技術(shù)編號(hào)：12724882
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種氮化鎵功率三極管的制作方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有技術(shù)中，氮化鎵功率三極管的結(jié)構(gòu)如圖1、2所示：在藍(lán)寶石、硅或碳化硅的襯底1上生長(zhǎng)氮化鎵層2、鋁鎵氮層3，蝕刻鋁鎵氮層3和部分氮化鎵層2形成臺(tái)面，在臺(tái)面上淀積第一金屬層4作為第一電極和第二電極，退火后在臺(tái)面上淀積第二金屬層5作為第三電極，從而構(gòu)成三極管。現(xiàn)有結(jié)構(gòu)缺點(diǎn)在于：由于氮化鎵外延層與襯底材料的晶格不匹配，因此在生長(zhǎng)后的外延層中及表面上產(chǎn)生很多缺陷，在制成器件后，這些缺陷就會(huì)在器件工作時(shí)導(dǎo)致漏電流的增加，從而降低器件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。