1.一種OLED顯示器件封裝方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上制作一層阻擋層；
在所述阻擋層上制作OLED器件后，在所述OLED器件上制作薄膜封裝層，所述薄膜封裝層為表面經(jīng)過離子注入工藝處理的薄膜封裝層，所述薄膜封裝層覆蓋在所述OLED器件及所述阻擋層上，所述OLED器件位于所述阻擋層中部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上制作一層阻擋層，包括：在所述基板上制作一層有機(jī)薄膜層、無機(jī)薄膜層或有機(jī)無機(jī)混合薄膜層；或者，
所述在基板上制作一層阻擋層，包括：在所述基板上制作至少一個薄膜封裝結(jié)構(gòu)；每個薄膜封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層；或者，每個所述薄膜封裝子層包括第一薄膜層和設(shè)置在所述第一薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層，所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第一薄膜層之間；或者，每個所述薄膜封裝子層包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層，以及設(shè)置在所述第三薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層，所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第三薄膜層之間；所述第一薄膜層和第二薄膜層為無機(jī)薄膜層或有機(jī)薄膜層，所述第一薄膜層和所述第二薄膜層材料不同，所述第一薄膜層和所述第三薄膜層材料相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄膜封裝結(jié)構(gòu)的數(shù)量為1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
采用離子注入工藝對所述阻擋層的表面進(jìn)行處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述OLED器件上制作薄膜封裝層，包括：在所述OLED器件上制作一層有機(jī)薄膜層、無機(jī)薄膜層或有機(jī)無機(jī)混合薄膜層；或者，
所述在所述OLED器件上制作薄膜封裝層，包括：在所述OLED器件上制作至少一個薄膜封裝結(jié)構(gòu)；每個薄膜封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層；或者，每個所述薄膜封裝子層包括第一薄膜層和設(shè)置在所述第一薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層，所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第一薄膜層之間；或者，每個所述薄膜封裝子層包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層，以及設(shè)置在所述第三薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層，所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第三薄膜層之間；所述第一薄膜層和第二薄膜層為無機(jī)薄膜層或有機(jī)薄膜層，所述第一薄膜層和所述第二薄膜層材料不同，所述第一薄膜層和所述第三薄膜層材料相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
執(zhí)行下述三個步驟中的至少一個：
在制作所述第一薄膜層后，采用離子注入工藝對所述第一薄膜層的表面進(jìn)行處理；
在制作所述第二薄膜層后，采用離子注入工藝對所述第二薄膜層的表面進(jìn)行處理；
在制作所述第三薄膜層后且在貼合所述柔性聚合物薄膜層之前，采用離子注入工藝對所述第三薄膜層的表面進(jìn)行處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在采用離子注入工藝對所述第三薄膜層的表面進(jìn)行處理時，注入的離子為以下元素中的至少一種所對應(yīng)的離子：Ar、N、O、Xe、He、Al、Cu、Ti、Cr、Fe、Mn、Co、P、B、Si、Ni和C，注入離子的能量為2-200KeV，注入離子的劑量為1.0×1012-1.0×1019ion/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述基板為柔性基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在所述基板上制作所述阻擋層之前，采用離子注入工藝對所述柔性基板的表面進(jìn)行處理。
10.一種OLED顯示器件封裝，其特征在于，所述OLED顯示器件封裝采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的方法制成。