本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種氮化鎵功率三極管的制作方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，氮化鎵功率三極管的結(jié)構(gòu)如圖1、2所示：在藍(lán)寶石、硅或碳化硅的襯底1上生長(zhǎng)氮化鎵層2、鋁鎵氮層3，蝕刻鋁鎵氮層3和部分氮化鎵層2形成臺(tái)面，在臺(tái)面上淀積第一金屬層4作為第一電極和第二電極，退火后在臺(tái)面上淀積第二金屬層5作為第三電極，從而構(gòu)成三極管。

現(xiàn)有結(jié)構(gòu)缺點(diǎn)在于：由于氮化鎵外延層與襯底材料的晶格不匹配，因此在生長(zhǎng)后的外延層中及表面上產(chǎn)生很多缺陷，在制成器件后，這些缺陷就會(huì)在器件工作時(shí)導(dǎo)致漏電流的增加，從而降低器件的擊穿電壓，使得器件性能降低以及容易失效。由于功率器件的面積較大，而一個(gè)或多個(gè)缺陷落在一個(gè)器件范圍內(nèi)，就會(huì)使得該器件不合格甚至作廢，從而導(dǎo)致晶圓良率大大降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種氮化鎵功率三極管的制作方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種氮化鎵功率三極管的制作方法，包括：在襯底上表面生長(zhǎng)氮化鎵層，在所述的氮化鎵層上表面再生長(zhǎng)鋁鎵氮層，還包括：

對(duì)所述的鋁鎵氮層、部分所述的氮化鎵層進(jìn)行蝕刻，將所述的鋁鎵氮層、部分所述的氮化鎵層分隔成多個(gè)相互獨(dú)立的島；

沉淀第一金屬層、第二金屬層，所述的第一金屬層形成多個(gè)第一電極單元和多個(gè)第二電極單元，所述的第二金屬層形成第三電極單元，形成所述的第一電極單元的第一金屬層沉淀在一個(gè)所述的島上，形成所述的第二電極單元的第一金屬層同時(shí)沉淀在兩個(gè)相鄰所述的島上；

覆蓋鈍化層，在所述的第一電極單元、第二電極單元以及第三電極單元打開鈍化層窗口，測(cè)試每個(gè)所述的島的電學(xué)特性，對(duì)特性不合格的島進(jìn)行去除；

覆蓋第三金屬層，對(duì)所述的第三金屬層進(jìn)行分離，所述的第三金屬層連接多個(gè)所述的第一電極單元形成第一電極，所述的第三金屬層連接多個(gè)所述的第二電極單元形成第二電極，所述的第三金屬層連接所述的第三電極單元形成第三電極。

優(yōu)選地，向所述的特性不合格的島上的第一電極單元的鈍化層窗口注入絕緣膠液，并進(jìn)行固化。

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述的絕緣膠液包括聚酰亞胺樹脂。

優(yōu)選地，在所述的第一電極、第二電極以及第三電極的第三金屬層上進(jìn)行布線，與外部封裝管腳相連接，構(gòu)成三極管。

優(yōu)選地，每個(gè)所述的島的長(zhǎng)度為50-200微米，寬度為20-60微米。

優(yōu)選地，測(cè)試每個(gè)所述的島的電學(xué)特性包括正向?qū)胺聪驌舸┨匦浴?/p>

優(yōu)選地，所述的第三金屬層采用蝕刻或liftoff工藝進(jìn)行分離。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果：

本發(fā)明通過化整為零的方式，在制作時(shí)就剔除了不合格的部分，提高成品三極管器件的性能，大大增加三極管器件的良品率。

附圖說明

附圖1為現(xiàn)有技術(shù)中氮化鎵功率三極管結(jié)構(gòu)俯視示意圖；

附圖2為現(xiàn)有技術(shù)中氮化鎵功率三極管結(jié)構(gòu)橫截面示意圖（圖1A-A剖視圖）；

附圖3為本實(shí)施例中步驟（二）、（三）的俯視示意圖；

附圖4為本實(shí)施例中步驟（四）中覆蓋鈍化層的俯視示意圖；

附圖5為本實(shí)施例中步驟（四）中打開鈍化層窗口的俯視示意圖；

附圖6為本實(shí)施例中步驟（四）中去除不合格島上第一電極單元的俯視示意圖；

附圖7為本實(shí)施例制作的三極管的俯視示意圖。

其中：1、襯底；2、氮化鎵層；3、鋁鎵氮層；4、第一金屬層；5、第二金屬層；6、第一電極；60、第一電極單元；7、第二電極；70、第二電極單元；8、第三電極；80、第三電極單元；9、鈍化層；90、鈍化層窗口；10、絕緣膠液；11、第三金屬層；12、島。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施案例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述：

一種氮化鎵功率三極管的制作方法，包括以下步驟：

（一）、在襯底1上表面生長(zhǎng)氮化鎵層2，在氮化鎵層2上表面再生長(zhǎng)鋁鎵氮層3，其中襯底1可以采用藍(lán)寶石、硅或者碳化硅；

（二）、對(duì)鋁鎵氮層3、部分氮化鎵層2進(jìn)行蝕刻，將鋁鎵氮層3、部分氮化鎵層2分隔成多個(gè)相互獨(dú)立的島12，每個(gè)島12的長(zhǎng)度為50-200微米，寬度為20-60微米；

（三）、沉淀第一金屬層4、第二金屬層5，第一金屬層4形成多個(gè)第一電極單元60和多個(gè)第二電極單元70，第二金屬層5形成第三電極單元80，形成第一電極單元60的第一金屬層4沉淀在一個(gè)島12上，形成第二電極單元70的第一金屬層4同時(shí)沉淀在兩個(gè)相鄰的島12上，如圖3所示；

（四）、覆蓋鈍化層9，如圖4所示，在第一電極單元60、第二電極單元70以及第三電極單元80打開鈍化層窗口90，如圖5所示，測(cè)試每個(gè)島12的正向?qū)胺聪驌舸┨匦?，?duì)特性不合格的島進(jìn)行去除，具體的去除方式為：采用晶圓點(diǎn)墨裝置（wafer inking system）或點(diǎn)膠機(jī)向特性不合格的島上的第一電極單元60的鈍化層窗口注入聚酰亞胺樹脂等絕緣膠液10，并進(jìn)行固化，如圖6所示；

（五）、覆蓋第三金屬層11，對(duì)第三金屬層11通過蝕刻或liftoff工藝進(jìn)行分離，第三金屬層11連接多個(gè)第一電極單元60形成第一電極6，第三金屬層11連接多個(gè)第二電極單元70形成第二電極7，第三金屬層11連接第三電極單元80形成第三電極8，在第一電極6、第二電極7以及第三電極8的第三金屬層11上進(jìn)行布線，與外部封裝管腳相連接，構(gòu)成三極管，如圖7所示。

上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。