技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種制造FinFET的方法，至少包括以下步驟。圖案化半導(dǎo)體襯底以在半導(dǎo)體襯底中形成多個(gè)溝槽并且在溝槽之間形成至少一個(gè)半導(dǎo)體鰭。在溝槽中形成絕緣體。在半導(dǎo)體鰭的部分上方和隔離件的部分上方形成柵極堆疊件。在半導(dǎo)體鰭的通過(guò)柵極堆疊件暴露的部分上方形成摻雜有導(dǎo)電摻雜劑的應(yīng)變材料，并且通過(guò)選擇性地生長(zhǎng)的具有漸變摻雜濃度的體層來(lái)形成應(yīng)變材料。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)。

技術(shù)研發(fā)人員：廖晉毅;侯孟南;張世杰;周櫻旻;張鼎張
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201611032587
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.15
技術(shù)公布日：2017.06.06