1.一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，包括自下而上依次的襯底、電子傳輸層、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層和金屬電極，其中，
所述的襯底用于收集電子傳輸層的電子；
所述的電子傳輸層用于傳輸所述鈣鈦礦吸收層的電子到襯底；
所述的鈣鈦礦吸收層用于吸收太陽(yáng)光能量產(chǎn)生電子-空穴對(duì)；
所述的空穴傳輸層用于傳輸所述鈣鈦礦吸收層的空穴到金屬電極；
所述的金屬電極用于接收來(lái)自空穴傳輸層的空穴，并與來(lái)自襯底的電子復(fù)合，形成回路；
其特征在于：所述的電子傳輸層的材料是氧化錫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的電子傳輸層厚度為20nm至100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的襯底為導(dǎo)電玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的鈣鈦礦吸收層材料是(FAPbI3)x(MAPbBr3)1-x。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的鈣鈦礦吸收層的厚度是300nm至900nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的空穴傳輸層材料是Spiro-OMeTAD(2，2′，7，7′-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9′-螺二芴)或PTAA(聚[雙(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺])。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的空穴傳輸層厚度為150nm至250nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的金屬電極厚度為60nm至120nm。
9.一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：
S1、在襯底上制備電子傳輸層；
S2、在電子傳輸層上依次制備鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層、金屬電極；
其特征在于，所述的電子傳輸層的材料為氧化錫。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述的S1包括：采用氧化錫納米顆粒溶液，通過(guò)旋涂-退火的工藝在襯底上制備所述電子傳輸層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述的退火工藝在低溫狀態(tài)下進(jìn)行。