本揭露是關(guān)于一種半導(dǎo)體的制造方法。

背景技術(shù)：

集成電路(integrated circuit；IC)材料及設(shè)計的技術(shù)進步已產(chǎn)生數(shù)代集成電路，其中每一代均具有與前一代相比較小且較復(fù)雜的電路。在集成電路演進過程中，功能密度(即每晶片面積的互連裝置數(shù)目)已大體上增加，同時幾何尺寸(即可使用制造制程產(chǎn)生的最小元件(或接線))已減小。此縮小制程通常通過增加生產(chǎn)效率及降低相關(guān)聯(lián)的成本來提供益處。此縮小亦已增加集成電路處理及制造的復(fù)雜性。因此，為達成此等進步，需要集成電路處理及制造中的類似發(fā)展。

隨著半導(dǎo)體不斷的縮小，一種應(yīng)用中的發(fā)展為用金屬柵電極替換已知的多晶硅柵電極，以改良具有減小的特征尺寸的裝置效能。盡管制造集成電路裝置的現(xiàn)有方法已大體上足以達成其預(yù)期目的，但其并不在所有方面均完全令人滿意。舉例而言，在將金屬電極接線切割為次金屬電極接線中出現(xiàn)挑戰(zhàn)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本揭露的一實施例為用于制造半導(dǎo)體裝置的方法包括在基板上形成第一鰭及第二鰭，第一鰭具有第一柵極區(qū)域且第二鰭具有第二柵極區(qū)域；及在第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域上形成第一金屬柵極接線。第一金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。方法亦包括應(yīng)用第一線切割以將第一金屬柵極接線分離為第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接線，及在第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接上形成第二金屬柵極接線。第二金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。方法亦包括應(yīng)用第二線切割以將第二金屬柵極接線分離為第三子金屬柵極接線及第四子金屬柵極接線以使得在第三子金屬柵極接線與第四子金屬柵極接線之間形成縫隙，及在縫隙內(nèi)形成隔離區(qū)域。

本揭露的另一實施例為一種切割金屬柵極的方法，包含形成第一鰭與第二鰭于基板上，第一鰭具有第一柵極區(qū)域而第二鰭具有第二柵極區(qū)域。形成第一金屬柵極接線于第一柵極區(qū)域與第二柵極區(qū)域上方，其中第一金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。形成第一犧牲層于第一金屬柵極接線上方。形成經(jīng)圖案化的第一硬遮罩于第一犧牲層上方，其中經(jīng)圖案化的第一硬遮罩界定第一開口。經(jīng)由第一開口蝕刻第一犧牲層。經(jīng)由第一開口蝕刻第一金屬柵極接線以形成第一線切割，其中第一金屬柵極接線透過第一線切割被分離為第一子金屬柵極接線與第二子金屬柵極接線。形成第二金屬柵極接線于第一子金屬柵極接線、第二子金屬柵極接線及第一線切割上方，其中第二金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。形成介電層于第二金屬柵極接線上方。形成經(jīng)圖案化的第二硬遮罩于介電層上方，其中經(jīng)圖案化的第二硬遮罩界定第二開口。經(jīng)由第二開口蝕刻介電層。經(jīng)由第二開口蝕刻第二金屬柵極接線以形成第二線切割，其中第二金屬柵極接線透過第二線切割被分離為第三子金屬柵極接線與第四子金屬柵極接線。

本揭露的又一實施例為切割金屬柵極的方法，包含形成多個鰭于機板上方，各鰭具有柵極區(qū)域。形成虛設(shè)柵極堆疊于各柵極區(qū)域內(nèi)。沿著虛設(shè)柵極堆疊的側(cè)壁形成側(cè)壁間隔。形成層間介電層于基板上方，以及虛設(shè)柵極堆疊的側(cè)面。移除虛設(shè)柵極堆疊以曝露鰭的部分。形成第一金屬層于鰭的曝露的部分，其中第一金屬層形成第一金屬柵極接線。形成第一線切割以將第一金屬柵極接線切割為第一子金屬柵極接線。形成第二金屬層于第一子金屬柵極接線以及第一線切割上方，其中第二金屬層形成第二金屬柵極接線。形成第二線切割以將第二金屬柵極接線切割為第二子金屬柵極接線。形成隔離區(qū)域于第一線切割與第二線切割內(nèi)。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合隨附附圖閱讀時，自以下詳細描述將最佳地理解本揭露的態(tài)樣。應(yīng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實務(wù)，附圖中的各特征并非按比例繪制。實際上，可出于論述清晰的目的任意增減所說明的特征的尺寸。

圖1為本揭露的部分實施例的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖；

圖2A為本揭露的部分實施例的半導(dǎo)體裝置的工件的透視圖；

圖2B為沿著圖2A中的線A-A的半導(dǎo)體裝置的工件的截面圖；

圖2C為沿著圖2A中的線B-B的半導(dǎo)體裝置的工件的截面圖；

圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、圖7A、圖8A、圖9A、圖10A、圖11A、圖11C、圖12A、圖13A、圖14A、圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖19C及圖20A的實施例分別為沿著圖2A中的線A-A的半導(dǎo)體裝置在不同制程階段的截面圖；

圖3B、圖4B、圖5B、圖6B、圖7B、圖8B、圖9B、圖10B、圖11B、圖11D、圖12B、圖13B、圖14B、圖15B、圖16B、圖17B、圖18B、圖19B、圖19D及圖20B的實施例分別為沿著圖2A中的線B-B的半導(dǎo)體裝置在不同制程階段的截面圖。

具體實施方式

以下揭露內(nèi)容提供許多不同的實施例或?qū)嵗糜趯嵤┍窘衣兜牟煌卣鳌Ｏ挛拿枋鲈安贾玫奶囟▽嵗院喕窘衣?。?dāng)然，此等僅為實例且并不意欲為限制性。舉例而言，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接觸形成第一特征及第二特征的實施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征與第二特征可不直接接觸的實施例。另外，本揭露內(nèi)容可在各種實例中重復(fù)元件符號及/或字母。此重復(fù)是出于簡明性及清晰的目的，且本身并不指示所論述的各種實施例及/或配置之間的關(guān)系。

此外，為便于描述，本文可使用空間相對性術(shù)語(諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述附圖中所說明的一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關(guān)系。除了附圖中所描繪的定向外，空間相對性術(shù)語意欲包含在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或其他定向)且因此可同樣地解釋本文所使用的空間相對性描述詞。

本揭露內(nèi)容涉及但不以其他方式限制于鰭式場效晶體管(fin-like field-effect transistor；FinFET)裝置。此裝置可包括P型金屬氧化物半導(dǎo)體鰭式場效晶體管裝置或N型金屬氧化物半導(dǎo)體鰭式場效晶體管裝置。鰭式場效晶體管裝置可為雙柵極裝置、三柵極裝置、主體裝置、絕緣體上硅(silicon-on-insulator；SOI)裝置及/或其他配置。一般技術(shù)者應(yīng)了解本揭露內(nèi)容的態(tài)樣有助于半導(dǎo)體裝置的其他實施例。舉例而言，亦可將本文所描述的一些實施例應(yīng)用至環(huán)繞柵極(gate-all-around；GAA)裝置、歐米笳柵極(Ω-柵極)裝置或Pi柵極(Π柵極)裝置。以下揭露內(nèi)容將以鰭式場效晶體管為例來說明本揭露的各種實施例。然而，應(yīng)理解，此應(yīng)用不限于特定類型的裝置。

圖1為根據(jù)一些實施例的制造一或多個半導(dǎo)體裝置的方法100的流程圖。請搭配下文并參照在圖2A至圖2C中顯示的半導(dǎo)體裝置及在圖3A至圖20B中顯示的半導(dǎo)體裝置的工件詳細地論述方法100。

參考圖1、圖2A、圖2B及圖2C，方法100在步驟102開始，此處接收半導(dǎo)體裝置200的工件205。工件205包括基板210?；?10可為主體硅基板?；蛘?，基板210可包含元素半導(dǎo)體，諸如結(jié)晶結(jié)構(gòu)的硅(Si)或鍺(Ge)；化合物半導(dǎo)體，諸如硅鍺(SiGe)、碳化硅(SiC)、鎵砷(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)及/或銻化銦(InSb)；或其組合。可能的基板210亦包括絕緣體上硅(silicon-on-insulator；SOI)基板。SOI基板是使用氧布植分離(separation by implantation of oxygen；SIMOX)、晶圓結(jié)合及/或其他適宜的方法制造。

一些示例性基板210亦包括絕緣體層。絕緣體層包含任何適宜的材料，包括氧化硅、藍寶石及/或其組合。示例性絕緣體層可為內(nèi)埋式氧化物層(buried oxide layer；BOX)。絕緣體是通過任何適宜的制程形成，諸如布植(例如，氧離子植入硅晶隔離法(separation by Implanted oxygen；SIMOX))、氧化、沉積及/或其他適宜的制程。在一些示例性半導(dǎo)體裝置200中，絕緣體層為絕緣體上硅基板的元件(如：一個層)。

基板210亦可包括各種摻雜區(qū)域。摻雜區(qū)域可經(jīng)p型摻雜劑(諸如硼或BF2)、n型摻雜劑(諸如磷或砷)或其組合摻雜。摻雜區(qū)域可直接在基板210上以P阱結(jié)構(gòu)、N阱結(jié)構(gòu)、雙阱結(jié)構(gòu)及/或使用凸起結(jié)構(gòu)形成?；?10可進一步包括各種有效區(qū)域，諸如經(jīng)配置用于N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管裝置的區(qū)域及經(jīng)配置用于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管裝置的區(qū)域。

基板210亦可包括各種隔離特征220。隔離特征220分離基板210中的各種裝置區(qū)域。隔離特征220包括通過使用不同的處理技術(shù)形成的不同的結(jié)構(gòu)。舉例而言，隔離特征220可包括淺溝槽隔離(shallow trench isolation；STI)特征。形成淺溝槽隔離可包括在基板210中蝕刻溝槽及用絕緣體材料(諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)填充溝槽。經(jīng)填充溝槽可具有多層結(jié)構(gòu)，諸如具有氮化硅填充溝槽的熱氧化物內(nèi)襯層?？蓤?zhí)行化學(xué)機械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)以反研磨多余的絕緣體材料且將隔離特征220的頂表面平坦化。

工件205亦包括在基板210上形成的多個鰭式特征230。鰭式特征230可包括硅(Si)、硅鍺(SiGe)、硅鍺錫(SiGeSn)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)或其他適宜的材料。在一些實施例中，鰭式特征230是通過任何適宜的制程形成，包括各種沉積、微影術(shù)及/或蝕刻制程。舉例而言，鰭式特征230是通過圖案化及蝕刻基板210的一部分形成。

工件205亦包括在基板210上的柵極區(qū)域242中的多個虛設(shè)柵極堆疊240，包括環(huán)繞鰭式特征230的一部分。在本實施例中，虛設(shè)柵極堆疊240于后續(xù)制程中將由高介電常數(shù)/金屬柵極(high-k/metal gate；HK/MG)替換。虛設(shè)柵極堆疊240可包括介電層(多晶硅層)。虛設(shè)柵極堆疊240可通過任何適宜的制程(或多個制程)形成，諸如沉積、圖案化及蝕刻。

沿著虛設(shè)柵極堆疊240的側(cè)壁形成側(cè)壁間隔物245。側(cè)壁間隔物245可包括介電材料，諸如氧化硅。或者，側(cè)壁間隔物245可包括氮化硅、碳化硅、氮氧化硅或其組合?？赏ㄟ^沉積柵極側(cè)壁間隔物層及隨后各向異性干式蝕刻柵極側(cè)壁間隔物層來形成側(cè)壁間隔物245。

工件205亦包括在基板210上的源極/漏極區(qū)域252中的源極/漏極(source/drain；S/D)特征250，且與虛設(shè)柵極堆疊240(具有側(cè)壁間隔物245)相鄰。在一些實施例中，源極/漏極特征250為源極特征，且另一源極/漏極特征250為漏極特征。源極/漏極特征250是通過虛設(shè)柵極堆疊240分離。在一個實施例中，開槽鰭式特征230在虛設(shè)柵極堆疊240旁邊的一部分以形成源極/漏極溝槽且隨后通過磊晶生長制程在源極/漏極溝槽上形成源極/漏極特征250，磊晶生長制程包括化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)沉積技術(shù)(例如，氣相磊晶(vapor-phase epitaxy；VPE)及/或超高真空化學(xué)氣相沉積(ultra-high vacuum CVD；UHV-CVD))、分子束磊晶及/或其他適宜的制程。源極/漏極特征250可包括鍺(Ge)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵鋁(AlGaAs)、硅鍺(SiGe)、磷化砷鎵(GaAsP)、銻化鎵(GaSb)、銻化銦(InSb)、砷化鎵銦(InGaAs)、砷化銦(InAs)或其他適宜的材料。在用源極/漏極特征250填充源極/漏極溝槽之后，源極/漏極特征250的頂層的進一步磊晶生長水準(zhǔn)地擴展且小平面可開始形成，諸如菱形小平面。源極/漏極特征250可在磊晶制程期間經(jīng)原位摻雜。在一些實施例中，源極/漏極特征250未經(jīng)原位摻雜，執(zhí)行布植制程(如，接面布植制程)以摻雜源極/漏極特征250。可執(zhí)行一或多個退火制程以啟動摻雜劑。退火制程包含快速熱退火(rapid thermal annealing；RTA)及/或雷射退火制程。

工件205亦包括沉積在基板210上的層間介電(interlayer dielectric；ILD)層260，包括在虛設(shè)柵極堆疊240中的每一者之間或在其之上及在源極/漏極特征250上。層間介電層260可通過化學(xué)氣相沉積、原子層沉積(atomic layer deposition；ALD)、旋涂式涂覆或其他適宜的技術(shù)沉積。層間介電層260可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化物、具有低于熱氧化硅的介電常數(shù)(k)的介電材料(因此稱為低介電常數(shù)材料層)及/或其他適宜的介電材料層。層間介電層260可包括單層或多層?？蓤?zhí)行化學(xué)機械研磨以反研磨層間介電層260以使虛設(shè)柵極堆疊240的頂表面曝露。

應(yīng)注意，圖2B為工件205沿著圖2A中的線A-A的截面圖，其位于兩個源極/漏極特征250之間。圖2C為工件205沿著垂直于線A-A且位于柵極區(qū)域242中的線B-B的截面圖。

參考圖1、圖3A及圖3B，一旦接收工件205后，方法100通過移除虛設(shè)柵極堆疊240以形成具有沿著線A-A方向的第一寬度W1的柵極溝槽310來繼續(xù)至步驟104。在一些實施例中，蝕刻制程可包括選擇性濕式蝕刻及/或選擇性干式蝕刻，其具有相對于鰭式特征230、側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的適當(dāng)?shù)奈g刻選擇性。在一個實施例中，選擇性濕式蝕刻溶液包括氫氧化四甲銨(tetramethylammonium hydroxide；TMAH)、氫氟酸(HF)/硝酸(HNO₃)/乙酸(CH₃COOH)溶液或其他適宜的溶液。可用各種蝕刻參數(shù)調(diào)整各別蝕刻制程，諸如所用蝕刻劑、蝕刻溫度、蝕刻溶液濃度、蝕刻壓力、源功率、射頻偏壓、射頻偏置功率、蝕刻劑流動速率及/或其他適宜的參數(shù)。舉例而言，濕式蝕刻溶液可包括氫氧化氨(NH₄OH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氟酸(HF)、氫氧化四甲銨(TMAH)、其他適宜的濕式蝕刻溶液或其組合。亦可使用諸如深度反應(yīng)性離子蝕刻(deep reactive-ion etching；DRIE)的機構(gòu)來各向異性地執(zhí)行干式蝕刻?；蛘?，可通過包括微影術(shù)圖案化及反蝕刻的一系列制程移除虛設(shè)柵極堆疊240。

參考圖1、圖4A及圖4B，方法100繼續(xù)至步驟106，此處在柵極溝槽中、包括環(huán)繞鰭式特征230的上部沉積柵極介電層412及在柵極介電層412上沉積第一柵極金屬層414。在一些實施例中，第一柵極金屬層414可包括功函數(shù)(work function；WF)金屬層以增強裝置效能(功函數(shù)金屬層)。第一柵極金屬層414沿著線B-B的方向自一個鰭式特征230連續(xù)地延伸至另一鰭式特征230以形成第一金屬柵極接線414L。

在各種實施例中，柵極介電層412可包括界面層、在界面層上形成的高介電常數(shù)介電層。如本文所用及所描述，高介電常數(shù)介電材料包括具有高介電常數(shù)(例如大于熱氧化硅的介電常數(shù)(約3.9))的介電材料。在一些實施例中，界面層可包括介電材料，諸如氧化硅(SiO₂)、HfSiO及/或氮氧化硅(SiON)。界面層可通過化學(xué)氧化、熱氧化、原子層沉積、化學(xué)氣相沉積及/或其他適宜的方法形成。高介電常數(shù)材料層可包括二氧化鉿(HfO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、氧化鋯鉿(HfZrO)、三氧化二鉭(Ta₂O₃)、硅酸鉿(HfSiO₄)、二氧化鋯(ZrO₂)、硅酸鋯(ZrSiO₂)、氧化鑭(LaO)、氧化鋁(AlO)、氧化鋯(ZrO)、氧化鈦(TiO)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、氧化釔(Y₂O₃)、鈦酸鍶(SrTiO₃；STO)、鈦酸鋇(BaTiO₃；BTO)、氧化鋇鋯(BaZrO)、氧化鋯鉿(HfZrO)、氧化鉿鑭(HfLaO)、氧化鉿硅(HfSiO)、氧化鑭硅(LaSiO)、氧化硅鋁(AlSiO)、氧化鉿鉭(HfTaO)、氧化鉿鈦(HfTiO)、鈦酸鍶鋇((Ba,Sr)TiO₃；BST)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)、氮氧化物(SiON)、其組合及/或其他適宜的材料。高介電常數(shù)柵極介電層412可通過原子層沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、氧化及/或其他適宜的方法形成。

在本實施例中，第一柵極金屬層414為最終柵極金屬層的第一部分。第一柵極金屬層414可包括單層或替代地多層結(jié)構(gòu)，諸如金屬層、內(nèi)襯層、濕式層及/或黏著層的各種組合。例如，第一柵極金屬層414可包括鈦(Ti)、氮化鈦鋁(TiAlN)、碳化鉭(TaC)、氮碳化鉭(TaCN)、氮硅化鉭(TaSiN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、其他適宜的金屬材料及/或其組合。在各種實施例中，第一柵極金屬層414可通過原子層沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電子束蒸發(fā)或其他適宜的制程形成。此外，第一柵極金屬層414可對于N型場效晶體管及P型場效晶體管單獨地形成，其可使用不同的金屬層。

在形成柵極介電層412及第一柵極金屬層414之后，柵極溝槽310的第一寬度W1減小至第二寬度W2，如圖4A中所示。在本實施例中，通過選擇第一柵極金屬層414的厚度，第二寬度W2與第一寬度W1的比率大于0.5。

參考圖1、圖5A及圖5B，方法100繼續(xù)至步驟108，此處在第一柵極金屬層414上沉積第一犧牲層420(包括填充剩余柵極溝槽310)。第一犧牲層420可包括旋涂式玻璃、底部抗反射涂層(bottom anti-reflective coating；BARC)、氧化硅、氮化硅、氮氧化物、碳化硅及/或其他適宜的材料。底部抗反射涂層可包括有機底部抗反射涂層或無機底部抗反射涂層。在一些實施例中，第一犧牲層420包括不同于側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的材料以達成蝕刻選擇性后續(xù)蝕刻。第一犧牲層420可通過旋涂式涂覆、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或其他適宜的技術(shù)沉積。在一實施例中，第一犧牲層420完全填充柵極溝槽310。

參考圖1、圖6A及圖6B，方法100繼續(xù)至步驟110，此開槽第一犧牲層420。蝕刻制程可包括濕式蝕刻、干式蝕刻及/或其組合。舉例而言，干式蝕刻制程可包括偏置等離子蝕刻制程，其使用蝕刻劑氣體，包括四氟化碳(CF₄)、三氟化氮(NF₃)、六氟化硫(SF₆)及/或氦(He)。在一些實施例中，選擇蝕刻制程以選擇性蝕刻第一犧牲層420且實質(zhì)上不會蝕刻第一柵極金屬層414。因此，第一犧牲層420的開槽有自對準(zhǔn)性質(zhì)，可緩和制程上的限制。開槽后第一犧牲層420為第一犧牲層420’，第一犧牲層420’具有高度h。在開槽第一犧牲層420之后，通過第一犧牲層420’曝露第一柵極金屬層414的一部分及柵極介電層412的一部分，如圖6A中所示。

參考圖1、圖7A及圖7B，方法100繼續(xù)至步驟112，此處對溝槽310中的經(jīng)曝露的第一柵極金屬層414及經(jīng)曝露的柵極介電層412(分別稱為414’及412’)進行開槽。蝕刻制程可包括濕式蝕刻、干式蝕刻及/或其組合。舉例而言，濕式蝕刻溶液可包括硝酸(HNO₃)、氫氧化氨(NH₄OH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氟酸(HF)、氯化氫(HCl)、氯化鈉(NaOH)、磷酸(H₃PO₄)及/或其他適宜的濕式蝕刻溶液及/或其組合。或者，干式蝕刻制程可實施含氯氣體(例如，氯(Cl₂)、三氯甲烷(CHCl₃)、四氯化碳(CCl₄)及/或三氯化硼(BCl₃))、含溴氣體(例如，溴酸(HBr)及/或三溴甲烷(CHBr₃))、含碘氣體、其他適宜的氣體及/或等離子及/或其組合。在一些實施例中，選擇蝕刻制程以選擇性蝕刻第一柵極金屬層414及柵極介電層412而不實質(zhì)上蝕刻第一犧牲層420’、側(cè)壁間隔物245及層間介電層260。因此，第一柵極金屬層414及柵極介電層412經(jīng)開槽有自對準(zhǔn)性質(zhì)，可緩和制程上的限制?？刂莆g刻制程以使得開槽的第一柵極金屬層414及柵極介電層412的頂表面實質(zhì)上與第一犧牲層420’的頂表面共面。

參考圖1、圖8A及圖8B，方法100繼續(xù)至步驟114，此處移除第一犧牲層420’。蝕刻制程可包括濕式蝕刻、干式蝕刻及/或其組合。舉例而言，濕式蝕刻溶液可包括氫氧化氨(NH₄OH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氟酸(HF)、四甲基氫氧化銨(TMAH)及/或其他適宜的濕式蝕刻溶液及/或其組合。在一些實施例中，選擇蝕刻制程以選擇性蝕刻第一犧牲層420而不實質(zhì)上蝕刻第一柵極金屬層414’、側(cè)壁間隔物245及層間介電層260。因此，第一犧牲層420經(jīng)移除而有自對準(zhǔn)性質(zhì)，進而降低制程上的限制。

參考圖1、圖9A及圖9B，方法100繼續(xù)至步驟116，此處在第一柵極金屬層414’、414及柵極介電層412’上沉積第二犧牲層510。第二犧牲層510是在許多方面類似于上文結(jié)合圖5A及圖5B所論述的第一犧牲層420形成，包括其中所論述的材料。在一些實施例中，第二犧牲層510完全填充柵極溝槽310。

參考圖1、圖10A及圖10B，方法100繼續(xù)至步驟118，此處在第二犧牲層510上形成第一圖案化硬遮罩(hard mask；HM)520。第一圖案化硬遮罩520具有界定線切割的開口525。第一柵極金屬層414及柵極介電層412的一部分在開口525內(nèi)對準(zhǔn)。在一些實施例中，開口525具有沿著線A-A方向的較大寬度以使得鄰近的側(cè)壁間隔物245及層間介電層260在開口525中曝露以獲得優(yōu)點，諸如使微影術(shù)制程解析度的限制舒緩，尤其是在縮小裝置200以使得兩個鄰近鰭式特征230之間的間隔變得愈來愈小時。

在一些實施例中，第一圖案化硬遮罩520可包括圖案化光阻劑層且通過微影術(shù)制程形成。示例性微影術(shù)制程可包括形成光阻劑層、由微影術(shù)曝露制程使光阻劑層曝露、執(zhí)行曝露后烘焙制程及使光阻劑層顯影以形成圖案化光阻劑層?；蛘?，可通過沉積硬遮罩層形成第一圖案化硬遮罩520、通過微影術(shù)制程在硬遮罩層上形成圖案化光阻劑層及經(jīng)由圖案化光阻劑層蝕刻硬遮罩材料層以形成第一圖案化硬遮罩520。舉例而言，硬遮罩材料層可包括氮化硅。

參考圖1、圖11A及圖11B，方法100繼續(xù)至步驟120，執(zhí)行第一線切割，此處經(jīng)由開口525蝕刻第二犧牲層510、第一柵極金屬層414’及柵極介電層412’以形成第一線切割610。第一線切割610沿著線A-A的方向具有第一寬度W1。在本實施例中，第一線切割610延伸至隔離特征220且將第一金屬柵極接線414L分為第一子金屬柵極接線414LA及第二子金屬柵極接線414LB，且其沿著線B-B方向具有寬度d。

蝕刻制程可包括濕式蝕刻、干式蝕刻及/或其組合。干式蝕刻制程可實施含氟氣體(例如，四氟化碳(CF₄)、六氟化硫(SF₆)、二氟甲烷(CH₂F₂)、三氟甲烷(CHF₃)及/或六氟乙烷(C₂F₆))及/或其其他適宜的氣體。濕式蝕刻溶液可包括硝酸(HNO₃)、氫氧化氨(NH₄OH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氟酸(HF)、氯化氫(HCl)、氯化鈉(NaOH)、磷酸(H₃PO₄)及/或其他適宜的濕式蝕刻溶液及/或其組合。在一些實施例中，首先執(zhí)行干式蝕刻制程以蝕刻第二犧牲層510且隨后執(zhí)行濕式蝕刻以蝕刻第一金屬柵極接線414L。

在一些實施例中，選擇蝕刻制程以選擇性蝕刻第二犧牲層510、第一柵極金屬層414’及柵極介電層412’而不實質(zhì)上蝕刻側(cè)壁間隔物245及層間介電層260。如圖所示，對于側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的部分曝露在開口525中的情況(如圖10A及圖10B中所示)，側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的曝露部分一起充當(dāng)子蝕刻遮罩。第一線切割610沿著線A-A的方向具有第一寬度W1。在形成第一線切割610之后，通過蝕刻制程移除圖案化硬遮罩520及第二犧牲層510，如圖11C及圖11D中所示。

通常，在溝槽(例如柵極溝槽310)內(nèi)蝕刻金屬柵極接線具有挑戰(zhàn)性，尤其是在裝置200的縮小，使得柵極溝槽310的第一寬度W1變得愈來愈小時。為解決這一問題，本揭露允許通過將第一柵極金屬層414(參見圖4B)與第二柵極金屬層620(參見圖12B)組合來形成金屬柵極接線，其允許金屬柵極接線的后續(xù)的切割制程可分為兩個獨立的蝕刻制程(參見圖11B及圖19B)，可以降低金屬蝕刻制程上的限制。此兩步制程允許初始形成較薄的金屬層，并從而降低切割各別金屬層的蝕刻的限制。此外，應(yīng)注意，本揭露不限制于形成金屬柵極接線的兩個金屬層。而是，可使用兩個或兩個以上金屬層及兩個或兩個以上各別蝕刻制程以滿足特定的設(shè)計要求。

參考圖1、圖12A及圖12B，方法100繼續(xù)至步驟122，此處在第一最終柵極金屬層414LA及414LB上沉積第二柵極金屬層620(包括填充第一線切割610)。在本實施例中，第二柵極金屬層620為最終柵極金屬層的第二部分。因此，沿著線B-B的方向，第二柵極金屬層620連續(xù)地自一個鰭式特征230延伸至另一鰭式特征230以形成第二金屬柵極接線620L。例如，第二柵極金屬層620可包括鈦(Ti)、氮化鈦鋁(TiAlN)、碳化鉭(TaC)、氮碳化鉭(TaCN)、氮硅化鉭(TaSiN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、其他適宜的金屬材料或其組合。在各種實施例中，第二柵極金屬層620可通過原子層沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電子束蒸發(fā)或其他適宜的制程形成。此外，第二柵極金屬層620可依據(jù)所需的N型場效晶體管及P型場效晶體管單獨地形成，N型場效晶體管及P型場效晶體管可使用不同的金屬層。

參考圖1、圖13A及圖13B，方法100繼續(xù)至步驟124，此處在第二柵極金屬層620上沉積第三犧牲層710。第三犧牲層710是在許多方面類似于上文結(jié)合圖5A及圖5B所論述的第一犧牲層420形成，包括其中所論述的材料。在一些實施例中，第三犧牲層710完全填充柵極溝槽310。

參考圖1、圖14A及圖14B，方法100繼續(xù)至步驟126，此處開槽第三犧牲層710。在許多方面類似于上文結(jié)合圖6A及圖6B論述的開槽制程以開槽第三犧牲層710。經(jīng)開槽的第三犧牲層710(下文稱為710’)具有與第一柵極金屬層414’相同的高度，即高度h。第三犧牲層710開槽之后，第二柵極金屬層620的一部分自第三犧牲層710’曝露，如圖14A中所示。

參考圖1、圖15A及圖15B，方法100繼續(xù)至步驟128，此處在柵極溝槽310中開槽曝露的第二柵極金屬層620。在許多方面類似于上文結(jié)合圖7A及圖7B論述的開槽制程以開槽第二柵極金屬層620。在一些實施例中，選擇蝕刻制程以選擇性蝕刻第二柵極金屬層620而不實質(zhì)上蝕刻第三犧牲層710’、側(cè)壁間隔物245及層間介電層260。因此，第二柵極金屬層620的開槽有自對準(zhǔn)性質(zhì)，可降低制程的限制?？刂莆g刻制程以使得開槽的第二柵極金屬層620的頂表面實質(zhì)上與第三犧牲層710’的頂表面共面。

參考圖1、圖16A及圖16B，方法100繼續(xù)至步驟130，此處移除第三犧牲層710’。在許多方面類似于上文結(jié)合圖8A及圖8B論述的蝕刻制程移除第三犧牲層710’。在一些實施例中，選擇蝕刻制程以選擇性蝕刻第三犧牲層710’而不實質(zhì)上蝕刻第二柵極金屬層620及620’、側(cè)壁間隔物245及層間介電層260。因此，第三犧牲層710’經(jīng)移除有自對準(zhǔn)性質(zhì)，進而降低制程上的限制。在本實施例中，第一柵極金屬層414及第二柵極金屬層620形成最終金屬柵極層630。

參考圖1、圖17A及圖17B，方法100繼續(xù)至步驟132，此處在基板210上沉積第一介電層810(包括填充柵極溝槽310且包括在第二柵極金屬層620’上)。第一介電層810可通過化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、旋涂式涂覆或其他適宜的技術(shù)沉積。第一介電層810可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化物、具有低于熱氧化硅的介電常數(shù)(k)的介電材料(因此稱為低介電常數(shù)材料層)及/或其他適宜的介電材料層。在一些實施例中，第一介電層810包括不同于側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的材料以達成蝕刻選擇性后續(xù)蝕刻。

參考圖1、圖18A及圖18B，方法100繼續(xù)至步驟134，此處在第一介電層810上形成第二圖案化硬遮罩820。第二圖案化硬遮罩820具有開口825。在一些實施例中，開口825沿著線B-B的方向與第一線切割610對準(zhǔn)。在一些實施例中，開口825具有沿著線A-A方向的較大寬度以使得鄰近的側(cè)壁間隔物245及層間介電層260位于開口825內(nèi)，此配置具有優(yōu)點，如可以降低微影術(shù)制程在解析度上的限制，尤其是在裝置200縮小，使得兩個鄰近鰭式特征230之間的間隔變得愈來愈小時。在一些實施例中，在許多方面類似于上文結(jié)合圖10A及圖10B論述的第一圖案化硬遮罩520(包括其中所論述的材料)形成第二圖案化硬遮罩820。

參考圖1、圖19A及圖19B，方法100繼續(xù)至步驟136，此處應(yīng)用第二線切割以經(jīng)由開口825蝕刻第一介電層810及第二柵極金屬層620’來形成與第一線切割610對準(zhǔn)的第二線切割830。因此，第二金屬柵極接線620L經(jīng)切割為兩個第二子金屬柵極接線620LA及620LB，且其沿著線B-B的方向彼此分離寬度d。第二線切割830是在許多方面類似于上文結(jié)合圖11A及圖11B論述的第一線切割610形成。

在一些實施例中，選擇蝕刻制程以選擇性蝕刻介電層810及第二柵極金屬層620’而不實質(zhì)上蝕刻側(cè)壁間隔物245及層間介電層260。如圖所示，對于在蝕刻制程期間側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的部分曝露在開口825中的情況，側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的曝露部分一起充當(dāng)子蝕刻遮罩。在一些實施例中，首先執(zhí)行選擇性干式蝕刻以蝕刻介電層810，且隨后執(zhí)行選擇性濕式蝕刻以蝕刻第二柵極金屬層620。在蝕刻第二柵極金屬層620之后，通過蝕刻制程移除第二圖案化硬遮罩820，如圖19C及圖19D中所示。

如先前已提及，本揭露允許通過將第一柵極金屬層414(參見圖4B)與第二柵極金屬層620(參見圖12B)組合以形成最終金屬柵極接線，而金屬柵極接線的后續(xù)切割制程分為兩個獨立的蝕刻制程(參見圖11B及圖19B)。因此，不同于在同一蝕刻制程期間切割所有形成最終金屬柵極接線的金屬層的已知接線切割制程，本揭露的制程允許在不同的處理時間點個別地切割最終金屬柵極接線的個別金屬層，而可以降低切割各別金屬層的蝕刻制程上的限制。

參考圖1及圖20A至圖20B，方法100繼續(xù)至步驟138，此處用第二介電層910填充第二線切割830及第一線切割610以形成在第一及第二子金屬柵極接線414LA及414LB與第三及第四子金屬柵極接線620LA及620LB之間的隔離區(qū)域915。第二介電層910是在許多方面類似于上文結(jié)合圖19A及圖19B論述的第一介電層810形成，包括其中所論述的材料?？蓤?zhí)行化學(xué)機械研磨以反研磨第二介電層910以提供第二介電層910相對于第一介電層810的實質(zhì)上平坦的頂表面。隔離區(qū)域915在曝露于圖18A中的開口825內(nèi)的鄰近側(cè)壁間隔物245及層間介電層260的部分上延伸。

因此，第三子金屬柵極接線620LA經(jīng)安置在第一子金屬柵極接線414LA上且與其實體接觸以形成第一最終子金屬柵極接線930LA。類似地，第四子金屬柵極接線620LB經(jīng)安置在第二子金屬柵極接線414LB上且與其實體接觸以形成第二最終子金屬柵極接線930LB。第一最終子金屬柵極接線930LA及第二最終子金屬柵極接線930LB由隔離區(qū)域915分離。

可在方法100之前、在其期間及在其之后提供額外步驟，且所描述的一些步驟可經(jīng)替代、消除或替換為方法100的額外實施例。可存在其他替代方案或?qū)嵤├黄x本揭露內(nèi)容的精神及范疇。

半導(dǎo)體裝置200可經(jīng)歷進一步互補式金屬氧化物半導(dǎo)體或金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)處理以形成此項技術(shù)中已知的各種特征及區(qū)域。舉例而言，后續(xù)處理可在基板210上形成各種接觸件/通孔/接線及多層互連特征(例如，金屬層及層間介電裝置)，其經(jīng)配置以連接鰭式場效晶體管裝置200的各種特征或結(jié)構(gòu)。舉例而言，多層互連包括垂直互連件、諸如常規(guī)通孔或接觸件，及水平互連件、諸如金屬接線。各種互連特征可實施各種導(dǎo)電材料，包括銅、鎢及/或硅化物。在一個實例中，使用鑲嵌及/或雙鑲嵌制程形成與銅相關(guān)的多層互連結(jié)構(gòu)。

基于上文，可見本揭露內(nèi)容提供在高介電常數(shù)/金屬柵極替換虛設(shè)柵極堆疊之后切割金屬柵極(metal gate)的方法。方法采用形成/切割金屬柵極接線的第一部分且隨后形成/切割金屬柵極接線的第二部分。方法亦采用通過使用經(jīng)開槽的犧牲層作為蝕刻遮罩的一部分來開槽柵極金屬層。方法演示出用于形成及切割金屬柵極接線的可行且靈活的制程。

本揭露內(nèi)容提供制造半導(dǎo)體裝置的許多不同的實施例，半導(dǎo)體裝置提供優(yōu)于現(xiàn)有方法的一或多種改良。在一個實施例中，用于制造半導(dǎo)體裝置的方法包括在基板上形成第一鰭及第二鰭。第一鰭具有第一源極/漏極區(qū)域及第一柵極區(qū)域且第二鰭具有第二源極/漏極區(qū)域及第二柵極區(qū)域。方法亦包括在第一及第二柵極區(qū)域上形成金屬柵極接線。金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。方法亦包括應(yīng)用線切割以將金屬柵極接線分離為第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接線且在線切割內(nèi)形成隔離區(qū)域。

本揭露的一實施例為切割金屬柵極的方法包括在基板上形成第一鰭及第二鰭，第一鰭具有第一柵極區(qū)域且第二鰭具有第二柵極區(qū)域；及在第一及第二柵極區(qū)域上形成第一金屬柵極接線。第一金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。方法亦包括應(yīng)用第一線切割以將第一金屬柵極接線分離為第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接線，及在第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接線上形成第二金屬柵極接線。第二金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。方法亦包括應(yīng)用第二線切割以將第二金屬柵極接線分離為第三子金屬柵極接線及第四子金屬柵極接線以使得在第三子金屬柵極接線與第四子金屬柵極接線之間形成縫隙，及在縫隙內(nèi)形成隔離區(qū)域。

依據(jù)本揭露的部分實施例，此方法還包含先形成第一金屬柵極接線于第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域上方。形成虛設(shè)柵極堆疊于第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域上方。形成層間介電層于基板上方，以及虛設(shè)柵極堆疊的側(cè)面。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中形成第一金屬柵極接線于第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域上方包含：移除虛設(shè)柵極堆疊以曝露第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域的一部分。形成柵極介電層于第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域的曝露部分上方。形成第一金屬層于第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域內(nèi)的柵極介電層上方。

依據(jù)本揭露的部分實施例，此方法還包含形成第一犧牲層于第一金屬層上方。開槽第一犧牲層的一部分以曝露第一金屬層的一部分。開槽曝露的第一金屬層，其中經(jīng)開槽的第一金屬層的表面實質(zhì)上與經(jīng)開槽的第一犧牲層共平面。移除經(jīng)開槽的第一犧牲層。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中應(yīng)用第一線切割以將第一金屬柵極接線分離為第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接線包含：形成第二犧牲層于經(jīng)開槽的第一金屬層上方。形成經(jīng)圖案化的硬遮罩于第二犧牲層上方，其中經(jīng)圖案化的硬遮罩界定一開口。經(jīng)開口蝕刻第二犧牲層。經(jīng)開口蝕刻第一金屬層。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中在第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接線上形成第二金屬柵極接線包含：形成第二金屬層于第一子金屬柵極接線及第二子金屬柵極接線上方，亦包含于第一線切割上方。形成第三犧牲層于第二金屬層上方。開槽第三犧牲層的一部分以曝露第二金屬層的一部分。開槽曝露的第二金屬層，其中經(jīng)開槽的第二金屬層的表面與經(jīng)開槽的第三犧牲層的表面實質(zhì)上共平面。移除經(jīng)開槽的第三犧牲層。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中應(yīng)用第二線切割以將第二金屬柵極接線分離為第三子金屬柵極接線及第四子金屬柵極接線包含：形成介電層于經(jīng)開槽的第二金屬層上方。形成經(jīng)圖案化的硬遮罩于介電層上方，其中經(jīng)圖案化的硬遮罩界定一開口。經(jīng)開口蝕刻介電層。經(jīng)開口蝕刻第二金屬層。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中在縫隙內(nèi)形成隔離區(qū)域包含：形成另一介電層于縫隙中。開槽另一介電層。

本揭露的另一實施例為一種切割金屬柵極的方法，包含形成第一鰭與第二鰭于基板上，第一鰭具有第一柵極區(qū)域而第二鰭具有第二柵極區(qū)域。形成第一金屬柵極接線于第一柵極區(qū)域與第二柵極區(qū)域上方，其中第一金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。形成第一犧牲層于第一金屬柵極接線上方。形成經(jīng)圖案化的第一硬遮罩于第一犧牲層上方，其中經(jīng)圖案化的第一硬遮罩界定第一開口。經(jīng)由第一開口蝕刻第一犧牲層。經(jīng)由第一開口蝕刻第一金屬柵極接線以形成第一線切割，其中第一金屬柵極接線透過第一線切割被分離為第一子金屬柵極接線與第二子金屬柵極接線。形成第二金屬柵極接線于第一子金屬柵極接線、第二子金屬柵極接線及第一線切割上方，其中第二金屬柵極接線自第一鰭延伸至第二鰭。形成介電層于第二金屬柵極接線上方。形成經(jīng)圖案化的第二硬遮罩于介電層上方，其中經(jīng)圖案化的第二硬遮罩界定第二開口。經(jīng)由第二開口蝕刻介電層。經(jīng)由第二開口蝕刻第二金屬柵極接線以形成第二線切割，其中第二金屬柵極接線透過第二線切割被分離為第三子金屬柵極接線與第四子金屬柵極接線。

依據(jù)本揭露的部分實施例，此方法還包含形成另一介電層于第一線切割與第二線切割內(nèi)。開槽另一介電層以形成隔離區(qū)域。

依據(jù)本揭露的部分實施例，此方法還包含先形成第一金屬柵極接線于第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域上方。形成虛設(shè)柵極堆疊于第一柵極區(qū)域及第二柵極區(qū)域上方。形成層間介電層于虛設(shè)柵極堆疊及第一源/漏極特征上方。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中形成第一金屬柵極接線于第一柵極區(qū)域與第二柵極區(qū)域上方包含：移除虛設(shè)柵極堆疊以曝露第一柵極區(qū)域與第二柵極區(qū)域的一部分。沉積柵極介電層于第一柵極區(qū)域與第二柵極區(qū)域的曝露的部分上方。沉積第一金屬層于第一柵極區(qū)域與第二柵極區(qū)域內(nèi)的柵極介電層上方。

依據(jù)本揭露的部分實施例，此方法還包含：沉積犧牲層于第一金屬層上方。開槽犧牲層的一部分以曝露第一金屬層的一部分。開槽第一金屬層的曝露的部分，其中經(jīng)開槽的第一金屬層的表面與經(jīng)開槽的犧牲層的表面實質(zhì)上共平面。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中開槽犧牲層的一部分以曝露第一金屬層的一部分包含開槽犧牲層而實質(zhì)上不蝕刻第一金屬層。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中開槽第一金屬層的曝露的部分包含開槽第一金屬層而實質(zhì)上不蝕刻犧牲層。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中形成第二金屬柵極接線于第一子金屬柵極接線、第二子金屬柵極接線上方包含：沉積第二金屬層于第一子金屬柵極接線、第二子金屬柵極接線上方。沉積犧牲層于第二金屬層上方。開槽犧牲層的一部分以曝露第二金屬層的一部分。開槽第二金屬層的曝露的部分。其中經(jīng)開槽的第二金屬層的表面與經(jīng)開槽的犧牲層實質(zhì)上共平面。移除經(jīng)開槽的犧牲層。

本揭露的又一實施例為切割金屬柵極的方法，包含形成多個鰭于機板上方，各鰭具有柵極區(qū)域。形成虛設(shè)柵極堆疊于各柵極區(qū)域內(nèi)。沿著虛設(shè)柵極堆疊的側(cè)壁形成側(cè)壁間隔。形成層間介電層于基板上方，以及虛設(shè)柵極堆疊的側(cè)面。移除虛設(shè)柵極堆疊以曝露鰭的部分。形成第一金屬層于鰭的曝露的部分，其中第一金屬層形成第一金屬柵極接線。形成第一線切割以將第一金屬柵極接線切割為第一子金屬柵極接線。形成第二金屬層于第一子金屬柵極接線以及第一線切割上方，其中第二金屬層形成第二金屬柵極接線。形成第二線切割以將第二金屬柵極接線切割為第二子金屬柵極接線。形成隔離區(qū)域于第一線切割與第二線切割內(nèi)。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中形成第一線切割以將第一金屬柵極接線切割為第一子金屬柵極接線包含：形成第一犧牲層于第一金屬柵極接線上方。形成經(jīng)圖案化的第一硬遮罩于第二犧牲層上方，其中經(jīng)圖案化的第一硬遮罩具有第一開口，使得第一金屬層的一部分與開口對齊。經(jīng)由第一開口蝕刻第一犧牲層。經(jīng)由開口蝕刻第一金屬柵極接線。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中形成第二線切割以將第二金屬柵極接線切割為第二子金屬柵極接線包含：形成介電層于第二金屬柵極接線上方。形成經(jīng)圖案化的第二硬遮罩于介電層上方，其中經(jīng)圖案化的第二硬遮罩具有第二開口，使得第一線切割與開口對齊。經(jīng)由第二開口蝕刻介電層。經(jīng)由開口蝕刻第二金屬柵極接線。

依據(jù)本揭露的部分實施例，其中形成隔離區(qū)域于第一線切割與第二線切割內(nèi)包含：形成另一介電層于第一線切割及第二線切割內(nèi)。開槽另一介電層。

前述內(nèi)容概述若干實施例的特征以使得熟悉此項技術(shù)者可較佳地理解本揭露內(nèi)容的態(tài)樣。熟悉此項技術(shù)者應(yīng)理解，其可容易地使用本揭露內(nèi)容作為設(shè)計或修改其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)用于進行本文中所介紹的實施例的相同的目的及/或達成相同的優(yōu)點。熟悉此項技術(shù)者應(yīng)同時意識到，此等等效建構(gòu)不偏離本揭露內(nèi)容的精神及范疇，且其可在本文中進行各種變化、替代及修飾而不偏離本揭露內(nèi)容的精神及范疇。