技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場(chǎng)效晶體管的制作方法，包括：圖案化襯底以形成多個(gè)溝槽以及位于溝槽之間的半導(dǎo)體鰭片。于溝槽內(nèi)形成多個(gè)絕緣體，并且形成第一介電層以覆蓋半導(dǎo)體鰭片與絕緣體。于第一介電層上形成擬柵極條。于擬柵極條的側(cè)壁上形成多個(gè)間隙物擬柵極條。移除擬柵極條與位于其下方的第一介電層直到間隙物的側(cè)壁、半導(dǎo)體鰭片的一部分以及絕緣體的多個(gè)部分被暴露出來(lái)。形成第二介電層以選擇性地覆蓋半導(dǎo)體鰭片被暴露出來(lái)的部分，其中第一介電層的厚度小于第二介電層的厚度。于間隙物之間形成柵極以覆蓋第二介電層、間隙物的側(cè)壁以及絕緣體被暴露出的部分。

技術(shù)研發(fā)人員：張哲誠(chéng);林志翰;曾鴻輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201611032568
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.15
技術(shù)公布日：2017.05.24