用于制作半導(dǎo)體裝置的上述方法中，優(yōu)選地該第二刻蝕氣體包 含通過使用Ar氣體來稀釋刻蝕氣體而得到的氣體。在本發(fā)明中，通過使用該氣體，即使在形成更深的接觸孔時(shí)，仍 可以避免稱為扭曲的接觸孔的彎折。在用于制作半導(dǎo)體裝置的上述方法中，優(yōu)選地該刻蝕氣體包含碳 氟化合物氣體和02氣體的混合氣體。在本發(fā)明中，碳氟化合物氣體的示例包括。Fs、 C5F8或。F6的每一 種、以及組合兩種以上這些氣體的混合氣體。在用于制作半導(dǎo)體裝置的上述方法中，優(yōu)選地步驟(a )和步驟(b ) 在同一干法刻蝕腔體中實(shí)施。在本發(fā)明中，通過在同一腔體中分兩個(gè)步驟執(zhí)行干法刻蝕可以抑 制刻蝕工藝時(shí)間的延長(zhǎng)。在用于制作半導(dǎo)體裝置的上述方法中，優(yōu)選地在該步驟(a)和步 驟(b )之間，該第一刻蝕氣體的成分連續(xù)變化到笫二刻蝕氣體的成分。在本發(fā)明中，通過連續(xù)地執(zhí)行該兩個(gè)步驟之間氣體成分的變化可 以平穩(wěn)地實(shí)施該刻蝕步驟之間的轉(zhuǎn)換。根據(jù)本發(fā)明，可以超精細(xì)地形成深接觸孔而不產(chǎn)生開口畸變以及 接觸孔內(nèi)的扭曲。因此，可以抑制在形成接觸孔時(shí)出現(xiàn)的成品率降低 并可以制作具有高可靠性的半導(dǎo)體裝置。


圖1為通過一種常規(guī)技術(shù)形成的具有大縱橫比的接觸孔的半導(dǎo)體 裝置的剖面視圖。圖2為通過另一種常規(guī)技術(shù)形成的具有大縱橫比的接觸孔的半導(dǎo)
體裝置的剖面視圖。圖3的剖面視圖示出了本發(fā)明用于制作半導(dǎo)體裝置的方法實(shí)施例 中一個(gè)步驟內(nèi)的半導(dǎo)體裝置。圖4的剖面視圖示出了本發(fā)明用于制作半導(dǎo)體裝置的方法實(shí)施例 中一個(gè)步驟內(nèi)的半導(dǎo)體裝置。圖5的剖面視圖示出了本發(fā)明用于制作半導(dǎo)體裝置的方法實(shí)施例 中一個(gè)步驟內(nèi)的半導(dǎo)體裝置。圖6的剖面視圖示出了本發(fā)明用于制作半導(dǎo)體裝置的方法實(shí)施例 中一個(gè)步驟內(nèi)的半導(dǎo)體裝置。
具體實(shí)施方式
下文中將參照附圖解釋本發(fā)明的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法的實(shí) 施例。圖3至6的剖面視圖示出了本發(fā)明用于制作半導(dǎo)體裝置的方法 實(shí)施例中各個(gè)步驟內(nèi)的半導(dǎo)體裝置。圖3所示工藝內(nèi)的半導(dǎo)體裝置具有層間絕緣膜1、接觸2和層間 絕緣膜3。在層間絕緣膜3上形成了掩模4和用于掩模圖案化的絕緣膜 5。更具體而言，在用于制作這種半導(dǎo)體裝置的方法中，圖3示出了實(shí) 施下述步驟之后的狀態(tài)形成層間絕緣膜l、在層間絕緣膜l內(nèi)形成接 觸2、形成層間絕緣膜3、以及形成掩模4和用于掩模圖案化的絕緣膜 5，從而在層間絕緣膜3內(nèi)形成接觸孔。這些步驟可以通過常規(guī)已知方 法來實(shí)施。接觸2掩埋在層間絕緣膜1內(nèi)。接觸2將襯底上層間絕緣膜1下 的半導(dǎo)體電路(未示出)連接到將形成于層間絕緣膜3內(nèi)的接觸(未 示出)。層間絕緣膜3提供成覆蓋層間絕緣膜1和接觸2的表面。掩模 4和用于掩模圖案化的絕緣膜5提供于層間絕緣膜3上。在掩模4和用 于掩模圖案化的絕緣膜5內(nèi)，形成了用于在層間絕緣膜3內(nèi)形成接觸 孔(6和7:如下所述)的圖案。將形成于接觸孔內(nèi)的接觸(未示出) 將接觸2連接到層間絕緣膜3上的布線層。典型地，層間絕緣膜1的厚度為700nm，接觸2的直徑為100nm， 層間絕緣膜3的厚度為3jLim，掩模4的厚度為800nm,掩模4的材料 為無定形碳，用于掩模圖案化的絕緣膜5的厚度為80nm，用于掩模圖 案化的絕緣膜5的材料為氧化硅和氮氧化硅的疊層，用于在圖案化掩 模4和用于掩模圖案化的絕緣膜5之后的接觸孔的孔直徑為150nm。也
就是說，接觸孔(6和7 )的直徑約為150nm。在圖3所示狀態(tài)下，用于將接觸2連接到作為層間絕緣膜3的上 層的布線層的接觸(下文中稱為"第一接觸，，(未示出))是必需的。 更具體而言，第一接觸穿過層間絕緣膜3。根據(jù)掩模4的形狀，第一接 觸需要僅連接到直接下方的接觸2，而不連接到另一個(gè)接觸2 (例如， 相鄰的接觸2)。此外，要求第一接觸不彼此接觸。對(duì)在圖3所示狀態(tài)下的半導(dǎo)體裝置實(shí)施第一干法刻蝕步驟。干法 刻蝕設(shè)備采用可以將RF功率施加到半導(dǎo)體晶片上的上接地電極和下電 極的雙頻RIE設(shè)備。這里，使用。F" 。F8、 0" Ar和Xe作為刻蝕氣 體。氣體流速例如為C4F6 = 5sccm， C4F8 = 20sccm， 02 = 16sccm， Ar = 110sccm， Xe = 110sccm。典型地，刻蝕壓力為30mTorr，施加到下電 極的雙頻RF功率分別為2000W和300W,刻蝕時(shí)間為2分鐘。在第一 干法刻蝕步驟完成之后，掩模4的形狀需要是平滑而無凸塊。第一干 法刻蝕步驟形成的接觸孔6的深度淺于產(chǎn)生扭曲的深度。產(chǎn)生扭曲的 深度為例如1.4jum以上。這里，由第一干法刻蝕步驟形成的接觸孔6 的深度約為1.2nm，該深度淺于產(chǎn)生扭曲的深度。圖4示出了在第一 干法刻蝕步驟之后半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)。在圖4中，由第一干法刻蝕步驟形成的接觸孔6形成于距離厚度 為3jnm的層間絕緣膜3的上表面約1.2pm的深度。在該深度不會(huì)產(chǎn) 生扭曲。盡管用于掩模圖案化的絕緣膜5被第一干法刻蝕步驟刻蝕， 但是由于使用了含Xe的氣體，掩模4的表面上未形成任何凸塊，由此 可以在掩模4的平滑表面的狀態(tài)下執(zhí)行刻蝕。因此，可以抑制接觸孔6 的開口畸變。對(duì)圖4所示狀態(tài)下的半導(dǎo)體裝置實(shí)施第二干法刻蝕步驟。第二干 法刻蝕步驟優(yōu)選地在同 一干法刻蝕設(shè)備的同 一腔體內(nèi)實(shí)施。通過在同 一腔體內(nèi)執(zhí)行這些干法刻蝕，可以抑制刻蝕工藝的時(shí)間延長(zhǎng)。這里， 使用。F" 。F8、 02和Ar作為刻蝕氣體。不使用Xe氣體。氣體流速例 如為C化=10sccm, C4F8 = 15sccm， 02 = 17sccm， Ar = 160sccm。典型 地，刻蝕壓力為30mTorr，施加到下電極的雙頻RF功率分別為2000W 和300W，刻蝕時(shí)間為4分鐘30秒。由此，在接觸孔6內(nèi)進(jìn)一步執(zhí)行干 法刻蝕以形成接觸孔7，該接觸孔7深于接觸孔6。接觸孔7穿透層間 絕緣膜3，到達(dá)接觸2的上表面。圖5示出了這種狀態(tài)。
在圖5中，凸塊形成于掩模4內(nèi)，這是因?yàn)橄♂寶怏w僅使用Ar氣 體。然而在本發(fā)明中，掩模4可以安全地維持直至完成笫二干法刻蝕 步驟，這是因?yàn)閮H使用Ar氣體作為稀釋氣體的時(shí)間(第二干法刻蝕步 驟的時(shí)間)短于常規(guī)情形。因此，即使凸塊形成于掩模4上，接觸孔7 開口的過多加寬可以得到防止。此外，扭曲的產(chǎn)生可得以防止，而與 接觸孔7的更大深度無關(guān)，這是因?yàn)閮HAr氣體作為稀釋氣體。此處優(yōu)選地該第一干法刻蝕步驟和第二干法刻蝕步驟連續(xù)地實(shí)施，在這些步 驟之間不插入不相關(guān)的其他步驟。由此，上述效果可以更加確定地獲得，且接觸孔的形狀可以制成平滑的形狀。在圖5所示狀態(tài)下的半導(dǎo)體裝置中，掩模4被除去。圖6示出了 這種狀態(tài)。在圖6所示狀態(tài)下，第一接觸(未示出)通過常規(guī)已知方 法形成于接觸孔7內(nèi)。通過這種工藝，在用于制作半導(dǎo)體裝置的工藝中可以在層間絕緣 膜3內(nèi)形成具有超精細(xì)直徑的深孔接觸，即使是在相互極端相鄰緊密 間隔布置的狀態(tài)下。也就是說，在第一刻蝕步驟中可以防止例如形成 凸塊的掩模4變形，在第二刻蝕步驟中可以抑制扭曲。由此，可以抑 制第一接觸之間的相互短路(接觸孔7的相互接觸)并獲得形成于接 觸孔7內(nèi)的第一接觸與接觸2的安全接觸。此處，超精細(xì)直徑約為200nm以下。深孔是指深度約為2pm以上 的孔。相互極端相鄰緊密間隔的狀態(tài)是指相互鄰接距離約為直徑(約 200mn以下)的情形。當(dāng)形成處于這種狀態(tài)下的接觸時(shí)，本發(fā)明特別地 可以實(shí)現(xiàn)該效果。第一和第二干法刻蝕步驟中使用的碳氟化合物氣體不僅可以是上 述實(shí)施例所述，還可以是。Fs、 CsFs和C4F6的單獨(dú)一種，以及組合兩種 以上這些氣體的混合氣體。此外還可以使用另外的碳氟化合物氣體。第一干法刻蝕步驟中使用的Xe氣體還可以是Xe氣體和Ar氣體的 混合氣體。由此可以降低成本。此外，可以使用針對(duì)該干法刻蝕通過 將上述氣體與惰性氣體進(jìn)一步混合而得到的氣體。再者，當(dāng)在第一和第二干法刻蝕步驟之間刻蝕氣體從(％F6、 CJ8、 02、 Ar和Xe改變到。F6、 (％F8、 (h和Ar時(shí)，可以按照下述方式實(shí)施。 也就是說，在改變階段通過連續(xù)地改變各種氣體的流速可以連續(xù)地改 變刻蝕氣體的成分。通過連續(xù)地執(zhí)行兩個(gè)步驟之間氣體成分的改變，
則可以平穩(wěn)地實(shí)施這些刻蝕步驟之間的過渡。即使僅Ar氣體或僅Xe氣體用于上述干法刻蝕步驟且僅執(zhí)行氣體 流速的改變，但是仍不可能同時(shí)實(shí)現(xiàn)抑制開口的不正常變形和抑制扭 曲。在本發(fā)明中，連續(xù)地執(zhí)行可以抑制掩模4變形的使用含Xe氣體的 第一刻蝕步驟以及可以抑制扭曲的第二刻蝕步驟。因此，可以抑制接 觸孔7開口的不正常變形以及由于該變形引起的第一接觸的相互接 觸，并獲得第一接觸與接觸2的安全接觸。
權(quán)利要求
1.一種用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，包括步驟(a)通過使用包含Xe氣體的第一刻蝕氣體的干法刻蝕，在包含氧化硅的絕緣層的上部?jī)?nèi)形成接觸孔，以及(b)通過使用不包含Xe氣體的第二刻蝕氣體的干法刻蝕，加深所述絕緣層內(nèi)的所述接觸孔。
2. 如權(quán)利要求l所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述笫一 刻蝕氣體包括通過使用Xe氣體或者Xe氣體及Ar氣體的混合氣體來稀釋 刻蝕氣體而得到的氣體。
3. 如權(quán)利要求l所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述第二 刻蝕氣體包括通過使用Ar氣體來稀釋刻蝕氣體而得到的氣體。
4. 如權(quán)利要求2所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述第二 刻蝕氣體包括通過使用Ar氣體來稀釋刻蝕氣體而得到的氣體。
5. 如權(quán)利要求2所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述刻蝕 氣體包括碳氟化合物氣體和02氣體的混合氣體。
6. 如權(quán)利要求3所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述刻蝕 氣體包括碳氟化合物氣體和02氣體的混合氣體。
7. 如權(quán)利要求4所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述刻蝕 氣體包括碳氟化合物氣體和02氣體的混合氣體。
8. 如權(quán)利要求l所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述步驟 (a)和步驟(b)是在同一干法刻蝕腔體內(nèi)實(shí)施的。
9. 如權(quán)利要求2所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述步驟 (a)和步驟(b)是在同一干法刻蝕腔體內(nèi)實(shí)施的。
10. 如權(quán)利要求3所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述步 驟(a)和步驟(b)是在同一干法刻蝕腔體內(nèi)實(shí)施的。
11. 如權(quán)利要求4所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述步 驟(a)和步驟(b)是在同一干法刻蝕腔體內(nèi)實(shí)施的。
12. 如權(quán)利要求5所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述步 驟(a)和步驟(b)是在同一干法刻蝕腔體內(nèi)實(shí)施的。
13. 如權(quán)利要求6所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述步 驟(a)和步驟(b)是在同一干法刻蝕腔體內(nèi)實(shí)施的。
14. 如權(quán)利要求7所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述步 驟(a)和步驟(b)是在同一干法刻蝕腔體內(nèi)實(shí)施的。
15. 如權(quán)利要求8所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述 步驟(a)和步驟(b)之間，所述第一刻蝕氣體的成分連續(xù)地改變到所 述第二刻蝕氣體的成分。
16. 如權(quán)利要求9所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述 步驟(a)和步驟(b)之間，所述第一刻蝕氣體的成分連續(xù)地改變到所 述第二刻蝕氣體的成分。
17. 如權(quán)利要求10所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述 步驟U)和步驟(b)之間，所述第一刻蝕氣體的成分連續(xù)地改變到所 述第二刻蝕氣體的成分。
18. 如權(quán)利要求ll所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述 步驟(a)和步驟(b)之間，所述第一刻蝕氣體的成分連續(xù)地改變到所 述第二刻蝕氣體的成分。
19. 如權(quán)利要求12所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述 步驟(a)和步驟(b)之間，所述第一刻蝕氣體的成分連續(xù)地改變到所 述第二刻蝕氣體的成分。
20. 如權(quán)利要求13所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述 步驟(a)和步驟(b)之間，所述第一刻蝕氣體的成分連續(xù)地改變到所 述第二刻蝕氣體的成分。
21. 如權(quán)利要求14所述的用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述 步驟U)和步驟(b)之間，所述第一刻蝕氣體的成分連續(xù)地改變到所 述第二刻蝕氣體的成分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，該方法超精細(xì)地形成深孔接觸而不產(chǎn)生開口畸變以及接觸孔內(nèi)的扭曲。用于制作半導(dǎo)體裝置的該方法包括步驟(a)通過使用包含Xe氣體的第一刻蝕氣體的干法刻蝕，在包含氧化硅的絕緣層3的上部?jī)?nèi)形成接觸孔6，以及(b)通過使用不包含Xe氣體的第二刻蝕氣體的干法刻蝕，加深絕緣層3內(nèi)的接觸孔7。優(yōu)選地該第一刻蝕氣體包含通過使用Xe氣體或者Xe氣體及Ar氣體的混合氣體來稀釋刻蝕氣體而得到的氣體。優(yōu)選地該第二刻蝕氣體包括通過使用Ar氣體來稀釋刻蝕氣體而得到的氣體。優(yōu)選地該刻蝕氣體包括碳氟化合物氣體和O₂氣體的混合氣體。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101131918SQ200710141728
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日
發(fā)明者池田武信 申請(qǐng)人:爾必達(dá)存儲(chǔ)器股份有限公司