本發(fā)明涉及一種載流子增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

目前，集成電路一直在往頻率更高，功率更低的方向發(fā)展。MOS集成電路主要用于高速計(jì)算和存儲(chǔ)等領(lǐng)域。

PMOS的載流子的遷移率要遠(yuǎn)低于NMOS，會(huì)影響器件在高頻下性能。應(yīng)力應(yīng)變會(huì)增強(qiáng)PMOSFET遷移率，因此，也可以減短信號(hào)傳輸?shù)难舆t時(shí)間和降低開(kāi)關(guān)能量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種載流子增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種載流子增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)，包括一具有第一摻雜型的襯底，及在襯底內(nèi)形成的具有第二摻雜型的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)及所述漏區(qū)之間開(kāi)設(shè)有溝槽，所述溝槽內(nèi)設(shè)置有負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層，所述負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層與所述溝槽內(nèi)壁貼合。

優(yōu)選地，所述負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層上設(shè)置有固化層。

優(yōu)選地，所述固化層蒸鍍于所述負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層上。

優(yōu)選地，所述第一摻雜型為p型，所述的第二摻雜型為n型。

優(yōu)選地，所述第一摻雜型為n型，所述的第二摻雜型為p型。

優(yōu)選地，所述溝槽至少為一個(gè)。

優(yōu)選地，所述負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層為鉬酸釔應(yīng)力增強(qiáng)層或鉬酸鉺應(yīng)力增強(qiáng)層。

本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在：該結(jié)構(gòu)不僅可以做到隔離溝槽的作用，而且還可以為MOS提供應(yīng)力，負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層在低溫下，可以膨脹激發(fā)電子遷移活力，從而增強(qiáng)MOS的遷移率。

附圖說(shuō)明

圖1：本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖具體闡述下本發(fā)明的具體方案，本發(fā)明揭示了一種載流子增強(qiáng)型MOS結(jié)構(gòu)，結(jié)合圖1所示，包括一具有第一摻雜型的襯底1，及在襯底內(nèi)形成的具有第二摻雜型的源區(qū)2和漏區(qū)3。所述第一摻雜型為p型，所述的第二摻雜型為n型?；蛘咚龅谝粨诫s型為n型，所述的第二摻雜型為p型。

與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，所述源區(qū)及所述漏區(qū)之間開(kāi)設(shè)有溝槽，所述溝槽截面呈V形，所述溝槽至少為一個(gè)。所述溝槽內(nèi)設(shè)置有負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層4，所述負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層4與所述溝槽內(nèi)壁貼合。

所述負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層上蒸鍍有固化層5。具體的，當(dāng)負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層4在高的寬深比的溝槽內(nèi)時(shí)，經(jīng)過(guò)烘干，高溫處理，形成內(nèi)部負(fù)膨脹材料的結(jié)構(gòu)。將wafer表面拋光，去除多余的負(fù)膨脹材料，蒸鍍二氧化硅固化負(fù)膨脹材料，最后拋光或者光刻去除多余的二氧化硅固化層。

這樣，溝槽內(nèi)部即填充負(fù)膨脹材料，并且有二氧化硅絕緣層固化在溝槽內(nèi)部。

所述負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層的負(fù)膨脹材料可以采用鉬酸鹽，鉬酸鹽具有熒光性能，在檢測(cè)的過(guò)程中，可以使用熒光性能來(lái)表征電容材料的失效，例如材料變性，質(zhì)量偏差。材料變性導(dǎo)致熒光性能變化，質(zhì)量偏差將導(dǎo)致熒光發(fā)射強(qiáng)度變化等，以此提高器件檢測(cè)能力。

本發(fā)明能更好的應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，在溝槽的兩側(cè)分別制作電容，字線和位線，即可完成DRAM的制作。由于DRAM的制作與現(xiàn)有技術(shù)相同，同時(shí)，也不是本發(fā)明的技術(shù)重點(diǎn)，故在此不再贅述。

本發(fā)明的原理是，由于器件在低溫下，電容材料膨脹，基質(zhì)的收縮，將導(dǎo)致負(fù)膨脹應(yīng)力增強(qiáng)層內(nèi)部出現(xiàn)較大的壓應(yīng)力。由于這種電容設(shè)置在MOS旁邊，因此，這個(gè)應(yīng)力會(huì)傳到MOS材料中。PMOS的載流子遷移率因此得到增強(qiáng)。

本發(fā)明尚有多種具體的實(shí)施方式。凡采用等同替換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本發(fā)明要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。