1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在襯底上方形成交替地堆疊在第一方向上的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的堆疊結(jié)構(gòu)；
將所述堆疊結(jié)構(gòu)圖案化為鰭結(jié)構(gòu)；
在所述鰭結(jié)構(gòu)上方形成隔離絕緣層；
在所述隔離絕緣層上方形成覆蓋層；
圖案化所述覆蓋層以形成開口和剩余的邊界部分；
通過所述開口使所述隔離絕緣層凹進(jìn)以部分地暴露所述鰭結(jié)構(gòu)，所述鰭結(jié)構(gòu)的端部掩埋在所述隔離絕緣層中；
去除部分地暴露的所述鰭結(jié)構(gòu)中的所述第二半導(dǎo)體層，從而暴露所述第一半導(dǎo)體層；
在去除所述第二半導(dǎo)體層的暴露的所述鰭結(jié)構(gòu)上方形成犧牲柵極結(jié)構(gòu)，從而使得所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭結(jié)構(gòu)的部分而所述鰭結(jié)構(gòu)的剩余部分暴露，所述剩余部分為源極/漏極區(qū)域并且所述鰭結(jié)構(gòu)中由所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的所述部分為溝道區(qū)域；
在所述源極/漏極區(qū)域中的暴露的所述第一半導(dǎo)體層上形成外延源極/漏極結(jié)構(gòu)，從而使得所述外延源極/漏極結(jié)構(gòu)包裹在所述源極/漏極區(qū)域中的暴露的所述第一半導(dǎo)體層的每個周圍；
去除所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)以暴露所述鰭結(jié)構(gòu)的所述溝道區(qū)域；以及
在所述溝道區(qū)域中的暴露的所述第一半導(dǎo)體層周圍形成柵極介電層和柵電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所述第一半導(dǎo)體層由Si或Si基化合物制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中：
所述第二半導(dǎo)體層由SiGe制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中：
所述外延源極/漏極結(jié)構(gòu)包括SiP、SiCP和SiC中的至少一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中：
所述外延源極/漏極結(jié)構(gòu)包括SiGe。
6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在襯底上方形成交替地堆疊在第一方向上的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的堆疊結(jié)構(gòu)；
將所述堆疊結(jié)構(gòu)圖案化為鰭結(jié)構(gòu)；
在所述鰭結(jié)構(gòu)上方形成隔離絕緣層；
在所述隔離絕緣層上方形成覆蓋層；
圖案化所述覆蓋層以形成開口和剩余的邊界部分；
通過所述開口使所述隔離絕緣層凹進(jìn)以部分地暴露所述鰭結(jié)構(gòu)，所述鰭結(jié)構(gòu)的端部掩埋在所述隔離絕緣層中；
部分地去除部分地暴露的所述鰭結(jié)構(gòu)中的所述第二半導(dǎo)體層；
在部分地去除所述第二半導(dǎo)體層的暴露的所述鰭結(jié)構(gòu)上方形成犧牲柵極結(jié)構(gòu)，從而使得所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭結(jié)構(gòu)的部分而所述鰭結(jié)構(gòu)的剩余部分保持暴露，所述剩余部分為源極/漏極區(qū)域并且所述鰭結(jié)構(gòu)中由所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的所述部分為溝道區(qū)域；
在所述源極/漏極區(qū)域中的暴露的所述鰭結(jié)構(gòu)上形成外延源極/漏極結(jié)構(gòu)；
去除所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)以暴露所述鰭結(jié)構(gòu)的所述溝道區(qū)域；以及
在所述溝道區(qū)域中的所述鰭結(jié)構(gòu)上方形成柵極介電層和柵電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中：
所述第一半導(dǎo)體層由Si或Si基化合物制成。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一溝道層，設(shè)置在襯底上方；
第一源極/漏極區(qū)域，設(shè)置在所述襯底上方；
柵極介電層，設(shè)置在所述第一溝道層的每個上；以及
柵電極層，設(shè)置在所述柵極介電層上，其中：
所述第一溝道層的每個均包括由第一半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體線，
所述半導(dǎo)體線穿過所述第一源極/漏極區(qū)域并且進(jìn)入錨狀區(qū)域，以及
在所述錨狀區(qū)域處，所述半導(dǎo)體線不具有所述柵電極層并且不具有所述柵極介電層，并且夾置在第二半導(dǎo)體材料之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中：
所述第一半導(dǎo)體材料由SiGe制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中：
所述第二半導(dǎo)體材料由Si或Si基化合物制成。