1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
襯底；
至少一個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上；
至少一個(gè)第一間隔件，位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)壁上；
至少一個(gè)源漏結(jié)構(gòu)，鄰近于所述第一間隔件；以及
導(dǎo)電插塞，電連接至所述源漏結(jié)構(gòu)，同時(shí)在所述導(dǎo)電插塞與所述第一間隔件之間留下間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述間隙中具有氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
至少一個(gè)第二柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上；
至少一個(gè)第二間隔件，位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)壁上，其中，所述源漏結(jié)構(gòu)位于所述第一間隔件和所述第二間隔件之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述間隙還存在于所述導(dǎo)電插塞和所述第二間隔件之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
介電層，至少位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)上，所述介電層中具有開口，其中，所述導(dǎo)電插塞的至少一部分位于所述開口中，并且所述間隙還位于所述導(dǎo)電插塞和所述開口的至少一個(gè)側(cè)壁之間。
6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
襯底；
至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上；
至少一個(gè)源漏結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上；
至少一個(gè)介電層，至少位于所述柵極結(jié)構(gòu)上，并且所述至少一個(gè)介電層中具有開口，其中，所述源漏結(jié)構(gòu)通過所述開口露出；以及
導(dǎo)電插塞，至少通過所述開口電連接至所述源漏結(jié)構(gòu)，同時(shí)所述導(dǎo)電插塞和所述開口的至少一個(gè)側(cè)壁之間留下間隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
至少一個(gè)間隔件，位于所述柵極結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)壁上，其中，所述間隔件的至少一部分通過所述開口露出，并且所述間隙還存在于所述導(dǎo)電插塞和所述間隔件的所述部分之間。
8.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
在至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)源漏結(jié)構(gòu)上形成介電層；
在所述介電層中形成開口以露出所述源漏結(jié)構(gòu)；
在所述開口的至少一個(gè)側(cè)壁上形成保護(hù)層；
在所述開口中形成導(dǎo)電插塞，其中，所述導(dǎo)電插塞電連接至所述源漏結(jié)構(gòu)；以及
在形成所述導(dǎo)電插塞后，去除所述保護(hù)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：
在形成所述導(dǎo)電插塞后，回蝕所述介電層以露出所述保護(hù)層的至少一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述開口還露出在所述柵極結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)壁上的至少一個(gè)側(cè)壁的至少一部分。