本揭露是關(guān)于一種互連線結(jié)構(gòu)與其制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit；IC)已經(jīng)歷迅速增長?，F(xiàn)代集成電路由幾乎數(shù)百萬有效裝置組成，如晶體管及電容器。IC材料及設(shè)計的技術(shù)進(jìn)步已生產(chǎn)數(shù)代IC，其中每一代都具有比上一代更小及更復(fù)雜的電路。這些裝置最初是彼此隔絕的，但后來經(jīng)由多個金屬層互連在一起以形成功能電路。隨著IC變得日益復(fù)雜，互連線結(jié)構(gòu)亦變得更為復(fù)雜，導(dǎo)致增大數(shù)目的金屬層。

互連線結(jié)構(gòu)可包括橫向互連，如金屬線(導(dǎo)線)，及垂直互連，如導(dǎo)電通孔及觸點。然而，復(fù)雜互連線限制現(xiàn)代集成電路的效能及密度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本揭露的一些實施例，互連線結(jié)構(gòu)包括第一介電層、存在于第一介電層中的導(dǎo)電特征、存在于第一介電層上及其中具有孔洞的第二介電層、存在于孔洞中及電連接至導(dǎo)電特征的導(dǎo)體，及至少部分地存在于孔洞的至少一個側(cè)壁上的多個含鋁碎片，其中孔洞側(cè)壁底部的含鋁碎片密度大于孔洞側(cè)壁中部的含鋁碎片密度。

根據(jù)本揭露的一些實施例，互連線結(jié)構(gòu)包括第一介電層、存在于第一介電層中的導(dǎo)電特征、存在于第一介電層上的第二介電層、存在于第一介電層與第二介電層之間的含鋁蝕刻停止層、至少存在于第二介電層中及電連接至導(dǎo)電特征的導(dǎo)電通孔，及至少存在于導(dǎo)電通孔底部轉(zhuǎn)角處的至少一個含鋁碎片。

根據(jù)本揭露的一些實施例，制造互連線結(jié)構(gòu)的一方法，此方法包括在第一介電層中形成導(dǎo)電特征；在導(dǎo)電特征及第一介電層上形成含鋁蝕刻停止層；在含鋁蝕刻停止層上形成第二介電層；及蝕刻第二介電層及含鋁蝕刻停止層以在第二介電層及含鋁蝕刻停止層中形成孔洞，其中導(dǎo)電特征至少部分地由孔洞曝露，及蝕刻含鋁蝕刻停止層將至少一個含鋁碎片重新濺射至孔洞的至少一個側(cè)壁上。

附圖說明

本揭露的實施方式最佳在閱讀附圖時根據(jù)下文的詳細(xì)說明來進(jìn)行理解。應(yīng)注意，依據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實務(wù)，多個特征并未按比例繪制。實際上，多個特征的尺寸可任意增大或縮小，以便使論述明晰。

圖1A至圖1F是依據(jù)本揭露的一些實施例制造互連線結(jié)構(gòu)的方法的不同階段；

圖2是依據(jù)本揭露的一些實施例圖1F中部分A的放大視圖。

具體實施方式

以下揭示內(nèi)容提供眾多不同的實施例或?qū)嵗杂糜趯嵤┍窘衣短峁┑臉?biāo)的物的不同特征。下文中描述組件及排列的特定實例以簡化本揭露。這些組件及排列當(dāng)然僅為實例，及不意欲進(jìn)行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征與第二特征以直接接觸方式形成的實施例，及亦可包括其中在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征與第二特征無法直接接觸的實施例。此外，本揭露在多個實例中可重復(fù)元件符號及/或字母。此重復(fù)用于實現(xiàn)簡化與明晰的目的，及其自身并不規(guī)定所論述的多個實施例及/或配置之間的關(guān)系。

此外，本揭露中可使用諸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空間相對術(shù)語在以便于描述，以描述一個元件或特征與另一或更多個元件或特征的關(guān)系，如附圖中所圖示?？臻g相對術(shù)語意欲包含在使用或操作中的裝置除附圖中繪示的定向以外的不同定向?；蛘?，設(shè)備可經(jīng)定向(旋轉(zhuǎn)90度或其他定向)，及本揭露中使用的空間相對描述詞同樣可相應(yīng)地進(jìn)行解釋。

集成電路包含由互接線間隔分開的多個圖案化金屬線。通常，垂直間隔敷金屬層的金屬圖案通過通孔而電互連。鑲嵌是一互連線制程，在此制程中，開口形成于絕緣層中及充填金屬以形成金屬線。形成于溝槽狀開口中的金屬線通常大體平行于半導(dǎo)體基板而延伸。此種類型的半導(dǎo)體裝置根據(jù)現(xiàn)代技術(shù)可包括八個或更多個水平的敷金屬層以滿足裝置幾何形狀及微小型化需求。隨著半導(dǎo)體裝置尺寸持續(xù)縮小，互連線結(jié)構(gòu)面臨一些挑戰(zhàn)，因為這些金屬薄膜是具有高阻抗的薄膜，由此導(dǎo)致互連線結(jié)構(gòu)中阻抗增大及RC延遲增長，尤其是在較小、狹窄的特征中如此。

請參看圖1A至圖1F，這些附圖是依據(jù)本揭露的一些實施例制造互連線結(jié)構(gòu)的方法的不同階段。請參看圖1A，開口形成于第一介電層110中。第一介電層110形成于半導(dǎo)體基板(未圖示)上方。半導(dǎo)體基板可為半導(dǎo)體材料及可包括已知結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)例如包括分級層或埋置氧化物。在一些實施例中，基板包括體硅，此硅可為未經(jīng)摻雜或經(jīng)摻雜(例如p型、n型，或兩者的組合)。亦可使用適合于半導(dǎo)體裝置形成的其他材料。諸如鍺、石英、藍(lán)寶石及玻璃的其他材料可替代地用于基板。或者，硅基板可為絕緣體上半導(dǎo)體(semiconductor on insulator；SOI)基板的有效層或諸如形成于整塊硅層上的硅鍺層的多層結(jié)構(gòu)。諸如P型金氧半導(dǎo)體及N型金氧半導(dǎo)體晶體管(未圖示)的集成電路可形成于基板頂表面上。

在一些實施例中，第一介電層110是具有低介電常數(shù)值(k值)的金屬間介電質(zhì)(inter-metal dielectric；IMD)，此值例如低于約3.5。第一介電層110可包括介電材料，如氮化硅、氮化硅、氮氧化硅，或其他適合材料。

在一些實施例中，第一介電層110中形成有多個開口112。開口112可通過例如以下步驟而形成：在第一介電層110上方形成圖案化光阻劑層(未圖示)，及使用干燥蝕刻處理步驟以移除第一介電層110的部分，以通過使用圖案化光阻劑層(未圖示)作為遮蔽來界定開口112?？墒褂枚喾N適合的干燥蝕刻制程。在干燥蝕刻處理步驟之后，通過例如光微影移除制程而移除圖案化光阻劑層(未圖示)。

請參看圖1B，導(dǎo)電特征120形成于開口112中。形成導(dǎo)電特征120的制程包括形成充填開口112及位于第一介電層110上的導(dǎo)電層，然后移除導(dǎo)電層的積聚在第一介電層110表面上方的多余部分(未圖示)，以使得導(dǎo)電特征120存在于開口112中。

導(dǎo)電層可為金屬層。導(dǎo)電層材料可包括銅或銅合金，或其他適合的導(dǎo)電材料，如銀、金、鎢、鋁，等等。導(dǎo)電層可由沉積制程而形成。移除制程可為任何適合的平面化制程，如化學(xué)機械拋光(chemical mechanical polishing；CMP)?；瘜W(xué)機械制程經(jīng)執(zhí)行以整平導(dǎo)電特征120及第一介電層110的表面。導(dǎo)電特征120可為導(dǎo)電線，此線可為半導(dǎo)體裝置的第一或任何隨后的金屬互連線位準(zhǔn)。

在一些實施例中，因為銅容易擴散至一些介電材料內(nèi)，尤其是一些類型的低介電常數(shù)介電材料，因此在形成導(dǎo)電層之前，視情況在開口112的內(nèi)表面上方及第一介電層110表面上方沉積擴散阻障層122。擴散阻障層122可通過使用諸如化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)或物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)的方法而沉積至約與之間的厚度。擴散阻障層122的金屬阻障材料包括Ta、TaN或TiN。

請參看圖1C，至少一個蝕刻停止層形成于第一介電層110之上及導(dǎo)電特征120之上。在一些實施例中，下蝕刻停止層130形成于第一介電層110之上及導(dǎo)電特征120之上，然后上蝕刻停止層140視情況形成于下蝕刻停止層130之上。下蝕刻停止層130及上蝕刻停止層140由不同材料制成。下蝕刻停止層130及上蝕刻停止層140可通過一系列沉積制程而形成。沉積制程可為如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積(atomic layer deposition；ALD)、遠(yuǎn)程等離子增強化學(xué)氣相沉積(remote plasma enhanced chemical vapor deposition；RPECVD)、液態(tài)源霧狀化學(xué)沉積(liquid source misted chemical deposition；LSMCD)、涂覆、旋涂或經(jīng)調(diào)適以在基板上方形成薄膜層的另一制程。

下蝕刻停止層130是低電容材料，用以改良RC延遲。在一些實施例中，下蝕刻停止層130是含鋁層。下蝕刻停止層130的材料可為例如氮化鋁、氮氧化鋁、碳化鋁，或上述各者的組合。如若沉積氮化鋁層以作為下蝕刻停止層130，則此層可由在氮大氣中利用鋁靶材進(jìn)行反應(yīng)性濺射(reactive sputtering；RS)而形成。下蝕刻停止層130形成于第一介電層110上及充當(dāng)蝕刻停止物以用于持續(xù)的后段制程(back-end of line；BEOL)敷金屬。下蝕刻停止層130的厚度是薄膜層及處于自至的范圍中。然而，熟悉此項技術(shù)者將認(rèn)識到，此描述中整篇列舉的尺寸僅為實例，及將在使用不同的形成技術(shù)的情況下變更。

上蝕刻停止層140由不同于下蝕刻停止層130的材料制成。在一些實施例中，上蝕刻停止層140是無鋁層。上蝕刻停止層140可具有低于約4.0的介電常數(shù)，或甚至低于約3.5，及可包括選自摻雜氮的(硅)碳化物(SiC:N，亦稱為NDC)、摻雜氧的(硅)碳化物(SiC:O，亦稱為ODC)，及上述各者的組合。反應(yīng)氣體(前驅(qū)物)依據(jù)蝕刻停止層的所需組成而定，及可包括硅(Si)、碳(C)、氫(H)、氮(N)、氧(O)、硼(B)，及/或類似物。諸如He、N₂、Ar、Xe等等的無活性氣體可用作環(huán)境氣體。如若將形成ODC，則亦可添加CO₂以提供氧。如若將形成NDC，則可添加NH₃以提供氮。上蝕刻停止層140的厚度處于自至的范圍中。然而，熟悉此項技術(shù)者將認(rèn)識到，此描述中整篇列舉的尺寸僅為實例，及將在使用不同的形成技術(shù)的情況下變更。

上蝕刻停止層140可利用下蝕刻停止層130的形成而現(xiàn)場形成，此意謂著下蝕刻停止層130及上蝕刻停止層140形成于同一處理腔室中。下蝕刻停止層130及上蝕刻停止層140的沉積可在高溫下執(zhí)行，例如在約100℃與約500℃之間。

請參看圖1D，額外的第二介電層150形成于上蝕刻停止層140上。第二介電層150可為金屬間介電質(zhì)(inter-metal dielectric；IMD)層。第二介電層150可為單層或多層結(jié)構(gòu)。第二介電層150的厚度隨所應(yīng)用技術(shù)而變化，例如約至約的厚度。然而，熟悉此項技術(shù)者將認(rèn)識到，此描述中整篇列舉的尺寸僅為實例，及將在使用不同的形成技術(shù)的情況下變更。

在一些實施例中，第二介電層150是含氧介電層。第二介電層150可由SiO₂、摻雜碳的SiO₂、相對低介電常數(shù)(k值)的介電材料(此介電材料具有小于約4.0的介電常數(shù)值)，或上述各者的組合而形成。第二介電層150可由低介電常數(shù)介電材料、極低介電常數(shù)介電材料、多孔低介電常數(shù)介電層，或上述各者的組合而形成。術(shù)語“低介電常數(shù)”意欲定義3.0或更小的介電材料介電常數(shù)。術(shù)語“極低介電常數(shù)(extreme low k；ELK)”意謂著2.5或更小介電常數(shù)。術(shù)語“多孔低介電常數(shù)”是指2.0或更小的介電材料介電常數(shù)。依據(jù)實施例可使用多種低介電常數(shù)材料，例如旋涂無機介電質(zhì)、旋涂有機介電質(zhì)、多孔介電材料、有機聚合物、有機氧化硅玻璃、FSG(SiOF物種材料)、HSQ(氫倍半氧硅烷)物種材料、MSQ(甲基倍半氧硅烷)物種材料，或多孔有機物種材料。第二介電層150經(jīng)由多種技術(shù)中任何技術(shù)而沉積，這些技術(shù)如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、RPECVD、LSMCD、涂覆、旋涂或經(jīng)調(diào)適以在基板上方形成薄膜層的另一制程。

抗反射涂層(anti-reflective coating；ARC)160及封蓋層170可視情況沉積在第二介電層150上。抗反射涂層160可為無氮抗反射膜層(nitrogen free anti-reflective coating layer；NFARL)及封蓋層170可為氮化鈦(TiN))層或氮化鉭(TaN)層?？狗瓷渫繉?60及封蓋層170可由任何適合的沉積制程而形成。在一些實施例中，抗反射涂層160及封蓋層170的合成物被視作障壁及抗反射膜(barrier and anti-reflective coating；BARC)層。在一些其他實施例中，封蓋層170可用作蝕刻停止物以用于隨后在形成半導(dǎo)體裝置時進(jìn)行處理。

請參看圖1E，孔洞152形成于上述結(jié)構(gòu)中?？锥?52可為示例性雙鑲嵌開口，此開口包括上溝槽區(qū)段151及下通孔孔洞區(qū)段153，這些區(qū)段在結(jié)構(gòu)中經(jīng)圖案化以在基板中界定接觸區(qū)域。在包括圖案化方法的雙鑲嵌技術(shù)中，上溝槽區(qū)段151及下通孔孔洞區(qū)段153可通過使用典型微影術(shù)而形成，此微影術(shù)具有遮蔽技術(shù)及各向異性蝕刻操作(例如等離子蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻)。

例如，上溝槽區(qū)段151可通過使用第一遮蔽層(未圖示)連同適合蝕刻制程而形成。遮蔽層可為硬質(zhì)遮罩層，此層包括經(jīng)由諸如CVD制程的制程而形成的氮化硅，但亦可替代性地使用諸如氧化物、氮氧化物、碳化硅、上述各者的組合或類似物的其他材料及諸如等離子增強化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積，或甚至氧化硅形成后再進(jìn)行氮化的其他制程。一旦形成，遮蔽層可由適合光微影制程經(jīng)圖案化以曝露下層層中將被移除以形成上溝槽區(qū)段151的彼等部分。上溝槽區(qū)段151可由執(zhí)行干式蝕刻制程而形成，如等離子蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻。中間的蝕刻停止層可視情況中間沉積在第二介電層150中以提供明晰指示，指示何時結(jié)束特定的蝕刻制程。在形成上溝槽區(qū)段151之后移除遮蔽層。

上溝槽區(qū)段151下方的第二介電層150經(jīng)圖案化以在上溝槽區(qū)段151下方形成下通孔孔洞區(qū)段153。例如，在上溝槽區(qū)段151的預(yù)定位置旁邊的部分再次受到另一遮蔽層保護(hù)。由此，第二介電層150中用于形成下通孔孔洞區(qū)段153的部分從遮蔽層中曝露。第二介電層150的曝露部分由執(zhí)行干式蝕刻制程而移除，如等離子蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻。下通孔孔洞區(qū)段153比上溝槽區(qū)段151具有更高的深寬比，下通孔孔洞區(qū)段153的寬度小于上溝槽區(qū)段151的寬度。在形成下通孔孔洞區(qū)段153之后移除遮蔽層。

孔洞152穿透第二介電層150、抗反射涂層160、封蓋層170、上蝕刻停止層140，及下蝕刻停止層130而形成。因此，導(dǎo)電特征120自孔洞152曝露。盡管實施例圖示第二介電層150中的雙鑲嵌開口，但使用在第二介電層150中的單鑲嵌開口亦提供價值。

因為孔洞152通過執(zhí)行一或更多個干式蝕刻制程而形成，上述層曝露于離子轟擊(例如諸如氟碳化物、氧、氯的反應(yīng)性氣體的等離子)。從曝露表面驅(qū)除層的材料，及層的材料重新濺射在孔洞152側(cè)壁上。例如，下蝕刻停止層130是含鋁蝕刻停止層，此含鋁蝕刻停止層是低電容材料，用以改良互連線結(jié)構(gòu)的RC延遲。鋁較為輕質(zhì)，及具有與介電材料的優(yōu)良粘合能力。因此，來自驅(qū)除的下蝕刻停止層130材料的一些含鋁碎片132存在于孔洞152的側(cè)壁的底部部分，如存在于下通孔孔洞區(qū)段153的底部部分。換言之，在干式蝕刻制程期間，下蝕刻停止層130的一部分被離子轟擊離開而變?yōu)楹X碎片132，及含鋁碎片132的一部分粘著在第二介電層150的側(cè)壁及孔洞152的底部轉(zhuǎn)角處。

含鋁碎片132在孔洞152的側(cè)壁及底部轉(zhuǎn)角上的分布對應(yīng)于與導(dǎo)電特征120的距離。例如，含鋁碎片132在孔洞152的側(cè)壁底部部分具有更大密度，及含鋁碎片132的密度隨與導(dǎo)電特征120的距離增長而減少。在一些實施例中，含鋁碎片132可在第二介電層150與導(dǎo)電特征120之間的轉(zhuǎn)角處具有最大密度。

請參看圖1F，阻障層180形成于孔洞152的側(cè)壁上。阻障層180沉積在孔洞152的內(nèi)表面上方及第二介電層150表面上方。阻障層180可通過使用諸如化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積的方法而沉積至約與之間的厚度。銅用作互連線介質(zhì)，并日益獲得認(rèn)可及越來越用于此目的。銅已知具有低成本及低電阻率；然而銅在諸如二氧化硅及硅的介電材料內(nèi)具有相對大的擴散系數(shù)。阻障層180用于防止以下諸如銅或銅合金的沉積導(dǎo)電金屬擴散至第二介電層150內(nèi)。阻障層180由實質(zhì)上無鋁的材料制成。阻障層180的金屬阻障材料包括Ta、TaN或TiN。

在一些實施例中，較薄種晶層視情況形成于阻障層180上。種晶層具有一厚度，此厚度為約至約種晶層是包含至少一主金屬元素及第一添加金屬元素的金屬合金層，此主金屬元素例如為銅(Cu)，及此添加金屬元素例如為錳(Mn)。在其他實施例中，Ti、Nb、Cr、V、Y、Tc、Re或類似物可用作另一添加金屬以用于形成種晶層。種晶層可通過使用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、等離子增強化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積，或其他的沉積技術(shù)而沉積。種晶層用于改良以下沉積制程的數(shù)量。

諸如雙鑲嵌開口的孔洞152充填導(dǎo)電材料。執(zhí)行電化學(xué)銅沉積(electrochemical copper deposition；ECD)以在阻障層180上(或在種晶層上)形成導(dǎo)電層190及充填孔洞152。利用導(dǎo)電材料充填包括上溝槽區(qū)段151及下通孔孔洞區(qū)段153的孔洞152，使阻障層180至少部分位于導(dǎo)電層190與第二介電層150之間。導(dǎo)電層190可為金屬層。導(dǎo)電層190的材料可包括銅或銅合金，或其他適合的導(dǎo)電材料，如銀、金、鎢等等。在一些實施例中，導(dǎo)電層190由實質(zhì)上無鋁的材料制成。阻障層180可充當(dāng)保護(hù)裝置以保護(hù)導(dǎo)電層190不擴散至第二介電層150內(nèi)。由于電化學(xué)銅沉積的更大粒徑(優(yōu)良電遷移)及高沉積速率，電化學(xué)銅沉積已被采用用于銅敷金屬。然而，諸如電子化學(xué)電鍍的電化學(xué)銅沉積制程是濕式制程及在孔洞152中產(chǎn)生空隙的形成。此外，空隙中亦可能截留電解質(zhì)，從而產(chǎn)生可靠性問題。

此外，在導(dǎo)電層190形成之后，對上述結(jié)構(gòu)執(zhí)行熱處理，例如退火制程。在一些實施例中，在導(dǎo)電層190形成之后立即提供熱處理步驟。在一些其他實施例中，在移除孔洞152外部的導(dǎo)電層190多余部分的CMP步驟之后，立即提供熱處理步驟。退火制程溫度的范圍可自約50℃至400℃。退火制程的歷時的范圍可自約5分鐘至60分鐘。

在形成充填孔洞152的導(dǎo)電層190之后，執(zhí)行化學(xué)機械拋光制程以移除導(dǎo)電層190的多余部分，及孔洞152外部的阻障層180，由此曝露封蓋層170的頂表面及獲得平面化表面?？锥?52中的殘余導(dǎo)電層190被視作導(dǎo)體(在下文中被稱作導(dǎo)體190)?？锥?52及其中的導(dǎo)體190被視作用于互連線至導(dǎo)電特征120的導(dǎo)電通孔。在一些實施例中，含鋁碎片132至少存在于導(dǎo)電通孔的底部轉(zhuǎn)角處。在一些實施例中，導(dǎo)電通孔的側(cè)壁具有底部部分及中間部分，此底部部分比中間部分更靠近下蝕刻停止層130，及導(dǎo)電通孔的側(cè)壁的底部部分上的含鋁碎片132的密度小于導(dǎo)電通孔的側(cè)壁的中間部分上的含鋁碎片132密度。請參看圖2及圖1F，其中圖2是依據(jù)本揭露的一些實施例的圖1F中部分A的放大視圖。在退火及平面化之后，例如化學(xué)機械拋光之后，導(dǎo)體190具有更低阻抗及更佳電遷移壽命。然而，不僅電化學(xué)銅沉積制程可在導(dǎo)體190中形成空隙，退火制程亦可導(dǎo)致空隙的形成。退火制程期間的應(yīng)力使導(dǎo)體190變形及導(dǎo)致額外空隙形成于導(dǎo)體190與阻障層180之間的界面處?？障兜拇嬖诳蓽p少孔洞152中導(dǎo)電材料的量，由此提高導(dǎo)體190阻抗，此亦可增長半導(dǎo)體裝置的RC延遲。

在本揭露的一些實施例中，用于BOEL的蝕刻停止層，如下蝕刻停止層130，是可改良RC延遲的低電容材料制成的。因為通孔由干式蝕刻制程而形成，因此蝕刻停止層的一部分由離子轟擊及從曝露表面驅(qū)除，及可粘著在通孔側(cè)壁上及通孔轉(zhuǎn)角處。在一些實施例中，用于蝕刻停止層的低電容材料為含鋁材料，如氮化鋁、氮氧化鋁、碳化鋁，或上述各者的組合。鋁較為輕質(zhì)，及具有與介電材料的優(yōu)良粘合能力。因此，來自驅(qū)除的下蝕刻停止層130材料的一些含鋁碎片132粘著于孔洞152的側(cè)壁的底部部分，及孔洞152的底部轉(zhuǎn)角處。含鋁碎片132可充當(dāng)額外障壁以防止導(dǎo)體190逸散。

前述內(nèi)容概括數(shù)個實施例的特征，以便彼等熟悉此項技術(shù)者可更佳地理解本揭露的實施方式。彼等熟悉此項技術(shù)者應(yīng)了解，本揭露可易于用作設(shè)計或修正其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以實現(xiàn)與本揭露介紹的實施例相同的目的及/或達(dá)到與其相同的優(yōu)勢。彼等熟悉此項技術(shù)者亦應(yīng)了解，此種同等構(gòu)造不脫離本揭露的精神及范疇，及可在不脫離本揭露精神及范疇的情況下在本揭露中進(jìn)行多種變更、取代及更動。