專利名稱：影像感測(cè)元件封裝體及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及影像感測(cè)元件的封裝體，特別是一種具有溝槽絕緣層(trench isolation)的影像感測(cè)元件的封裝體及其制作方法。
背景技術(shù)：
光感測(cè)集成電路(sensor integrated circuit)在采集影像的光感測(cè)元件中 扮演著重要的角色，這些集成電路元件均已廣泛地應(yīng)用于例如數(shù)碼相機(jī) (digital camera)、數(shù)碼攝錄像機(jī)(digital video recorder))禾口手機(jī)(mobile phone)等消費(fèi)電子裝置和攜帶型電子裝置中。隨著上述各種電子裝置及攜帶 式電子裝置愈來(lái)愈普及與輕巧化，使得影像感測(cè)元件封裝體的尺寸也愈來(lái)愈 縮小化。
圖1顯示一種現(xiàn)有技術(shù)的影像感測(cè)元件封裝體1的剖面圖。在圖1中示 出，提供襯底2，且此襯底2上方形成有影像感測(cè)元件4以及延伸的接合焊 盤6。接著，在上述襯底2的上方設(shè)置蓋板8。又如圖1所示，將上述襯底2 貼附于承載板14上。之后，在承載板14的背面上方形成導(dǎo)電層10，且使得 導(dǎo)電層10延伸于承載板14的側(cè)壁上方，以電性連接上述延伸接合焊盤6與 焊料球體12。由于上述襯底2及承載板14均具有既定厚度，因此影像感測(cè) 元件封裝體具有較大的厚度及尺寸。此外，在現(xiàn)有技術(shù)的影像感測(cè)元件封裝 體中，由于導(dǎo)電層10設(shè)置于靠近影像感測(cè)元件封裝體的外部區(qū)域，因此導(dǎo)電 層10在制作過(guò)程中，例如在切割步驟中很容易遭受損傷，從而導(dǎo)致影像感測(cè) 元件封裝體失效。
因此，亟需一種可解決上述問(wèn)題的影像感測(cè)元件封裝體及其制作方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的第一目的是提供一種影像感測(cè)元件封裝體。上述影 像感測(cè)元件封裝體包含上方形成有影像感測(cè)元件及金屬層的襯底。且在此襯
底中形成有電性連接上述金屬層的導(dǎo)通孔。此外，在對(duì)應(yīng)上述金屬層下方的 襯底之中形成溝槽絕緣層，且溝槽絕緣層圍繞上述導(dǎo)通孔。在上述襯底的背 面上形成焊料球體，且焊料球體電性連接影像感測(cè)元件。上述影像感測(cè)元件 還包含蓋板，其設(shè)置于上述襯底的上方。
本發(fā)明的第二目的是提供一種影像感測(cè)元件封裝體。此影像感測(cè)元件封 裝體包含上方形成有影像感測(cè)元件的襯底，且上述影像感測(cè)元件電性連接金 屬層。多個(gè)溝槽絕緣層形成于該襯底之中。而且，上述各溝槽絕緣層圍繞一 部分的襯底，以形成隔離區(qū)域。導(dǎo)通孔形成于上述隔離區(qū)域內(nèi)的襯底之中， 且電性連接金屬層。上述影像感測(cè)元件封裝體還包含焊料球體，且經(jīng)由導(dǎo)通 孔電性連接影像感測(cè)元件。另外，上述影像感測(cè)元件封裝體還包含蓋板，其 接合于襯底上。在上述影像感測(cè)元件封裝體中，由于焊料球體可經(jīng)由形成于 隔離區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)通孔而電性連接影像感測(cè)元件，使得影像感測(cè)元件的信號(hào)可 經(jīng)由金屬層及導(dǎo)通孔傳導(dǎo)至外部，因而不需繞過(guò)形成影像感測(cè)元件的襯底的 外側(cè)。因此，可縮短影像感測(cè)元件的信號(hào)傳導(dǎo)路徑。
本發(fā)明還提供一種影像感測(cè)元件封裝體，該影像感測(cè)元件封裝體包含 襯底，其上方形成有影像感測(cè)元件；金屬層，形成于該襯底上，且電性連接 至該影像感測(cè)元件；多個(gè)溝槽絕緣層，形成于該襯底之中；多個(gè)隔離區(qū)域， 位于該襯底之中，其中各所述溝槽絕層圍繞各所述隔離區(qū)域；導(dǎo)通孔，形成 于各該隔離區(qū)域內(nèi)的該襯底之中，且該導(dǎo)通孔電性連接至該金屬層；以及焊 料球體，設(shè)置于該襯底的背面上，且經(jīng)由該導(dǎo)通孔電性連接該影像感測(cè)元件。
上述影像感測(cè)元件封裝體中，該襯底的厚度可小于150微米。
上述影像感測(cè)元件封裝體中，各所述隔離區(qū)域可位于對(duì)應(yīng)該金屬層下方 的襯底之中。
上述影像感測(cè)元件封裝體中，所述隔離區(qū)域的外形可呈圓形或矩形。 上述影像感測(cè)元件封裝體還可包含支撐部，形成于該蓋板與該襯底之間。
上述影像感測(cè)元件封裝體還可包含導(dǎo)電層，形成于該襯底的背面，且 電性連接該導(dǎo)通孔與該焊料球體；以及阻焊膜，形成于該導(dǎo)電層上。
本發(fā)明的第三目的是提供一種影像感測(cè)元件封裝體的制作方法。上述影 像感測(cè)元件封裝體的制作方法包括提供上方形成有影像感測(cè)元件及金屬層的
襯底。接著，將蓋板接合于襯底上。之后，從襯底的背面薄化該襯底。在該 襯底之中形成溝槽絕緣層，且使得此溝槽絕緣層圍繞一部分的襯底，以形成 隔離區(qū)域。接著，在該隔離區(qū)域內(nèi)的襯底之中形成導(dǎo)通孔，且該導(dǎo)通孔電性 連接該金屬層。之后，在該襯底的背面上形成焊料球體，且該焊料球體電性 連接上述影像感測(cè)元件。在上述影像感測(cè)元件封裝體的制作方法中，由于上 述襯底經(jīng)過(guò)薄化步驟處理，所以可減少后續(xù)形成的影像感測(cè)元件封裝體的整 體厚度。因此，也可以縮小影像感測(cè)元件封裝體的尺寸。
上述影像感測(cè)元件封裝體的制作方法中，接合該蓋板還可包括在該蓋 板上形成支撐部；以及在該支撐部上涂布粘合劑，且將該蓋板接合于該襯底 上。
上述影像感測(cè)元件封裝體的制作方法中，形成該溝槽絕緣層可包括在 該襯底之中形成溝槽；在該溝槽之中填充絕緣材料，以形成該溝槽絕緣層。
上述影像感測(cè)元件封裝體的制作方法中，形成該溝槽可以是用激光鉆孔 或干式蝕刻的方式完成的。
上述影像感測(cè)元件封裝體的制作方法中，形成該導(dǎo)通孔的方式可包括 在該隔離區(qū)域之中形成孔洞；以及在該襯底的背面上形成導(dǎo)電層，且該導(dǎo)電
層延伸至該孔洞之中，以形成該導(dǎo)通孔。


接下來(lái)，將配合附圖進(jìn)行說(shuō)明，以便進(jìn)一步了解本發(fā)明的具體實(shí)施方式
及優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1顯示一種現(xiàn)有技術(shù)的影像感測(cè)元件封裝體的剖面圖； 圖2-圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制作一種影像感測(cè)元件封裝體的示 意圖；以及
圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制作一種影像感測(cè)元件封裝體的流程圖。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下 相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)元件符號(hào)
2 襯底；4 影像感測(cè)元件；6 延伸接合焊盤；8~蓋板；10 導(dǎo)電層；12~ 焊料球體。實(shí)施例元件符號(hào)
102~襯底；104 影像感測(cè)元件；106 金屬層；108~蓋板；110 支撐部； 112 粘合劑；U4 間隙；116~溝槽；118~溝槽；119 隔離區(qū)域；120 絕緣層； 122 溝槽絕緣層；124~孔洞；126 導(dǎo)電層；128~導(dǎo)通孔；130-影像感測(cè)元件 區(qū)域；132 阻焊膜；134 焊料球體；150 影像感測(cè)元件封裝體。
具體實(shí)施例方式
接下來(lái)通過(guò)實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，在附圖或描述中，相似 或相同部分使用相同的符號(hào)。在附圖中，可能會(huì)擴(kuò)大實(shí)施例的形狀或厚度， 以簡(jiǎn)化或方便標(biāo)示。附圖中元件的部分將以描述說(shuō)明?？闪私獾氖?，圖中未 示或文字未描述的元件，可以具有各種本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的形式。
圖2-圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制作一種影像感測(cè)元件封裝體的示 意圖。雖然本發(fā)明以制作影像感測(cè)元件的具體實(shí)施例作為說(shuō)明?？梢粤私獾?是，本發(fā)明的概念當(dāng)然也可以應(yīng)用于其它半導(dǎo)體元件的制作。圖8是顯示根 據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的制作流程圖。
在圖2中，提供例如硅材質(zhì)的襯底102，且在上述襯底102上方形成有 影像感測(cè)元件(image sensor) 104及金屬層106。在一實(shí)施例中，利用例如 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal-oxide semiconductor; CMOS) 工藝，形成上述影像感測(cè)元件104。接著，利用金屬化工藝(metallization process)，在上述襯底102上方形成上述金屬層106，且金屬層106電性連 接影像感測(cè)元件104。
上述影像感測(cè)元件104可以是金屬氧化物半導(dǎo)體元件或電荷耦合元件 (charge-coupled device; CCD)。且上述金屬層106可以是銅(copper; Cu)、 鋁(aluminum; Al)或鉤(tungsten; W)。
值得注意的是，雖然圖中僅以單層表示金屬層106。但可以了解，上述 金屬層106可以代表內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(interconnection structure)，其包含中間夾 置介電層的多層金屬層，且各金屬層之間以金屬插塞電性連接。在上述內(nèi)連 線結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，最底層的金屬層可以直接形成于襯底上，而最頂層的金 屬層可以堆疊于最底層的金屬層上方，且電性連接影像感測(cè)元件。
如圖3所示，在上述襯底102上設(shè)置蓋板108。在一實(shí)施例中，在上述 蓋板108上形成例如環(huán)氧樹脂(epoxy)、聚酰亞胺樹脂(polyimide; PI)、 光致抗蝕劑(photoresist)材料的支撐部110。接著，在上述支撐部110上涂 布例如含有環(huán)氧樹脂的粘合劑112后，將此蓋板108接合于上述襯底102的 上方，以在蓋板108與襯底102之間形成間隙114。上述蓋板108較佳可以 是玻璃、石英(quartz)或其它合適材質(zhì)的透明基板。此外，上述蓋板108 也可以是例如聚酯類(polyester)的高分子材料。
在另一實(shí)施例中(圖中未示)，也可以將支撐部110形成于襯底102上， 接著，在支撐部110的上方涂布粘合劑112。之后，在支撐部110上方設(shè)置 上述蓋板108，以將蓋板108接合于襯底102上。
在完成上述接合步驟后，接著，薄化上述襯底102。在一實(shí)施例中，利 用例如化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing)法的方式，對(duì)此襯底 102的背面進(jìn)行研磨步驟，以將襯底102薄化至合適的厚度。在薄化步驟后， 襯底102的厚度較佳可以是小于150微米(pm)。在完成上述薄化步驟之后， 接著，對(duì)襯底102的背面進(jìn)行刻痕(notching)步驟，以在襯底102之中形成 溝槽116，如圖4所示。
在圖4中，接著，在上述襯底102之中形成溝槽絕緣層(trench isolation) 122。在一實(shí)施例中，經(jīng)由干式蝕刻(dry-etching)步驟，蝕刻襯底102的背 面，以在此襯底102之中形成溝槽118，且溝槽118圍繞一部分的襯底102。 接著，在襯底102的背面上沉積例如氧化硅(silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、氮氧化硅(silicon oxynitride)或其它合適的絕緣材料的絕緣層120， 且此絕緣層120還延伸至溝槽U8之中，以形成溝槽絕緣層122，及由溝槽 絕緣層122所圍繞的隔離區(qū)域(isolation region) 119?？梢粤私獾氖牵谶M(jìn) 行上述干式蝕刻步驟前，可以先在襯底102的背面上形成圖案化光致抗蝕劑 (圖中未示)，以遮蔽部分襯底102，并暴露出要除去的部分襯底102。
在另一實(shí)施例中，也可以利用激光鉆孔(laser drill)的方式，在形成溝 槽118之后，接著，再在溝槽118之中形成絕緣層120，以在襯底102之中 形成上述溝槽絕緣層122及隔離區(qū)域119。值得注意的是，上述溝槽絕緣層 122所圍繞的隔離區(qū)域119位于對(duì)應(yīng)金屬層106下方的襯底102。
在圖5中，接著，在上述隔離區(qū)域119內(nèi)的襯底102之中形成導(dǎo)通孔(via
hole) 128。在一實(shí)施例中，首先，除去部分覆蓋隔離區(qū)域119內(nèi)的絕緣層120， 以暴露隔離區(qū)域199內(nèi)的襯底102的表面。接著，利用例如干式蝕刻、激光 鉆孔或其它合適的方式，在隔離區(qū)域119內(nèi)的襯底102之中形成孔洞124。 之后，在上述襯底102的背面上形成導(dǎo)電層126，且此導(dǎo)電層126還延伸至 上述孔洞124之中，以形成與金屬層106電性連接的導(dǎo)通孔128。值得注意 的是，上述溝槽絕緣層122圍繞此導(dǎo)通孔128，以隔離此導(dǎo)通孔128。
在一實(shí)施例中，形成上述導(dǎo)電層126的方式可以是利用例如是濺鍍 (sputtering)、蒸f度(evaporating)、電f度(electroplating)或"f七學(xué)f度(electroless plating)的方式，在襯底102的背面上順應(yīng)性地形成例如鋁、銅或鎳(nickel) 的導(dǎo)電材料層(圖中未示)，且此導(dǎo)電材料層還延伸至孔洞124之中，以電 性連接金屬層106。接著，使用光刻及蝕刻(photolithography/etching)工藝， 將上述導(dǎo)電材料層圖案化，以形成上述導(dǎo)電層126及導(dǎo)通孔128。值得注意 的是，經(jīng)由上述圖案化導(dǎo)電材料層的步驟，可重新布局(redistributed process) 后續(xù)形成的影像感測(cè)元件封裝體的信號(hào)傳導(dǎo)路線。
圖6是顯示圖5中的影像感測(cè)元件封裝體的襯底背面的正視圖。在圖6 中，省略部分在圖5中己完成的元件，以清楚簡(jiǎn)潔地進(jìn)行說(shuō)明。如圖6所示， 溝槽116將襯底102劃分為多個(gè)晶粒。在每一晶粒內(nèi)包含有形成影像感測(cè)元 件104 (如圖5所示)的影像感測(cè)元件區(qū)域130，如圖6的虛線所示。此外， 在上述影像感測(cè)元件區(qū)域130外圍的區(qū)域形成有溝槽絕緣層122、隔離區(qū)域 119及導(dǎo)通孔128。在圖6中，溝槽絕緣層122圍繞上述隔離區(qū)域119，且上 述導(dǎo)通孔128形成于隔離區(qū)域119內(nèi)的襯底102之中。也就是說(shuō)，溝槽絕緣 層122不但圍繞隔離區(qū)域119，同時(shí)也圍繞導(dǎo)通孔128。
值得注意的是，在圖6中，雖然僅顯示少數(shù)個(gè)溝槽絕緣層122及導(dǎo)通孔 128，可以了解的是，溝槽絕緣層122及導(dǎo)通孔128圍繞上述影像感測(cè)元件區(qū) 域130。另夕卜，在圖6中，溝槽絕緣層122所圍繞的隔離區(qū)域119的外形呈 矩形，然而，溝槽絕緣層122所圍繞的隔離區(qū)域119的外形也可以是圓形。 也就是說(shuō)，溝槽絕緣層122與導(dǎo)通孔128呈同心圓。
在圖7中，接著，在襯底102的背面上涂布覆蓋部分導(dǎo)電層126的阻焊 膜132，且圖案化此阻焊膜132，以暴露部分導(dǎo)電層126。之后，在導(dǎo)電層126 形成焊料球體134，且焊料球體134經(jīng)由導(dǎo)通孔128電性連接金屬層106。在一實(shí)施例中，在形成阻焊膜132后，在暴露的導(dǎo)電層126上涂布焊料。接著， 進(jìn)行回焊(reflow)步驟，以形成上述焊料球體134。在完成上述步驟后，利 用切割刀片(cutter)沿著個(gè)別晶粒的預(yù)切割線切割出個(gè)別晶粒，以完成影像 感測(cè)元件封裝體150的制作。在另一實(shí)施例中，也可以經(jīng)由干式蝕刻的方式 切割個(gè)別晶粒，以完成影像感測(cè)元件封裝體的制作。
圖7顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的影像感測(cè)元件封裝體150的剖面圖。在圖 7中，提供上方形成有影像感測(cè)元件104及金屬層106的襯底102。在此襯底 102之中，形成有溝槽絕緣層122，且此溝槽絕緣層122圍繞部分的襯底102， 以形成隔離區(qū)域119。如圖7所示，導(dǎo)通孔128形成于上述隔離區(qū)域119之 中，且將金屬層106及后續(xù)形成的焊料球體134電性連接。之后，在襯底102 的上方設(shè)置蓋板108。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的影像感測(cè)元件封裝體，由于導(dǎo)電層電性連接形成于 隔離區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)通孔。使得影像感測(cè)元件的信號(hào)可經(jīng)由金屬層、導(dǎo)通孔及導(dǎo) 電層傳導(dǎo)至外部，而不需繞過(guò)形成影像感測(cè)元件的襯底的外側(cè)。因此，可縮 短影像感測(cè)元件的信號(hào)傳導(dǎo)路徑。另外，由于信號(hào)傳導(dǎo)路徑不需形成于影像 感測(cè)元件封裝體的外側(cè)，因此，也可降低導(dǎo)電層在制作過(guò)程中損傷的問(wèn)題。
圖8顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制作影像感測(cè)元件封裝體的流程圖。在圖 8中，首先，提供上方形成有影像感測(cè)元件及金屬層的襯底，如步驟S5;接 著，將蓋板接合于上述襯底上，如步驟S10;之后，薄化上述襯底，如步驟 S15;接著，在襯底之中形成溝槽絕緣層，且此溝槽絕緣層圍繞部分襯底， 以形成隔離區(qū)域，如步驟S20;然后，在上述隔離區(qū)域內(nèi)的襯底之中形成導(dǎo)
通孔，如步驟S25;之后，在上述襯底的背面上形成焊料球體，且經(jīng)由上述 導(dǎo)通孔電性連接影像感測(cè)元件，如步驟S30;最后，進(jìn)行切割步驟，以完成
影像感測(cè)元件封裝體，如步驟S35。
值得注意的是，由于上述襯底經(jīng)過(guò)薄化步驟處理，所以可減少后續(xù)形成 的影像感測(cè)元件封裝體的整體厚度。因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制作的影像 感測(cè)元件封裝體具有相對(duì)較小的尺寸。此外，由于不需貼附芯片至承載板的 工藝，以及現(xiàn)有技術(shù)預(yù)先分離芯片的蝕刻步驟，因此，也可以簡(jiǎn)化影像感測(cè) 元件封裝體的制作流程。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例公開如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任
何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)可作一定的改動(dòng)與修 改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種影像感測(cè)元件封裝體，包含襯底，其上方形成有影像感測(cè)元件；金屬層，形成于該襯底上，且電性連接至該影像感測(cè)元件；多個(gè)溝槽絕緣層，形成于該襯底之中；多個(gè)隔離區(qū)域，位于該襯底之中，其中各所述溝槽絕層圍繞各所述隔離區(qū)域；導(dǎo)通孔，形成于各該隔離區(qū)域內(nèi)的該襯底之中，且該導(dǎo)通孔電性連接至該金屬層；以及焊料球體，設(shè)置于該襯底的背面上，且經(jīng)由該導(dǎo)通孔電性連接該影像感測(cè)元件。
2. 如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)元件封裝體，其中該襯底的厚度小于 150微米。
3. 如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)元件封裝體，其中各所述隔離區(qū)域位于 對(duì)應(yīng)該金屬層下方的襯底之中。
4. 如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)元件封裝體，其中所述隔離區(qū)域的外形 包含圓形或矩形。
5. 如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)元件封裝體，還包含支撐部，形成于 該蓋板與該襯底之間。
6. 如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)元件封裝體，還包含導(dǎo)電層，形成于該襯底的背面，且電性連接該導(dǎo)通孔與該焊料球體；以及阻焊膜，形成于該導(dǎo)電層上。
7. —種影像感測(cè)元件封裝體的制作方法，包括 提供上方形成有影像感測(cè)元件及金屬層的襯底； 接合蓋板于該襯底上；薄化該襯底；在該襯底之中形成溝槽絕緣層，且該溝槽絕緣層圍繞一部分的該襯底， 以形成隔離區(qū)域； 在該隔離區(qū)域內(nèi)的該襯底之中形成導(dǎo)通孔，且該導(dǎo)通孔電性連接該金屬層；在該襯底的背面上形成焊料球體，且該焊料球體電性連接該影像感測(cè)元件。
8. 如權(quán)利要求7所述的影像感測(cè)元件封裝體的制作方法，其中接合該蓋 板還包括在該蓋板上形成支撐部；以及在該支撐部上涂布粘合劑，且將該蓋板接合于該襯底上。
9. 如權(quán)利要求7所述的影像感測(cè)元件封裝體的制作方法，其中形成該溝 槽絕緣層包括在該襯底之中形成溝槽；在該溝槽之中填充絕緣材料，以形成該溝槽絕緣層。
10. 如權(quán)利要求9所述的影像感測(cè)元件封裝體的制作方法，其中形成該 溝槽是以激光鉆孔或干式蝕刻的方式完成的。
11. 如權(quán)利要求7所述的影像感測(cè)元件封裝體的制作方法，其中形成該 導(dǎo)通孔的方式包括在該隔離區(qū)域之中形成孔洞；以及在該襯底的背面上形成導(dǎo)電層，且該導(dǎo)電層延伸至該孔洞之中，以形成 該導(dǎo)通孔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種影像感測(cè)元件封裝體及其制作方法。上述影像感測(cè)元件封裝體包含上方形成有電性連接金屬層的影像感測(cè)元件的襯底；形成于該襯底中、且圍繞部分襯底的多個(gè)溝槽絕緣層；形成于隔離區(qū)域內(nèi)的襯底中且電性連接金屬層的導(dǎo)通孔；以及經(jīng)由導(dǎo)通孔電性連接影像感測(cè)元件的焊料球體。在上述影像感測(cè)元件封裝體中，由于焊料球體可經(jīng)由形成于隔離區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)通孔電性連接影像感測(cè)元件，所以影像感測(cè)元件的信號(hào)可經(jīng)由金屬層及導(dǎo)通孔傳導(dǎo)至外部，不需繞過(guò)形成影像感測(cè)元件的襯底的外側(cè)。因此，可縮短影像感測(cè)元件的信號(hào)傳導(dǎo)路徑。此外，襯底經(jīng)薄化步驟處理，所以可降低襯底的厚度。因此，也可縮小影像感測(cè)元件封裝體的尺寸。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101369591SQ20071014165
公開日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日
發(fā)明者錢文正, 黃旺根 申請(qǐng)人:精材科技股份有限公司