本發(fā)明涉及顯示裝置及顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

以往的，已知顯示裝置具有通過構(gòu)成圖像的多個(gè)單位像素來分別控制亮度從而發(fā)光的發(fā)光元件層、和覆蓋發(fā)光元件層的封固層。封固層是為了抑制水分從外部侵入裝置內(nèi)部、且該水分到達(dá)發(fā)光元件層而設(shè)置的。作為封固層，例如如日本特開2004-079291號(hào)公報(bào)所公開的，已知下述封固層，該封固層具有無機(jī)層、設(shè)置于該無機(jī)層上的有機(jī)層(樹脂層)、和設(shè)置于該有機(jī)層上的無機(jī)層的3層結(jié)構(gòu)。

近年來，出現(xiàn)顯示裝置的柔性化的要求，在要確保顯示裝置針對(duì)彎折的耐性方面成為問題。如專利文獻(xiàn)1所公開的，在使用含有由氮化硅等形成的無機(jī)層的封固層的情況下，在彎折顯示裝置時(shí)，有可能出現(xiàn)無機(jī)層開裂。因此，為了確保針對(duì)彎折的耐性，可以考慮將無機(jī)層的厚度變薄。然而，若將封固層所包含的無機(jī)層的厚度變薄的話，可能不能發(fā)揮抑制水分向裝置內(nèi)部的侵入這一封固層的本來作用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供確保針對(duì)彎折的耐性的同時(shí)、抑制水分向裝置內(nèi)部侵入的顯示裝置及其制造方法。

用于解決問題的手段

對(duì)于本發(fā)明的一實(shí)施方式的顯示裝置，其特征在于，具有發(fā)光元件層，和設(shè)置于所述發(fā)光元件層上、包含多個(gè)層的封固層；所述多個(gè)層至少具有設(shè)置于所述發(fā)光元件層上的第1無機(jī)層、設(shè)置于所述第1無機(jī)層上的有機(jī)層、和設(shè)置于所述有機(jī)層上的第2無機(jī)層，所述第2無機(jī)層在厚度方向的密度沿厚度方向變化。

對(duì)于本發(fā)明的其他實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：準(zhǔn)備基板的工序，和在所述基板上形成發(fā)光元件層的工序，在所述發(fā)光元件層上形成包含多個(gè)層的封固層的工序；所述形成包含多個(gè)層的封固層的工序包含下述工序：在所述發(fā)光元件層上形成第1無機(jī)層的工序，在所述第1無機(jī)層上形成有機(jī)層的工序，和在所述多個(gè)層的最上層形成在厚度方向的密度沿厚度方向變化的第2無機(jī)層的工序。

附圖說明

圖1為第1～第4實(shí)施方式涉及的顯示裝置的外觀立體圖。

圖2為示意性地表示第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖視圖。

圖3為表示在各單位像素形成的電路的電路圖。

圖4為說明關(guān)于第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置的制造方法的流程圖(flowchart)。

圖5為示意性地表示第2實(shí)施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖視圖。

圖6為示意性地表示第3實(shí)施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖視圖。

圖7為示意性地表示第4實(shí)施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，一邊參照附圖，一邊進(jìn)行說明。

另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，對(duì)于在某結(jié)構(gòu)體之“上”配置其他結(jié)構(gòu)體的方式的表述，當(dāng)簡(jiǎn)單地表述為“上”時(shí)，除非另有說明，否則包括下述兩者：以與某結(jié)構(gòu)體相接觸的方式在其正上方直接配置其他結(jié)構(gòu)體的情況，和在某結(jié)構(gòu)體的上方隔著又一結(jié)構(gòu)體而配置其他結(jié)構(gòu)體的情況。

首先，參照?qǐng)D1、圖2，針對(duì)第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的概要進(jìn)行說明。圖1為第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置的外觀立體圖。圖2為示意性地表示第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖視圖。第1實(shí)施方式中，作為顯示裝置，針對(duì)使用有機(jī)el(electroluminescence)的所謂有機(jī)el顯示裝置進(jìn)行說明，但是并不限定于此，只要是具有通過構(gòu)成圖像的多個(gè)單位像素來分別控制亮度從而發(fā)光的層的顯示裝置即可。

如圖1所示，顯示裝置100具有配備薄膜晶體管等的tft(thinfilmtransistor)基板10、和對(duì)置基板20。如圖2所示，對(duì)置基板20設(shè)置成隔著填充材料30而與tft基板10相對(duì)。此外，顯示裝置100具有進(jìn)行圖像顯示的顯示區(qū)域m、和顯示區(qū)域m周邊的邊框區(qū)域n。在顯示區(qū)域m中，設(shè)置有多個(gè)單位像素p。需要說明的是，雖然在圖1中，只圖示了1個(gè)單位像素p，但是實(shí)際上，顯示區(qū)域m中的多個(gè)單位像素p是以矩陣(matrix)狀配置的。

如圖2所示，tft基板10具有基板11、設(shè)置于基板11上的發(fā)光元件層12、以及設(shè)置于發(fā)光元件層12上且包含多個(gè)層的封固層13。以下，對(duì)tft基板10所包含的各層、各基板的詳情進(jìn)行說明。

基板11至少具有包含布線的電路層。關(guān)于電路層的布線的詳情如后所述。需要說明的是，從顯示裝置的柔性化的觀點(diǎn)考慮，基板11優(yōu)選由具有撓性的聚酰亞胺(polyimide)等形成。但是，并不限定于此，基板11還可以是玻璃基板等。

發(fā)光元件層12是通過構(gòu)成圖像的多個(gè)單位像素p來分別控制亮度從而發(fā)光的層。發(fā)光元件層12為這樣層，其至少設(shè)置于顯示區(qū)域m中、且包含有機(jī)el層12a、設(shè)置于有機(jī)el層12a的下部的下部電極12b和設(shè)置于有機(jī)el層12a的上部的上部電極12c。對(duì)于有機(jī)el層12a，沒有針對(duì)詳情進(jìn)行圖示、但包含電荷傳輸層、電荷注入層、發(fā)光層等。

有機(jī)el層12a中與下部電極12b接觸的區(qū)域與各單位像素p相對(duì)應(yīng)，并在該區(qū)域進(jìn)行發(fā)光。此外，各單位像素p被堤層14劃分，通過堤層14而使有機(jī)el層12a和下部電極12b分隔開的區(qū)域成為不進(jìn)行發(fā)光的區(qū)域。上部電極12c在有機(jī)el層12a上橫跨多個(gè)單位像素p地配置。第1實(shí)施方式中，將下部電極12b作為陽極，將上部電極12c作為陰極，但是并不限定于此，也可以將極性顛倒。需要說明的是，對(duì)于來自有機(jī)el層12a的光所透過的上部電極12c而言，優(yōu)選使用透明導(dǎo)電材料等形成為透過電極。作為透明導(dǎo)電材料，例如，優(yōu)選使用ito(氧化銦錫，indiumtinoxide)、izo(氧化銦鋅，indiumzincoxide)等。此外，可以使用鋁(al)、銀(ag)、或者銀和鎂(mg)的合金、并以光能夠透過的程度的薄膜的形式形成上部電極12c，也可以是以上述金屬薄膜和透明導(dǎo)電材料的層疊膜的形式形成上部電極12c。

需要說明的是，第1實(shí)施方式中，可以采用分開涂布方式、也可以采用彩色濾光片(colorfilter)方式；其中，分開涂布方式對(duì)有機(jī)el層12a進(jìn)行分開涂布，從而使得以與各單位像素p的顏色對(duì)應(yīng)的顏色發(fā)光；彩色濾光片方式使所有單位像素以相同的顏色(例如，白色)發(fā)光，并經(jīng)由設(shè)置于對(duì)置基板20的彩色濾光片(colorfilter)，從而在各單位像素p僅使規(guī)定波長(zhǎng)的光透過。

封固層13是為了防止來自外部的水分侵入顯示裝置100內(nèi)部、并到達(dá)有機(jī)el層12a而設(shè)置的。第1實(shí)施方式中，如圖2所示，封固層13是由覆蓋發(fā)光元件層12的無機(jī)層13a、設(shè)置于無機(jī)層13a上的有機(jī)層13b、設(shè)置于有機(jī)層13b上的無機(jī)層13c層疊而構(gòu)成的。第1實(shí)施方式中，將無機(jī)層13c作為封固層13的最上層。需要說明的是，雖然無機(jī)層13a、13c由氮化硅(sin)形成，但只要是由耐濕性高的無機(jī)材料形成即可，并不限定于此，例如，可以是由氧化硅等形成。此外，雖然有機(jī)層13b由丙烯酸樹脂組成，但并不限定于此，也可以由環(huán)氧樹脂等形成。

進(jìn)一步，參照?qǐng)D2及圖3，對(duì)發(fā)光元件層的發(fā)光原理進(jìn)行說明。圖3表示各單位像素p中形成的電路的電路圖。如圖3所示，基板11中所包含的電路層的布線包括：掃描線lg、與掃描線lg正交的圖像信號(hào)線ld、及與掃描線lg正交的電源線ls。此外，電路層的各單位像素p中設(shè)置有像素控制電路sc，像素控制電路sc通過接觸孔(contacthole)(未圖示)而與下部電極12b連接。像素控制電路sc包含薄膜晶體管和/或電容器，控制對(duì)設(shè)置于各單位像素p中的有機(jī)發(fā)光二極管od的電流供給。需要說明的是，對(duì)于有機(jī)發(fā)光二極管od，由參照?qǐng)D2說明的有機(jī)el層12a、下部電極12b和上部電極12c構(gòu)成。

如圖3所示，像素控制電路sc具有驅(qū)動(dòng)tft11a、保持電容11b、和開關(guān)(switching)tft11c。開關(guān)tft11c的柵極與掃描線lg連接、開關(guān)tft11c的漏極與圖像信號(hào)線ld連接。開關(guān)tft11c的源極與保持電容11b及驅(qū)動(dòng)tft11a的柵極連接。驅(qū)動(dòng)tft11a的漏極與電源線ls連接、驅(qū)動(dòng)tft11a的源極與有機(jī)發(fā)光二極管od連接。通過向掃描線lg施加?xùn)艠O電壓，從而使開關(guān)tft11c為導(dǎo)通(on)狀態(tài)。此時(shí)，若由圖像信號(hào)線ld供給圖像信號(hào)，則電荷存儲(chǔ)于保持電容11b。并且，通過保持電容11b存儲(chǔ)電荷，從而使驅(qū)動(dòng)tft11a為導(dǎo)通(on)狀態(tài)，電流從電源線ls流向有機(jī)發(fā)光二極管od，有機(jī)發(fā)光二極管od發(fā)光。

需要說明的是，像素控制電路sc只要是用于控制對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管od的電流供給的電路即可，并不限定于圖3所示的方式。例如，像素控制電路sc除了含有保持電容11b以外，還可以進(jìn)一步含有為了增大容量的輔助電容，構(gòu)成電路的晶體管(transistor)的極性也不限于圖3所示的方式。

接著，關(guān)于封固層13，進(jìn)一步說明詳情。近年來，出現(xiàn)顯示裝置的柔性化的要求，由此封固層13所包含的無機(jī)層的針對(duì)彎折的耐性成為問題。特別地，對(duì)于設(shè)置于容易受到應(yīng)力的封固層13的最上層的無機(jī)層13c而言，該問題尤為顯著。為了確保針對(duì)彎折的耐性，考慮將無機(jī)層13c的厚度變薄，然而在此情況下，可能不能充分發(fā)揮抑制水分從外部侵入這一封固層13的本來作用。

因此，在第1實(shí)施方式中，在無機(jī)層13c中在局部設(shè)置了密度小于其他區(qū)域密度的區(qū)域。具體而言，無機(jī)層13c為包含密膜c、設(shè)置于密膜c的下方且密度較密膜c小的疏膜b、和設(shè)置于疏膜b的下方且密度較疏膜b大的密膜a的構(gòu)成。需要說明的是，雖然第1實(shí)施方式中，為密膜a的密度和密膜c的密度相等，但它們的密度至少比疏膜b高即可。此外，雖然第1實(shí)施方式中示出無機(jī)層13c為以由密膜和疏膜分成的3個(gè)膜構(gòu)成的方式，但是也不是必須被密度不同的膜明確地分開設(shè)置，也可以為在厚度方向密度連續(xù)地或階段性地變化的構(gòu)成。

這里，雖然疏膜b為使用和密膜a、c相同的原料而形成的，但所使用的原料比率不同。具體而言，疏膜b與密膜a、c相比，含有更多的氫，相應(yīng)地，sin鍵較少、密度變小。需要說明的是，關(guān)于疏膜b、密膜a、c的成膜方法的詳情，如后所述。

對(duì)于無機(jī)層13c中的密度較其他區(qū)域小的疏膜b而言，其較其他的區(qū)域柔軟，針對(duì)彎折的耐性更高。此外，與密膜a、c接觸設(shè)置的疏膜b還發(fā)揮緩和施加于密膜a、c的彎曲應(yīng)力的作用，使密膜a、c的針對(duì)彎折的耐性提高。因此，與不包含疏膜b的情況相比較，無機(jī)層13c作為一個(gè)整體針對(duì)彎折的耐性更高。另一方面，由于無機(jī)層13c具有密度較疏膜b大的密膜a及密膜c，與降低了層整體的密度的情況(層整體的密度與疏膜b相等的情況)相比較，更易抑制水分從外部侵入。通過具有密膜a及密膜c，無需將無機(jī)層13c的層的厚度整體加厚，就能夠抑制水分的侵入，由此抑制作為顯示裝置100整體的厚度，從而能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的小型化。需要說明的是，包含無機(jī)層13c的封固層13沒有必要設(shè)置于顯示裝置100整個(gè)表面，以至少覆蓋發(fā)光元件層12的方式設(shè)置于顯示區(qū)域m即可。

如以上所說明的，對(duì)于第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置100，確保針對(duì)彎折的耐性的同時(shí)，能夠抑制水分向裝置內(nèi)部的侵入。具體而言，由于無機(jī)層13c具有疏膜b，能夠確保針對(duì)彎折的耐性，由于無機(jī)層13c具有密膜a、c，能夠抑制水分向裝置內(nèi)部的侵入。其結(jié)果，抑制有機(jī)el層12a受水分的影響而發(fā)生劣化，從而能夠抑制裝置的壽命降低。

需要說明的是，雖然在以上的說明中，進(jìn)行的是與密膜a及密膜c相比，疏膜b為密度較小的膜的說明，但若從另外的觀點(diǎn)進(jìn)行說明的話，也可以說，與密膜a及密膜c相比，疏膜b為折射率較小的膜。

進(jìn)一步，參照?qǐng)D4，對(duì)第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖4為針對(duì)第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置的制造方法進(jìn)行說明的流程圖。

首先，準(zhǔn)備含有電路層的基板11(步驟st1)。接著，在基板11上，將堤層14及發(fā)光元件層12成膜(步驟st2)。進(jìn)一步，在發(fā)光元件層12上，使用成分中含有硅、氨氣和氮?dú)獾牟牧?，通過化學(xué)氣相沉積法(chemicalvapordeposition，以下稱為cvd法)，將由氮化硅形成的無機(jī)層13a成膜(步驟st3)。作為cvd法，優(yōu)選采用使原料氣體發(fā)生等離子體化從而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的等離子體cvd法。需要說明的是，該工序中，氮?dú)馐菫榱藟毫空{(diào)節(jié)而使用，通過硅和氨氣的反應(yīng)從而生成氮化硅。無機(jī)層13a以沿著發(fā)光元件層12的形狀的形狀而形成。進(jìn)一步，在無機(jī)層13a上，將由丙烯酸樹脂形成的有機(jī)層13b成膜(步驟st4)。需要說明的是，由樹脂材料形成的有機(jī)層13b的表面為平坦的形狀。接下來，在具有平坦的表面的有機(jī)層13b上，將封固層13的最上層、即由氮化硅形成的無機(jī)層13c成膜。

在此，對(duì)無機(jī)層13c的成膜方法的詳情進(jìn)行說明。對(duì)于無機(jī)層13c，和無機(jī)層13a同樣地，使用成分中含有硅、氨氣、和氮?dú)獾牟牧希詂vd法而形成。首先，在有機(jī)層13b上，通過cvd法將密膜a成膜(步驟st5)。對(duì)于密膜a的成膜，可以以和無機(jī)層13a同樣的工序、且使用相同比率的原料而進(jìn)行。并且，在密膜a上，通過cvd法將疏膜b成膜(步驟st6)。此時(shí)，為了使密度較密膜a小，通過提高氨氣的比率，從而提高氫氣的比率。由于氫氣殘留于層內(nèi)部，若提高氫氣的比率，則無機(jī)層13c內(nèi)部的sin鍵的數(shù)目減少，其結(jié)果，無機(jī)層13c的密度下降。由此，將密度較密膜a小的疏膜b成膜。進(jìn)一步，以與密膜a同樣的工序，且使用相同比率的原料，在疏膜b上將密膜c成膜(步驟st7)。通過以上的工序，tft基板10的制造完成。如以上所說明的，雖然使用和密膜a、c的成膜相同的原料而進(jìn)行疏膜b的成膜，但是通過改變其比率，從而設(shè)置了密度差異。

需要說明的是，對(duì)于形成密度較小的疏膜b的方法而言，并不限于提高氨氣的比率，也可以通過追加在成膜中通過其他途徑添加氫氣的工序而進(jìn)行。即，只要是能夠提高無機(jī)層13c中的氫氣的比率的方法，使用其他的方法也可。需要說明的是，添加的物質(zhì)并不限定于氫氣，只要是殘留于無機(jī)層13c內(nèi)部的物質(zhì)，難以影響到有機(jī)el層12a的物質(zhì)，則為其他的物質(zhì)也可。此外，無機(jī)層13a、13c的成膜并不限定于cvd法，也可以使用濺射(sputtering)法、ald(原子層沉積，atomiclayerdeposition)法等其他的方法。

步驟st7完成后，以隔著填充材料30與tft基板10相對(duì)的方式設(shè)置對(duì)置基板20。經(jīng)過以上說明的工序，第1實(shí)施方式涉及的顯示裝置100的制造完成。

接下來，參照?qǐng)D5，對(duì)第2實(shí)施方式涉及的顯示裝置200進(jìn)行說明。對(duì)于第2實(shí)施方式所述顯示裝置200而言，除了無機(jī)層13a的層疊結(jié)構(gòu)不同以外，為與顯示裝置100同樣的構(gòu)成。顯示裝置200中，使無機(jī)層13a的層疊結(jié)構(gòu)與無機(jī)層13c的層疊結(jié)構(gòu)相同。需要說明的是，顯示裝置200的外觀與參照?qǐng)D1而說明的顯示裝置100相同，關(guān)于發(fā)光原理也與顯示裝置100相同。對(duì)于后述的顯示裝置300、400、500也是同樣的。以下，僅針對(duì)與顯示裝置100不同的構(gòu)成進(jìn)行說明，對(duì)于共通的構(gòu)成省略其說明。

如圖5所示，第2實(shí)施方式中，無機(jī)層13a由設(shè)置于發(fā)光元件層12上的密膜d、設(shè)置于密膜d上且密度較密膜d小的疏膜e、和設(shè)置于疏膜e上且密度較疏膜e大的密膜f層疊而構(gòu)成。疏膜e較密膜d、f含有更多氫氣。需要說明的是，對(duì)于密膜d、f，以與密膜a、c同樣的工序、且使用相同比率的原料成膜即可，對(duì)于疏膜e，以與疏膜b同樣的工序、且使用相同比率的的原料成膜即可。需要說明的是，對(duì)于無機(jī)層13a，由于設(shè)置于發(fā)光元件層12上、因此成為沿著上部電極12c的形狀的形狀。

如以上所說明的，第2實(shí)施方式中，不僅封固層13的最上層的無機(jī)層13c、無機(jī)層13a中也設(shè)置有密度較其他區(qū)域小的區(qū)域。因此，能夠更加提高針對(duì)彎折的耐性。需要說明的是，雖然第2實(shí)施方式中示出無機(jī)層13a為以由密膜和疏膜分成的3個(gè)膜構(gòu)成的方式，但是也不是必須被密度不同的膜明確地分開設(shè)置，也可以為在厚度方向密度連續(xù)地或階段性地變化的構(gòu)成。

接下來，參照?qǐng)D6，對(duì)第3實(shí)施方式中涉及的顯示裝置300進(jìn)行說明。對(duì)于第3實(shí)施方式中涉及的顯示裝置400而言，除了無機(jī)層13c的層疊結(jié)構(gòu)不同以外，為與顯示裝置100同樣的構(gòu)成。以下，僅針對(duì)與顯示裝置100不同的構(gòu)成進(jìn)行說明，對(duì)于共通的構(gòu)成省略其說明。

如圖6所示，第3實(shí)施方式中，作為封固層13的最上層的無機(jī)層13c具有設(shè)置于有機(jī)層13b上的疏膜b、和設(shè)置于疏膜b上且密度較疏膜b大的密膜c。即，關(guān)于無機(jī)層13c，與從上方開始由密膜c、疏膜b、密膜a的3個(gè)膜層疊而成的顯示裝置100不同，顯示裝置300采用從上方開始由密膜c、疏膜b的2個(gè)膜層疊而成的構(gòu)成。

需要說明的是，最上層的無機(jī)層13c并不限定于為以由密膜和疏膜分成的2個(gè)膜構(gòu)成的方式，也可以是在厚度方向密度連續(xù)地或階段性地變化的構(gòu)成。例如，對(duì)于無機(jī)層13c，也可以是在厚度方向、隨著接近發(fā)光元件層12側(cè)而密度逐漸減小的層。

需要說明的是，雖然在第3實(shí)施方式中，為將無機(jī)層13c的最上層的膜作為密膜c、且在其下方設(shè)置疏膜b的構(gòu)成，但是也可以為將無機(jī)層13c的最上層的膜作為疏膜b、且在其下方設(shè)置密膜c的構(gòu)成。由于最上層的一方更容易被施加應(yīng)力，通過將最上層設(shè)為疏膜b，能夠更加提高針對(duì)彎折的耐性。

需要說明的是，使無機(jī)層13c為由密膜c和疏膜b的2個(gè)膜組成的構(gòu)成，也適用于無機(jī)層13a。即，無機(jī)層13a也可以為具有在發(fā)光元件層12上形成的疏膜、和形成在該疏膜上且密度較該疏膜大的密膜的構(gòu)成。

接下來，參照?qǐng)D7，對(duì)第4實(shí)施方式涉及的顯示裝置400進(jìn)行說明。對(duì)于第4實(shí)施方式涉及的顯示裝置400而言，在封固層13中，除了在有機(jī)層13b和無機(jī)層13c之間進(jìn)一步設(shè)置了有機(jī)層及無機(jī)層以外，為與顯示裝置100同樣的構(gòu)成。具體而言，在第4實(shí)施方式中，作為封固層13，不是第1實(shí)施方式所示的由下層開始依次層疊有無機(jī)層13a、有機(jī)層13b、無機(jī)層13c的3層結(jié)構(gòu)，而是采用了從下層開始依次層疊有無機(jī)層13a、有機(jī)層13b、無機(jī)層13d、有機(jī)層13e、無機(jī)層13c的5層結(jié)構(gòu)的層。以下，僅針對(duì)與顯示裝置100不同的構(gòu)成進(jìn)行說明，對(duì)于共通的構(gòu)成省略其說明。

無機(jī)層13d具有和顯示裝置100的無機(jī)層13c同樣的層疊結(jié)構(gòu)。即，無機(jī)層13d具有密膜a、設(shè)置于密膜a上且密度較密膜a小的疏膜b、和密度較疏膜b大的密膜c。

由于顯示裝置400中，采用如上所述的5層結(jié)構(gòu)的層疊結(jié)構(gòu)，與采用3層結(jié)構(gòu)的顯示裝置100相比較，可以說是為更易抑制水分向裝置內(nèi)部的侵入的構(gòu)成。此外，由于無機(jī)層13d具有密度較其他區(qū)域小的疏膜b，由此，能夠確保作為封固層13整體的針對(duì)彎折的耐性。

需要說明的是，第1～4實(shí)施方式中所示的無機(jī)層13a對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第1無機(jī)層，有機(jī)層13b對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的有機(jī)層，無機(jī)層13c對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的最上層的第2無機(jī)層，密膜c對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第1密膜，疏膜b對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第1疏膜。此外，第1～第3實(shí)施方式中所示的無機(jī)層13c所包含的密膜a對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第2密膜。另外，第2實(shí)施方式中所示的無機(jī)層13a所包含的密膜f對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第3密膜，疏膜e對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的第2疏膜。

以上說明了目前被認(rèn)為是本發(fā)明的某些實(shí)施例，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，對(duì)其進(jìn)行的各種修改、變更均包含于權(quán)利要求書所記載的本發(fā)明的范圍中。