技術(shù)編號：12552665
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及鰭式場效應(yīng)晶體管及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷縮小，已經(jīng)開發(fā)出諸如鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維多柵極結(jié)構(gòu)以代替平面互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。FinFET的結(jié)構(gòu)性特征是從半導(dǎo)體襯底的表面垂直延伸的硅基鰭，并且包裹在由鰭形成的導(dǎo)電溝道周圍的柵極進一步提供了對溝道的更好的電控制。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種制造鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的方法，包括：圖案化半導(dǎo)體襯底以在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個溝槽并...
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