技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，該薄膜晶體管包括Cu布線層，所述Cu布線層包括柵電極和/或源漏電極，所述Cu布線層的至少一表面設置有Cu阻擋層，所述Cu阻擋層采用金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物中的任意一種或多種形成。本發(fā)明實施例中，在Cu布線層上表面和/或下表面設置Cu阻擋層，以防止Cu布線層的Cu向上和/或向下擴散。且，采用Cu阻擋層采用的材料具有導電性能，不影響Cu布線層的正常工作，另外，該些類型的材料接觸附著力較好，能夠增加Cu布線層與其他膜層之間的附著力。

技術(shù)研發(fā)人員：李正亮;李禹奉;寧策;孫雪菲
受保護的技術(shù)使用者：京東方科技集團股份有限公司
文檔號碼：201611071426
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.29
技術(shù)公布日：2017.05.31