本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(英文Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱OLED)顯示器件封裝及封裝方法。
背景技術(shù):
OLED顯示器件是利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在電場(chǎng)作用下發(fā)光的顯示技術(shù),是一種新型的純固體顯示技術(shù)。
OLED顯示器件因具有自發(fā)光(無(wú)需背光源)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用在小型電子設(shè)備上。但是大尺寸OLED顯示器件仍因?yàn)榉庋b工藝不成熟等原因推廣較為緩慢。
目前主流OLED顯示器件封裝方式為有機(jī)薄膜和無(wú)機(jī)薄膜交疊多層薄膜封裝,但由于這種OLED封裝阻水氧性能還不能完全滿足大尺寸OLED顯示器件的需求,導(dǎo)致OLED顯示器件會(huì)因?yàn)樗醺g而導(dǎo)致壽命變短的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中OLED封裝阻水氧性能還不能完全滿足大尺寸OLED顯示器件的需求的問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED顯示器件封裝及封裝方法。所述技術(shù)方案如下:
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED顯示器件封裝方法,所述方法包括:
在基板上制作一層阻擋層;
在所述阻擋層上制作所述OLED器件后,在所述OLED器件上制作薄膜封裝層,所述薄膜封裝層為表面經(jīng)過(guò)離子注入工藝處理的薄膜封裝層,所述薄膜封裝層覆蓋在所述OLED器件及所述阻擋層上,所述OLED器件位于所述阻擋層中部。
在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述在基板上制作一層阻擋層,包括:在所述基板上制作一層有機(jī)薄膜層、無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層;或者,
所述在基板上制作一層阻擋層,包括:在所述基板上制作至少一個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu);每個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層;或者,每個(gè)所述薄膜封裝子層包括第一薄膜層和設(shè)置在所述第一薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第一薄膜層之間;或者,每個(gè)所述薄膜封裝子層包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層,以及設(shè)置在所述第三薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第三薄膜層之間;所述第一薄膜層和第二薄膜層為無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)薄膜層,所述第一薄膜層和所述第二薄膜層材料不同,所述第一薄膜層和所述第三薄膜層材料相同。
在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述薄膜封裝結(jié)構(gòu)的數(shù)量為1。
在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述方法還包括:
采用離子注入工藝對(duì)所述阻擋層的表面進(jìn)行處理。
在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述在所述OLED器件上制作薄膜封裝層,包括:在所述OLED器件上制作一層有機(jī)薄膜層、無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層;或者,
所述在所述OLED器件上制作薄膜封裝層,包括:在所述OLED器件上制作至少一個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu);每個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層;或者,每個(gè)所述薄膜封裝子層包括第一薄膜層和設(shè)置在所述第一薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第一薄膜層之間;或者,每個(gè)所述薄膜封裝子層包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層,以及設(shè)置在所述第三薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,所述粘合膠位于所述柔性聚合物薄膜層和所述第三薄膜層之間;所述第一薄膜層和第二薄膜層為無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)薄膜層,所述第一薄膜層和所述第二薄膜層材料不同,所述第一薄膜層和所述第三薄膜層材料相同。
在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述方法還包括:
執(zhí)行下述三個(gè)步驟中的至少一個(gè):
在制作所述第一薄膜層后,采用離子注入工藝對(duì)所述第一薄膜層的表面進(jìn)行處理;
在制作所述第二薄膜層后,采用離子注入工藝對(duì)所述第二薄膜層的表面進(jìn)行處理;
在制作所述第三薄膜層后且在貼合所述柔性聚合物薄膜層之前,采用離子注入工藝對(duì)所述第三薄膜層的表面進(jìn)行處理。
在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,在采用離子注入工藝對(duì)所述第三薄膜層的表面進(jìn)行處理時(shí),注入的離子為以下元素中的至少一種所對(duì)應(yīng)的離子:Ar、N、O、Xe、He、Al、Cu、Ti、Cr、Fe、Mn、Co、P、B、Si、Ni和C,注入離子的能量為2-200KeV,注入離子的劑量為1.0×1012-1.0×1019ion/cm2。
在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述基板為柔性基板。
在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述方法還包括:
在所述基板上制作所述阻擋層之前,采用離子注入工藝對(duì)所述柔性基板的表面進(jìn)行處理。
第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OLED顯示器件封裝,所述OLED顯示器件封裝采用第一方面任一項(xiàng)所述的方法制成。
本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
通過(guò)在基板上制作一層阻擋層,并且在OLED器件上制作薄膜封裝層,對(duì)基板和OLED器件進(jìn)行保護(hù),避免水氧對(duì)OLED器件造成腐蝕;另外,薄膜封裝層的表面經(jīng)過(guò)離子注入工藝處理,能提高薄膜的機(jī)械性能和粘和性能,有效阻止水分和氧氣,增強(qiáng)了其阻水氧性能,使得該薄膜封裝層的阻水氧性能能夠滿足大尺寸OLED顯示器件的封裝需求。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED顯示器件封裝方法的流程圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施方式一提供的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施方式二提供的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施方式三提供的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施方式四提供的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施方式五提供的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施方式六提供的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施方式七提供的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED顯示器件封裝方法的流程圖,參見(jiàn)圖1,該方法包括:
步驟101:在基板上制作一層阻擋層。
步驟102:在阻擋層上制作OLED器件后,在OLED器件上制作薄膜封裝層,薄膜封裝層為表面經(jīng)過(guò)離子注入工藝處理的薄膜封裝層,薄膜封裝層覆蓋在OLED器及阻擋層件上,OLED器件位于阻擋層中部。
其中,OLED器件主要包括電極層、發(fā)光單元等結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明通過(guò)在基板上制作一層阻擋層,并且在OLED器件上制作薄膜封裝層,對(duì)基板和OLED器件進(jìn)行保護(hù),避免水氧對(duì)OLED器件造成腐蝕;另外,薄膜封裝層的表面經(jīng)過(guò)離子注入工藝處理,能提高薄膜的機(jī)械性能和粘和性能,有效阻止水分和氧氣,增強(qiáng)了其阻水氧性能,使得該薄膜封裝層的阻水氧性能能夠滿足大尺寸OLED顯示器件的封裝需求;另外薄膜封裝層覆蓋在OLED器件及阻擋層上,薄膜封裝層與阻擋層未被OLED器件覆蓋的部分貼合,一方面避免薄膜封裝層直接與基板貼合,通過(guò)阻擋層作為薄膜封裝層的貼合對(duì)象,減小薄膜封裝層和基板貼合時(shí)因?yàn)閺椥阅A坎町惔蟪霈F(xiàn)剝離的現(xiàn)象,而阻擋層整面貼合在基板上,相比于薄膜封裝層部分僅四周貼合在基板上,不容易出現(xiàn)剝離現(xiàn)象。
在本發(fā)明實(shí)施例中,阻擋層和薄膜封裝層可以采用相同或者不同的膜層結(jié)構(gòu),二者均可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的第一種實(shí)現(xiàn)方式中,阻擋層或薄膜封裝層為單層結(jié)構(gòu)時(shí),可以是有機(jī)薄膜層、無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層。
在本發(fā)明的第二種實(shí)現(xiàn)方式中,阻擋層或薄膜封裝層為多層結(jié)構(gòu)時(shí),通??梢圆捎糜袡C(jī)薄膜層和無(wú)機(jī)薄膜層交替重疊3層設(shè)置。但是本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限制,也可以為更多的膜層重疊設(shè)置。
具體實(shí)現(xiàn)時(shí),步驟101可以包括:
在基板上制作一層有機(jī)薄膜層、無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層;或者,
在基板上制作至少一個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu);每個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層;或者,每個(gè)薄膜封裝子層包括第一薄膜層和設(shè)置在第一薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,粘合膠位于柔性聚合物薄膜層和第一薄膜層之間;或者,每個(gè)薄膜封裝子層包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層,以及設(shè)置在第三薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,粘合膠位于柔性聚合物薄膜層和第三薄膜層之間;第一薄膜層和第二薄膜層均可以為無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)薄膜層,第一薄膜層和第二薄膜層材料不同,第一薄膜層和第三薄膜層材料相同。
具體實(shí)現(xiàn)時(shí),步驟102可以包括:在OLED器件上制作一層有機(jī)薄膜層、無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層;或者,
在OLED器件上制作至少一個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu);每個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層;或者,每個(gè)薄膜封裝子層包括第一薄膜層和設(shè)置在第一薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,粘合膠位于柔性聚合物薄膜層和第一薄膜層之間;或者,每個(gè)薄膜封裝子層包括層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層,以及設(shè)置在第三薄膜層上的帶有粘合膠的柔性聚合物薄膜層,粘合膠位于柔性聚合物薄膜層和第三薄膜層之間;第一薄膜層和第二薄膜層均可以為無(wú)機(jī)薄膜層或有機(jī)薄膜層,第一薄膜層和第二薄膜層材料不同,第一薄膜層和第三薄膜層材料相同。
當(dāng)阻擋層或薄膜封裝層中包括兩個(gè)以上薄膜封裝結(jié)構(gòu)時(shí),兩個(gè)以上薄膜封裝結(jié)構(gòu)層疊設(shè)置。
優(yōu)選地,上述阻擋層和薄膜封裝層中的薄膜封裝結(jié)構(gòu)的數(shù)量?jī)?yōu)選1,一方面可以保證封裝的阻擋水氧性能,另一方面,不至于造成器件厚度過(guò)大。
優(yōu)選地,阻擋層和薄膜封裝層貼合的一面采用相同的材料制成,由于阻擋層與薄膜封裝層貼合的一面采用相同的材料制成,因而不會(huì)出現(xiàn)因?yàn)閺椥阅A坎町惔蟪霈F(xiàn)剝離的現(xiàn)象。
優(yōu)選地,在第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層構(gòu)成的薄膜封裝結(jié)構(gòu)中,第一、第三薄膜層為無(wú)機(jī)薄膜層,由于無(wú)機(jī)薄膜層阻擋水氧的性能好于有機(jī)薄膜層,從而可以保證其阻擋水氧性能。
進(jìn)一步地,為了加強(qiáng)阻擋層和基板之間的結(jié)合力,在基板上制作阻擋層之前,該方法還可以包括:
采用離子注入工藝對(duì)柔性基板的表面進(jìn)行處理,此時(shí),基板為柔性基板?;暹x用柔性基板,便于離子注入,通過(guò)離子注入后,離子會(huì)注入到柔性基板的表面,形成有機(jī)分子(或無(wú)機(jī)分子)和離子混合界面,可以加強(qiáng)基板和阻擋層的粘合,解決阻擋層和基板的層間剝落問(wèn)題。
其中,柔性基板可以采用下述材料制成:聚酰亞胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(英文Polyethylene glycol terephthalate,簡(jiǎn)稱PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(英文Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester,簡(jiǎn)稱PEN)、環(huán)烯烴聚合物(英文Cyclo-olefin polymer,簡(jiǎn)稱COP)、聚碳酸酯(英文Polycarbonate,簡(jiǎn)稱PC)、聚苯乙烯(英文Polystyrene,簡(jiǎn)稱PS)、聚丙烯(英文Polypropylene,簡(jiǎn)稱PP)、聚四氟乙烯(英文Polytetrafluoroethylene,簡(jiǎn)稱PTFE)。
在其他實(shí)現(xiàn)方式中,基板也可以選用非柔性基板,本發(fā)明對(duì)此不做限制。
進(jìn)一步地,該方法還包括:采用離子注入工藝對(duì)所述阻擋層的表面進(jìn)行處理。
例如,阻擋層包括至少一個(gè)薄膜封裝結(jié)構(gòu)時(shí),采用離子注入工藝對(duì)第三薄膜層或柔性聚合物薄膜層的表面進(jìn)行處理。第三薄膜層(或柔性聚合物薄膜層)可以是阻擋層和/或薄膜封裝層中的第三薄膜層(或柔性聚合物薄膜層)。
通過(guò)在第三薄膜層或柔性聚合物薄膜層的表面進(jìn)行離子注入處理,大大提高阻擋層的阻水氧性能,同時(shí)能夠提高薄膜封裝層與阻擋層之間的粘合程度。
在本發(fā)明實(shí)施例中,在采用離子注入工藝對(duì)第三薄膜層或柔性聚合物薄膜層的表面進(jìn)行處理時(shí),注入的離子為以下元素中的至少一種所對(duì)應(yīng)的離子(可以是單離子注入,也可多離子注入):Ar(氬)、N(氮)、O(氧)、Xe(氙)、He(氦)、Al(鋁)、Cu(銅)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Mn(錳)、Co(鈷)、P(磷)、B(硼)、Si(硅)、Ni(鎳)和C(碳),注入離子的能量為2-200KeV,注入離子的劑量為1.0×1012-1.0×1019ion/cm2。另外,本發(fā)明實(shí)施例中提到的其他膜層所采用的離子注入工藝的參數(shù)可以與此相同。
由于,有機(jī)薄膜和無(wú)機(jī)薄膜交疊多層薄膜封裝存在著彈性模量差異大問(wèn)題,尤其是在柔性顯示產(chǎn)品使用中,會(huì)產(chǎn)生彎曲(bending)、伸縮(stretching)、扭曲(twisting)等多種機(jī)械運(yùn)動(dòng)和熱膨脹系數(shù)的差異造成熱的伸縮運(yùn)動(dòng),從而導(dǎo)致無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)薄膜剝離的現(xiàn)象。為了避免上述問(wèn)題出現(xiàn),可以在無(wú)機(jī)薄膜或有機(jī)薄膜表面采用離子注入工藝處理,形成混合聚合物界面,可以解決多層堆疊封裝造成的層間剝落問(wèn)題,避免無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)薄膜剝離。具體可以采用下述三個(gè)步驟中的至少一個(gè):
在制作第一薄膜層后,該方法還可以包括:采用離子注入工藝對(duì)第一薄膜層的表面進(jìn)行處理。
在制作第二薄膜層后,該方法還可以包括:采用離子注入工藝對(duì)第二薄膜層的表面進(jìn)行處理。
在制作第三薄膜層后且在貼合柔性聚合物薄膜層之前,該方法還可以包括:采用離子注入工藝對(duì)第三薄膜層的表面進(jìn)行處理。
通過(guò)在第一薄膜層或第二薄膜層或第三薄膜層的表面進(jìn)行離子注入處理,大大提高阻擋層或封裝薄膜層的阻水氧性能以及其層間粘合程度。
在本發(fā)明實(shí)施例中,上述第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層可以采用真空蒸鍍、PECVD、磁控濺射或噴墨印刷工藝制成。
在本發(fā)明實(shí)施例中,無(wú)機(jī)薄膜層可以采用A12O3、SiO2、MgO(氧化鎂)、SiN、NiC和MgF2(氟化鎂)中的至少一種制成,有機(jī)薄膜層可以采用聚甲基丙烯酸甲酯(英文PolymethylMethacrylate,簡(jiǎn)稱PMMA)、NPB(N,Nˊ-二-(1-萘基)-N,Nˊ-聯(lián)苯-1,1ˊ-聯(lián)苯-4,4ˊ-二胺)、m-MTDATA(4,4ˊ-N,Nˊ-二唑-聯(lián)苯)、TPD(N,Nˊ-二苯基-N,Nˊ-二(3-甲基苯基)聯(lián)苯胺)、Alq3(8-羥基喹啉鋁)和BCP(4,4’,4’—三(3-甲苯基苯胺)三苯胺)中的至少一種制成。柔性聚合物薄膜層可以采用聚酰亞胺、PET、PEN、COP、PC、PS、PP和PTFE中的一種制成。采用上述材料形成無(wú)機(jī)薄膜層、有機(jī)薄膜層和柔性聚合物薄膜層可以保證透光率。
在本發(fā)明實(shí)施例中記載的阻擋層制作方法、薄膜封裝層制作方法可以進(jìn)行自由組合,下面通過(guò)對(duì)具體實(shí)施方式進(jìn)行舉例說(shuō)明(基板以柔性基板為例):
實(shí)施方式一:
該實(shí)施例方式制成的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)如圖2所示,結(jié)合圖2,該實(shí)施方式包括如下步驟:
第一步,在柔性基板10上形成阻檔層30,阻檔層30包括無(wú)機(jī)薄膜層、有機(jī)薄膜層以及表面改性無(wú)機(jī)薄膜層;表面改性無(wú)機(jī)薄膜層即經(jīng)過(guò)離子注入工藝進(jìn)行表面處理的無(wú)機(jī)薄膜層,包括無(wú)機(jī)薄膜層和注入無(wú)機(jī)薄膜層表面的離子注入層。
第二步,在制備于阻擋層30上的OLED器件20(的陰極)上,依次沉積一層無(wú)機(jī)薄膜層31、一層有機(jī)薄膜層32和一層無(wú)機(jī)薄膜層33a。
第三步,采用離子注入技術(shù),在無(wú)機(jī)薄膜層33a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在無(wú)機(jī)薄膜層33a表面形成平滑致密的離子注入層33b。
需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施方式中,第二步和第三步只執(zhí)行了一次,薄膜封裝層34包括無(wú)機(jī)薄膜層31、有機(jī)薄膜層32以及表面改性無(wú)機(jī)薄膜層33。但本發(fā)明并不限制如此,亦可以重復(fù)執(zhí)行2次甚至多次。
實(shí)施方式二:
該實(shí)施例方式制成的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)如圖3所示,結(jié)合圖3,該實(shí)施方式包括如下步驟:
第一步,在柔性基板10上形成阻檔層40,阻檔層包括表面改性無(wú)機(jī)薄膜層、表面改性有機(jī)薄膜層和表面改性無(wú)機(jī)薄膜層。表面改性無(wú)機(jī)薄膜層包括無(wú)機(jī)薄膜層和注入無(wú)機(jī)薄膜層表面的離子注入層;表面改性有機(jī)薄膜層包括有機(jī)薄膜層和注入有機(jī)薄膜層表面的離子注入層;表面改性無(wú)機(jī)薄膜層包括無(wú)機(jī)薄膜層和注入無(wú)機(jī)薄膜層表面的離子注入層。
第二步,在制備于阻擋層40上的OLED器件20(的陰極)上沉積一層無(wú)機(jī)薄膜層41a;并采用離子注入技術(shù),在無(wú)機(jī)薄膜層41a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在無(wú)機(jī)薄膜層41a表面形成平滑致密的離子注入層41b。無(wú)機(jī)薄膜層41a和離子注入層41b構(gòu)成表面改性無(wú)機(jī)薄膜層41。
第三步,在表面改性無(wú)機(jī)薄膜層41上沉積一層有機(jī)薄膜層42a;并采用離子注入技術(shù),在有機(jī)薄膜層42a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在有機(jī)薄膜層42a表面形成平滑致密的離子注入層42b。有機(jī)薄膜層42a和離子注入層42b構(gòu)成表面改性有機(jī)薄膜層42。
第四步,在表面改性有機(jī)薄膜層42上沉積一層無(wú)機(jī)薄膜層43a;并采用離子注入技術(shù),在無(wú)機(jī)薄膜層43a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在無(wú)機(jī)薄膜層43a表面形成平滑致密的離子注入層43b。無(wú)機(jī)薄膜層43a和離子注入層43b構(gòu)成表面改性無(wú)機(jī)薄膜層43。
需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施方式中,第二步至第四步只執(zhí)行了一次,薄膜封裝層44包括表面改性無(wú)機(jī)薄膜層41、表面改性有機(jī)薄膜層42以及表面改性無(wú)機(jī)薄膜層43。但本發(fā)明并不限制如此,亦可以重復(fù)執(zhí)行2次甚至多次。
實(shí)施方式三:
該實(shí)施例方式制成的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)如圖4所示,結(jié)合圖4,該實(shí)施方式包括如下步驟:
第一步,在柔性基板10a上注入離子進(jìn)行表面改性,在柔性基板10a表面形成平滑致密的離子注入層10b。
第二步,在改性后的柔性基板10上形成阻檔層50,阻檔層50包括無(wú)機(jī)薄膜層、有機(jī)薄膜層和表面改性無(wú)機(jī)薄膜層;表面改性無(wú)機(jī)薄膜層包括無(wú)機(jī)薄膜層和注入無(wú)機(jī)薄膜層表面的離子注入層。
第三步,在制備于阻擋層50上的OLED器件20(的陰極)上依次沉積一層無(wú)機(jī)薄膜層51、一層有機(jī)薄膜層52和一層無(wú)機(jī)薄膜層53a。
第四步,采用離子注入技術(shù),在無(wú)機(jī)薄膜層53a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在無(wú)機(jī)薄膜層53a表面形成平滑致密的離子注入層53b。無(wú)機(jī)薄膜層53a和離子注入層53b構(gòu)成表面改性無(wú)機(jī)薄膜層53。
需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施方式中,第三步和第四步只執(zhí)行了一次,薄膜封裝層54包括無(wú)機(jī)薄膜層51、有機(jī)薄膜層52以及表面改性無(wú)機(jī)薄膜層53。但本發(fā)明并不限制如此,亦可以重復(fù)執(zhí)行2次甚至多次。
實(shí)施方式四:
該實(shí)施例方式制成的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)如圖5所示,結(jié)合圖5,該實(shí)施方式包括如下步驟:
第一步,在柔性基板10a上注入離子進(jìn)行表面改性,柔性基板10a表面形成平滑致密的離子注入層10b。
第二步,在表面改性基板10上形成阻檔層60,阻檔層60包括表面改性無(wú)機(jī)薄膜層、表面改性有機(jī)薄膜層、表面改性無(wú)機(jī)薄膜層。表面改性無(wú)機(jī)薄膜層包括無(wú)機(jī)薄膜層和注入無(wú)機(jī)薄膜層表面的離子注入層;表面改性有機(jī)薄膜層包括有機(jī)薄膜層和注入有機(jī)薄膜層表面的離子注入層;表面改性無(wú)機(jī)薄膜層包括無(wú)機(jī)薄膜層和注入無(wú)機(jī)薄膜層表面的離子注入層。
第三步,在制備于阻擋層60上的OLED器件20(的陰極)上一層無(wú)機(jī)薄膜層61a;采用離子注入技術(shù),對(duì)無(wú)機(jī)薄膜層61a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在無(wú)機(jī)薄膜層61a表面形成平滑致密的離子注入層61b。在無(wú)機(jī)薄膜層61a和離子注入層61b構(gòu)成表面改性無(wú)機(jī)薄膜層61。
第四步,在表面改性無(wú)機(jī)薄膜層61上沉積一層有機(jī)薄膜層62a;采用離子注入技術(shù),在有機(jī)薄膜層62a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在有機(jī)薄膜層62a表面形成平滑致密的離子注入層62b。有機(jī)薄膜層62a和離子注入層62b構(gòu)成表面改性有機(jī)薄膜層62。
第五步,在表面改性有機(jī)薄膜層63上沉積一層無(wú)機(jī)薄膜層66a;采用離子注入技術(shù),在無(wú)機(jī)薄膜層66a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在無(wú)機(jī)薄膜層66a表面形成平滑致密的離子注入層66b。無(wú)機(jī)薄膜層63a和離子注入層63b構(gòu)成表面改性無(wú)機(jī)薄膜層63。
需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施方式中,第三步至第五步只執(zhí)行了一次,薄膜封裝層64包括表面改性無(wú)機(jī)薄膜層61、表面改性有機(jī)薄膜層62以及表面改性無(wú)機(jī)薄膜層63。但本發(fā)明并不限制如此,亦可以重復(fù)執(zhí)行2次甚至多次。
實(shí)施方式五:
該實(shí)施例方式制成的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)如圖6所示,結(jié)合圖6,該實(shí)施方式包括如下步驟:
第一步,在柔性基板10上形成阻檔層70,阻檔層70包括有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層、有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層內(nèi)部離子注入層。
第二步,在制備于阻擋層70上的OLED器件20(的陰極)上沉積無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料,形成有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層70a。
第三步,采用離子注入技術(shù),在有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層70a表面注入離子進(jìn)行表面改性,在有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層70a內(nèi)部形成離子注入層70b。
需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施方式中,第二步和第三步只執(zhí)行了一次,薄膜封裝層71包括有機(jī)無(wú)機(jī)混合薄膜層70a和離子注入層70b。但本發(fā)明并不限制如此,亦可以重復(fù)執(zhí)行2次甚至多次。
實(shí)施方式六:
該實(shí)施例方式制成的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)如圖7所示,結(jié)合圖7,該實(shí)施方式包括如下步驟:
第一步,在柔性基板10上形成阻檔層80,阻檔層80包括無(wú)機(jī)薄膜層、粘合膠、聚合物薄膜層和注入到聚合物薄膜層表面的離子注入層。
第二步,在制備于阻擋層70上的OLED器件20(的陰極)上沉積一層無(wú)機(jī)薄膜層81。
第三步,將帶有粘合膠82的柔性聚合物薄膜層83,采用滾輪11方式貼合在無(wú)機(jī)薄膜層81上。
第四步,采用離子注入技術(shù),在聚合物薄膜層83注入離子進(jìn)行表面改性,在聚合物薄膜層83內(nèi)部形成平滑致密的離子注入層84。
需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施方式中,第三步和第四步只執(zhí)行了一次,薄膜封裝層85包括無(wú)機(jī)薄膜層81、粘合膠82、柔性聚合物薄膜層83和離子注入層84。但本發(fā)明并不限制如此,亦可以重復(fù)執(zhí)行2次甚至多次。
實(shí)施方式七:
該實(shí)施例方式制成的OLED顯示器件封裝的結(jié)構(gòu)如圖8所示,結(jié)合圖8,該實(shí)施方式包括如下步驟:
第一步,在柔性基板10上形成阻檔層90,阻檔層90包括無(wú)機(jī)薄膜層、有機(jī)薄膜層、無(wú)機(jī)薄膜層、粘合膠、聚合物薄膜層和注入到聚合物薄膜層表面的離子注入層。
第二步,在制備于阻擋層30上的OLED器件20(的陰極)上,分別沉積一層無(wú)機(jī)薄膜層91,一層有機(jī)薄膜層92,一層無(wú)機(jī)薄膜層93;
第三步,將帶有粘合膠94的柔性聚合物薄膜層95,采用滾輪11方式貼合到無(wú)機(jī)薄膜層93上。
第四步,采用離子注入技術(shù),在聚合物薄膜層95注入離子進(jìn)行表面改性,在聚合物薄膜層95內(nèi)部形成平滑致密的離子注入層96。
需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施方式中,第二步至第四步只執(zhí)行了一次,薄膜封裝層97包括無(wú)機(jī)薄膜層91、有機(jī)薄膜層92、無(wú)機(jī)薄膜層93、粘合膠94、柔性聚合物薄膜層95和離子注入層96。但本發(fā)明并不限制如此,亦可以重復(fù)執(zhí)行2次甚至多次。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OLED顯示器件封裝,該OLED顯示器件封裝采用圖1提供的方法制成。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。