技術總結
本發(fā)明的實施例提供了半導體器件及其制造方法。半導體器件包括設置在襯底上方的第一溝道層、設置在襯底上方的第一源極/漏極區(qū)域、設置在每個第一溝道層上的柵極介電層、設置在柵極電介質上的柵電極層。每個第一溝道層均包括由第一半導體材料制成的半導體線。該半導體線穿過第一源極/漏極區(qū)域并且進入錨狀區(qū)域。在錨狀區(qū)域處，半導體線不具有柵電極層并且不具有柵極電介質，并且夾置在第二半導體材料之間。

技術研發(fā)人員：陳奕升;吳政憲;葉致鍇
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201611047027
技術研發(fā)日：2016.11.22
技術公布日：2017.06.20