1.一種漿料，包括：
10wt％至70wt％之間的貴金屬粒子；
至少10wt％嵌入粒子；以及
有機(jī)載體；
其中，嵌入粒子包括從下組選擇的一種或多種，包含低溫基底金屬粒子、晶體金屬氧化物粒子和玻璃熔粒。
2.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，嵌入粒子與貴金屬粒子的重量比是至少1：5。
3.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，貴金屬粒子包括從下組選擇的至少一種材料，包含：金、銀、鉑、鈀、銠，及合金、合成物，及其其它組合。
4.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，貴金屬粒子具有100nm至50μm之間的D50。
5.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，貴金屬粒子具有0.4至7.0m2/g之間的比表面積。
6.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，貴金屬粒子的一部分具有從包括球形、片狀和細(xì)長(zhǎng)形的組中選擇的形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，貴金屬粒子和嵌入粒子的至少一者具有單峰尺寸分布。
8.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，貴金屬粒子和嵌入粒子的至少一者具有多峰尺寸分布。
9.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，至少一些貴金屬粒子是銀且具有300nm至2.5μm之間的D50和1.0至3.0m2/g之間的比表面積。
10.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，嵌入粒子具有100nm至50μm之間的D50。
11.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，嵌入粒子可具有0.1至6.0m2/g之間的比表面積。
12.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，嵌入粒子的一部分具有從包括球形、片狀和或細(xì)長(zhǎng)形的組中選擇的形狀。
13.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，低溫基底金屬粒子包括從下組選擇的材料，包含：鉍、錫、碲、銻、鉛，及合金、合成物，及其其它組合。
14.如權(quán)利要求13所述的漿料，其中，低溫基底金屬粒子包括鉍且具有1.5至4.0μm之間的D50和1.0至2.0m2/g之間的比表面積。
15.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，至少一些低溫基底金屬粒子包括由單殼圍繞的鉍核心粒子，單殼包括從下組選擇的材料，包含：銀、鎳、鎳硼、錫、碲、銻、鉛、鉬、鈦，及合金、合成物，及其其它組合。
16.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，至少一些低溫基底金屬粒子包括由單殼圍繞的鉍核心粒子，單殼包括從下組選擇的材料，包含：氧化硅、氧化鎂、氧化硼及其任意組合。
17.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，晶體金屬氧化物粒子包括氧和從下組選擇的金屬：鉍、錫、碲、銻、鉛、釩、鉻、鉬、硼、錳、鈷，及合金、合成物，及其其它組合。
18.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，玻璃熔粒包括從下組選擇的材料，包含：銻、砷、鋇、鉍、硼、鎘、鈣、鈰、銫、鉻、鈷、氟、鎵、鍺、銦、鉿、碘、鐵、鑭、鉛、鋰、鎂、錳、鉬、鈮、鉀、錸、硒、硅、鈉、鍶、碲、錫、釩、鋅、鋯，其合金、其氧化物、其合成物，及其其它組合。
19.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，漿料具有30wt％至80wt％之間的固體裝載。
20.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，嵌入粒子包括漿料的至少15wt％。
21.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，漿料包括45wt％的Ag粒子、30wt％的鉍粒子和25wt％的有機(jī)載體。
22.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，漿料包括30wt％的Ag粒子、20wt％的鉍粒子和50wt％的有機(jī)載體。
23.如權(quán)利要求1所述的漿料，其中，漿料在25℃在4sec-1的剪切速度下具有10,000至200,000cP之間的粘度。