技術編號：12724890
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體器件及其制造方法相關申請的交叉引用本申請要求于2015年11月30日提交的美國臨時專利申請第62/261,289號的優(yōu)先權，其全部內容結合于此作為參考。技術領域本發(fā)明的實施例涉及半導體集成電路，更具體地，涉及具有全環(huán)柵結構的半導體器件及其制造方法。背景技術隨著半導體工業(yè)在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的過程中進入納米技術工藝節(jié)點，來自制造和設計問題的挑戰(zhàn)已經引起了三維設計的發(fā)展，諸如多柵極場效應晶體管(FET)(鰭式finFET(FinFET)和全環(huán)柵(GAA)FET)。在Fi...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。