技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種單行載流子探測器及其制作方法，包括：I、利用分子束外延(MBE)設(shè)備在SI?InP襯底上生長NIN?IP(N是N型摻雜，I是本證摻雜，P是P型摻雜)雙吸收區(qū)紅外探測器外延層，采用GaSbAs擴散吸收區(qū)和漸變摻雜吸收區(qū)，AlGaSbAs作為阻擋層，形成單行載流子器件；II、利用半開關(guān)管Zn擴散的方法使U?GaSbAs材料實現(xiàn)反型，從而形成P型擴散吸收層。III、在三臺面制備時，引入溴水/氫溴酸和磷酸體系，選擇型腐蝕和非選擇性腐蝕混合使用，形成了正梯形側(cè)壁表面，避免了側(cè)向腐蝕。IV、在鈍化過程中，采用BCB進(jìn)行鈍化，金屬/RTP/BCB/SIN的方法，避免了退火對BCB鈍化效果的影響。

技術(shù)研發(fā)人員：譚明;陸書龍;代盼;吳淵淵;史后明;章勝;徐作棟;張恒;楊文獻(xiàn);王夢雪;袁正兵;肖夢;徐超;黃寓洋;任雪勇
受保護的技術(shù)使用者：蘇州蘇納光電有限公司
文檔號碼：201611081535
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.03.15