本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路制造技術(shù)的快速發(fā)展，促使集成電路中的半導(dǎo)體器件，尤其是MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬-氧化物-半導(dǎo)體)器件的尺寸不斷地縮小，以此滿足集成電路發(fā)展的微型化和集成化的要求，而晶體管器件是MOS器件中的重要組成部分之一。

對(duì)于半導(dǎo)體器件來(lái)說，隨著半導(dǎo)體器件的尺寸持續(xù)縮小，現(xiàn)有技術(shù)以氧化硅或氮氧化硅材料形成的柵介質(zhì)層時(shí)，已無(wú)法滿足半導(dǎo)體器件對(duì)于性能的要求。尤其是以氧化硅或氮氧化硅作為柵介質(zhì)層所形成的晶體管容易產(chǎn)漏電流以及雜質(zhì)擴(kuò)散等一系列問題，從而影響晶體管的閾值電壓，造成晶體管的可靠性和穩(wěn)定性下降。

為解決以上問題，一種以高K柵介質(zhì)層和金屬柵構(gòu)成的晶體管被提出，即高k金屬柵(HKMG，High K Metal Gate)晶體管。所述高k金屬柵晶體管采用高k(介電常數(shù))介質(zhì)材料代替常用的氧化硅或氮氧化硅作為柵介質(zhì)材料，以金屬材料或金屬化合物材料替代傳統(tǒng)的多晶硅柵極材料，形成金屬柵。所述高k金屬柵晶體管能夠在縮小尺寸的情況下，能夠減小漏電流，降低工作電壓和功耗，以此提高晶體管的性能。

除此之外，所述高k介質(zhì)材料還能夠作為存儲(chǔ)器件(例如DRAM器件)的柵極結(jié)構(gòu)與襯底之間的柵介質(zhì)層，或者作為電容器兩極之間的介質(zhì)層。

然而，隨著高k介質(zhì)材料的應(yīng)用廣泛，高k介質(zhì)材料的缺點(diǎn)對(duì)半導(dǎo)體器件造成的不良影響也越發(fā)嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能改善。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底表面形成界面層；在所述界面層表面形成高k介質(zhì)層；進(jìn)行第一退火工藝，所述第一退火工藝用于在所述高k介質(zhì)層內(nèi)摻雜優(yōu)化離子，所述優(yōu)化離子用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷。

可選的，所述優(yōu)化離子包括氮離子、氫離子和氟離子中的一種或多種。

可選的，所述高k介質(zhì)層的材料為Hf基介質(zhì)材料。

可選的，所述Hf基介質(zhì)材料為HfO₂。

可選的，所述界面層的材料為氧化硅；所述界面層的形成工藝為熱氧化工藝。

可選的，在形成所述界面層之后，形成所述高k介質(zhì)層之前，進(jìn)行所述第一退火工藝。

可選的，在形成所述高k介質(zhì)層之后，進(jìn)行所述第一退火工藝。

可選的，所述第一退火工藝的氣體包括NH₂F。

可選的，所述第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM。

可選的，所述第一退火工藝的氣體還包括H₂。

可選的，所述第一退火工藝所述NH₂F與H₂的體積比為1:100～100:1。

可選的，還包括：在形成高k介質(zhì)層之后，進(jìn)行第二退火工藝；所述第二退火工藝的氣體包括N₂。

可選的，還包括：在形成所述界面層之前，在所述襯底表面形成偽柵極結(jié)構(gòu)，所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括偽柵極層、以及位于偽柵極層側(cè)壁表面的側(cè)墻；在所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；在形成所述源區(qū)和漏區(qū)之后，在所述襯底表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面；去除所述偽柵極層，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成暴露出襯底表面的開口；在所述開口暴露出的襯底表面形成界面層；在所述開口的側(cè)壁表面和底部的界面層表面形成高k介質(zhì)層。

可選的，還包括：在所述高k介質(zhì)層表面形成偽柵極膜；刻蝕所述偽柵極膜、高k介質(zhì)層和界面層，并暴露出部分襯底表面，在高k介質(zhì)層表面形成偽柵極層；在所述偽柵極層、高k介質(zhì)層和界面層的側(cè)壁表面形成側(cè)墻；在所述偽柵極層、高k介質(zhì)層、界面層和側(cè)墻兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；在形成所述源區(qū)和漏區(qū)之后，在所述襯底表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面；去除所述偽柵極層，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成暴露出高k介質(zhì)層的開口。

可選的，在所述開口內(nèi)的高k介質(zhì)層表面形成填充滿開口的柵極層。

可選的，所述柵極層的材料為金屬和金屬化合物中的一種或多種；所述金屬包括銅、鎢、鋁、銀、鈦和鉭；所述金屬化合物包括氮化鈦和氮化鉭。

可選的，所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁表面，且所述隔離層的表面低于鰭部的頂部表面。

可選的，所述界面層位于所述鰭部的側(cè)壁和頂部表面。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的形成方法中，所述優(yōu)化離子能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，而所述缺陷容易在弛豫過程中產(chǎn)生更大的弛豫電流。一方面，所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷所構(gòu)成的電子陷阱能夠被優(yōu)化離子所填補(bǔ)，從而能夠使高k介質(zhì)層中的缺陷能極自禁帶中移出，使得電子在所述高k介質(zhì)層中遷移時(shí)不易被電子陷阱俘獲，從而能夠使所述高k介質(zhì)層在弛豫過程中所產(chǎn)生的弛豫電流減小。另一方面，所述高k介質(zhì)層內(nèi)的氧空位能夠被所述優(yōu)化離子所填補(bǔ)，從而避免了界面層內(nèi)的氧離子因受氧空位的吸引而向所述高k介質(zhì)層內(nèi)遷移；所述高k介質(zhì)層內(nèi)的極化原子在弛豫過程中不易受到氧離子的干擾，能夠有效地減小高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流。而且，所述優(yōu)化離子不會(huì)降低高k介質(zhì)層的介電常數(shù)。因此，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能改善，由所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的晶體管的正偏壓溫度不穩(wěn)定、以及負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定均得到抑制。

進(jìn)一步，所述優(yōu)化離子包括氮離子、氫離子和氟離子中的一種或多種。在所述高k介質(zhì)層內(nèi)摻雜所述氮離子、氫離子和氟離子，不僅能夠填補(bǔ)所述 高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，以減小高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流，還能夠提高所述高k介質(zhì)層的介電常數(shù)，有利于提高所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

進(jìn)一步，所述高k介質(zhì)層的材料為Hf基介質(zhì)材料。以所述Hf基介質(zhì)材料構(gòu)成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)所產(chǎn)生的漏電流較小，則所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能較佳。而且，通過在所述高k介質(zhì)層內(nèi)摻雜優(yōu)化離子能夠減小高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流。因此，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能改善。

附圖說明

圖1至圖7是本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8至圖10是本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11至圖12是本發(fā)明又一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如背景技術(shù)所述，隨著高k介質(zhì)材料的應(yīng)用廣泛，高k介質(zhì)材料的缺點(diǎn)對(duì)半導(dǎo)體器件造成的不良影響也越發(fā)嚴(yán)重。

經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，高k介質(zhì)材料中的原子在交變電場(chǎng)作用下會(huì)發(fā)生極化，并通過弛豫過程恢復(fù)為電平衡狀態(tài)，即弛豫(Dielectric Relaxation，簡(jiǎn)稱DR)現(xiàn)象。在弛豫過程中，高k介質(zhì)材料中的被極化的原子需要一定的弛豫時(shí)間以恢復(fù)為電平衡狀態(tài)，而且在弛豫過程中，所述高k介質(zhì)材料中會(huì)產(chǎn)生弛豫電流，從而造成能量損耗。具體的，高k介質(zhì)材料內(nèi)的極化強(qiáng)度具有一落后于交變電場(chǎng)的相位角，而弛豫現(xiàn)象造成的能量損耗與所述相位角的正切值呈正比，所述相位角的正切值即損耗因子。

在以高k介質(zhì)材料構(gòu)成的半導(dǎo)體器件中，電容器件由于其工作頻率的變化范圍較小，所述弛豫現(xiàn)象引起的能量損耗在交變電場(chǎng)所提供的能量中所占的比例較小，因此所述能量損耗的變化較小，則所述能量損耗在可控范圍內(nèi)。然而，對(duì)于DRAM存儲(chǔ)器或MOS晶體管來(lái)說，其工作頻率的變化范圍較大， 以DRAM存儲(chǔ)器為例，其工作頻率的范圍在1GHz至1Hz之間；而工作頻率的變化范圍大，使得所述弛豫現(xiàn)象引起的能量損耗變化較大，則所述能量損耗難以進(jìn)行調(diào)控，則所述弛豫現(xiàn)象的影響更為顯著。

另一方面，除了弛豫現(xiàn)象引起的能量損耗，高k介質(zhì)材料中的漏電流也容易引起半導(dǎo)體器件的能量損耗。在高k介質(zhì)材料中，Hf基介質(zhì)材料相較于其他高k介質(zhì)材料具有較低的漏電流；然而，Hf基介質(zhì)材料同時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的弛豫電流。因此，降低，Hf基介質(zhì)材料中的弛豫電流能夠極大的改善半導(dǎo)體器件中的能量損耗問題，提高以高k介質(zhì)材料制造的半導(dǎo)體器件性能。

為了減小Hf基介質(zhì)材料中的弛豫電流，能夠在Hf基介質(zhì)材料中摻雜鑭(La)離子和氮離子，以此抑制Hf基介質(zhì)材料的弛豫現(xiàn)象。然而，在Hf基介質(zhì)材料中摻雜鑭離子會(huì)使得Hf基介質(zhì)材料的介電系數(shù)降低，容易使得所形成的半導(dǎo)體器件的性能變差。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底表面形成界面層；在所述界面層表面形成高k介質(zhì)層；進(jìn)行第一退火工藝，所述第一退火工藝用于在所述高k介質(zhì)層內(nèi)摻雜優(yōu)化離子，所述優(yōu)化離子用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷。

其中，所述優(yōu)化離子能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，而所述缺陷容易在弛豫過程中產(chǎn)生更大的弛豫電流。一方面，所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷所構(gòu)成的電子陷阱能夠被優(yōu)化離子所填補(bǔ)，從而能夠使高k介質(zhì)層中的缺陷能極自禁帶中移出，使得電子在所述高k介質(zhì)層中遷移時(shí)不易被電子陷阱俘獲，從而能夠使所述高k介質(zhì)層在弛豫過程中所產(chǎn)生的弛豫電流減小。另一方面，所述高k介質(zhì)層內(nèi)的氧空位能夠被所述優(yōu)化離子所填補(bǔ)，從而避免了界面層內(nèi)的氧離子因受氧空位的吸引而向所述高k介質(zhì)層內(nèi)遷移；所述高k介質(zhì)層內(nèi)的極化原子在弛豫過程中不易受到氧離子的干擾，能夠有效地減小高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流。而且，所述優(yōu)化離子不會(huì)降低高k介質(zhì)層的介電常數(shù)。因此，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能改善，由所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的晶體管的正偏壓溫度不穩(wěn)定、以及負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定均得到抑制。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖 對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

圖1至圖7是本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

請(qǐng)參考圖1，提供襯底100；在所述襯底100表面形成偽柵極結(jié)構(gòu)110，所述偽柵極結(jié)構(gòu)110包括偽柵極層111、以及位于偽柵極層111側(cè)壁表面的側(cè)墻112。

在本實(shí)施例中，所述襯底100為平面基底。所述襯底100包括硅襯底、硅鍺襯底、碳化硅襯底、絕緣體上硅(SOI)襯底、絕緣體上鍺(GOI)襯底、玻璃襯底或III-V族化合物襯底(例如氮化硅或砷化鎵等)。本實(shí)施例中，所述襯底100為硅襯底。

所述襯底100內(nèi)具有隔離結(jié)構(gòu)；所述隔離結(jié)構(gòu)的材料為絕緣材料，例如氧化硅；所述隔離結(jié)構(gòu)的表面高于或低于所述襯底100表面。

在另一實(shí)施例中，所述襯底用于形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁表面，且所述隔離層的表面低于鰭部的頂部表面。所述偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述鰭部，且所述偽柵極結(jié)構(gòu)位于所述鰭部的部分側(cè)壁和頂部表面。

所述基底和鰭部通過刻蝕平面半導(dǎo)體基底形成；或者，所述鰭部通過選擇性外延沉積工藝形成于基底表面。所述隔離層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k介質(zhì)材料(介電系數(shù)大于或等于2.5，小于3.9)或超低k介質(zhì)材料(介電系數(shù)小于2.5，小于3.9)。

在本實(shí)施例中，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于構(gòu)成高k金屬柵(High k Metal Gate，簡(jiǎn)稱HKMG)晶體管，而所述高k金屬柵晶體管采用后柵(Gate Last)工藝形成。因此，所述襯底100表面首先需要形成偽柵極結(jié)構(gòu)110，所述偽柵極結(jié)構(gòu)110用于為后續(xù)形成的高k介質(zhì)層和柵極層占據(jù)空間位置。

所述偽柵極層111的材料為多晶硅。所述側(cè)墻112用于定義后續(xù)形成的源區(qū)和漏區(qū)與偽柵極層111之間的距離；所述側(cè)墻112的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種組合。

在本實(shí)施例中，所述偽柵極結(jié)構(gòu)110還能夠包括位于襯底100表面的偽柵介質(zhì)層；所述偽柵極層111位于所述偽柵介質(zhì)層表面。所述偽柵介質(zhì)層的材料為氧化硅；所述柵氧層用于在后續(xù)去除偽柵極層111的過程中，保護(hù)襯底100表面。

請(qǐng)參考圖2，在所述偽柵極結(jié)構(gòu)110兩側(cè)的襯底100內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)113；在形成所述源區(qū)和漏區(qū)113之后，在所述襯底100表面形成介質(zhì)層120，所述介質(zhì)層120暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)110的頂部表面。

在本實(shí)施例中，所述源區(qū)和漏區(qū)113的形成步驟包括：在所述偽柵極結(jié)構(gòu)110兩側(cè)的襯底100內(nèi)形成應(yīng)力層；在所述應(yīng)力層內(nèi)摻雜P型離子或N型離子，形成源區(qū)和漏區(qū)113。

當(dāng)所形成的晶體管為PMOS晶體管時(shí)，所述應(yīng)力層材料為SiGe，且所述應(yīng)力層側(cè)壁與襯底100表面呈“Σ”形，所述應(yīng)力層側(cè)壁具有頂角，而所述頂角向偽柵極結(jié)構(gòu)110底部延伸。當(dāng)所形成的晶體管為NMOS晶體管時(shí)，所述應(yīng)力層材料為SiC，且所述第一區(qū)域201的應(yīng)力層底部低于所述襯底100表面。

在應(yīng)力層內(nèi)摻雜P型離子或N型離子的工藝為原位摻雜工藝、離子注入工藝中的一種或兩種組合。

在另一實(shí)施例中，所述源區(qū)和漏區(qū)通過離子注入工藝形成于偽柵極結(jié)構(gòu)110兩側(cè)的襯底100內(nèi)。

所述介質(zhì)層120的形成步驟包括：在所述襯底100和偽柵極結(jié)構(gòu)110表面形成介質(zhì)膜；對(duì)所述介質(zhì)膜進(jìn)行平坦化，直至暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)110的頂部表面，形成所述介質(zhì)層120。

所述介質(zhì)層120的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k介質(zhì)材料或超低k介質(zhì)材料。所述介質(zhì)膜的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。在本實(shí)施例中，所述介質(zhì)膜的形成工藝為流體化學(xué)氣相沉積(Flowable Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱FCVD)工藝。所述平坦化工藝為化學(xué)機(jī)械拋光工藝。

請(qǐng)參考圖3，去除所述偽柵極層111(如圖2所示)，在所述介質(zhì)層120 內(nèi)形成暴露出襯底100表面的開口121。

所述開口121用于形成高k介質(zhì)層和柵極層。去除所述偽柵極層111的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝；所述干法刻蝕工藝為各向同性的干法刻蝕工藝、各向異性的干法刻蝕工藝中的一種或兩種組合進(jìn)行。

在本實(shí)施例中，所述偽柵極層111和襯底100之間還具有偽柵介質(zhì)層，在去除所述偽柵極層111之后，還包括去除所述偽柵介質(zhì)層并暴露出開口121底部的襯底100表面。

在本實(shí)施例中，所述偽柵極層111的材料為多晶硅，去除所述偽柵極層111的工藝為濕法刻蝕工藝；所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液包括氫氟酸和雙氧水的混合溶液、或者包括硫酸和雙氧水的混合溶液。在另一實(shí)施例中，去除所述偽柵極層111的工藝為干法刻蝕工藝，所述干法刻蝕的刻蝕液包括Cl₂、HBr中的一種或兩種混合。

在本實(shí)施例中，所述偽柵介質(zhì)層的材料為氧化硅，去除所述偽柵介質(zhì)層的工藝為濕法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液為氫氟酸。

請(qǐng)參考圖4，在所述開口121暴露出的襯底100表面形成界面層130。

所述界面層130用于增強(qiáng)后續(xù)形成的高k介質(zhì)層與襯底100之間的結(jié)合強(qiáng)度，避免所述高k介質(zhì)層與襯底100之間因發(fā)生晶格失配而產(chǎn)生漏電流。

在本實(shí)施例中，所述界面層130的材料為氧化硅；所述界面層130的形成工藝為氧化工藝；所述氧化工藝包括熱氧化工藝或濕法氧化工藝。

在另一實(shí)施例中，所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，而所述開口暴露出部分鰭部的側(cè)壁和頂部表面，則所述界面層位于所述開口暴露出的鰭部側(cè)壁和頂部表面。

請(qǐng)參考圖5，進(jìn)行第一退火工藝。

在本實(shí)施例中，所述第一退火工藝在形成界面層130之后、形成后續(xù)的高k介質(zhì)層之前進(jìn)行。所述第一退火工藝能夠向所述界面層130內(nèi)摻雜優(yōu)化離子；在后續(xù)形成高k介質(zhì)層之后，通過第二退火工藝的驅(qū)動(dòng)，能夠使所述優(yōu)化離子能夠向所述高k介質(zhì)層內(nèi)擴(kuò)散。所述優(yōu)化離子擴(kuò)散入所述高k介質(zhì) 層之后，能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，例如電子陷阱或氧空位等；從而消除了影響極化原子弛豫的因素，由此減少弛豫電流，提高所形成的高k金屬柵晶體管的性能和穩(wěn)定性。

所述優(yōu)化離子包括氮離子、氫離子和氟離子中的一種或多種。所述氮離子、氫離子和氟離子不僅能夠用于填補(bǔ)后續(xù)的高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，以此減少高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流，還能夠提高所述高k介質(zhì)層的介電系數(shù)，進(jìn)一步提高了所形成的高k金屬柵晶體管的性能。

在本實(shí)施例中，所述第一退火工藝的氣體包括NH₂F；所述第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM。其中，所述NH₂F氣體包括同時(shí)氮離子、氫離子和氟離子，能夠向所述界面層130內(nèi)同時(shí)摻雜氮離子、氫離子和氟離子。

所述第一退火工藝除了在所述界面層130內(nèi)摻雜氮離子、氫離子和氟離子之外，還能夠用于激活所述源區(qū)和漏區(qū)113內(nèi)的P型離子或N型離子。

在另一實(shí)施例中，所述第一退火工藝的氣體還包括NH₂F和H₂的混合氣體；是第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM，所述NH₂F與H₂的體積比為1:100～100:1。

請(qǐng)參考圖6，在所述開口121的側(cè)壁表面和底部的界面層130表面形成高k介質(zhì)層131。

在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層131用于形成高k金屬柵晶體管的柵介質(zhì)層。

所述高k介質(zhì)層131的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層131的形成工藝為原子層沉積工藝，采用所述原子層沉積工藝形成的高k介質(zhì)層131具有良好的階梯覆蓋能力，能夠緊密覆蓋于開口121的側(cè)壁和底部表面，有利于減少所形成的晶體管內(nèi)的漏電流。

所述高k介質(zhì)層131的材料為Hf基介質(zhì)材料；在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層131的材料為HfO₂。所述Hf基介質(zhì)材料內(nèi)的漏電流較低，因此，以所述Hf基介質(zhì)材料作為柵介質(zhì)層時(shí)，有利于提高所形成的晶體管的性能。然而， 所述Hf基介質(zhì)材料的弛豫電流較高，因此，以所述Hf基介質(zhì)材料作為柵介質(zhì)層對(duì)于改善晶體管性能的能力有限。

在本實(shí)施例中，所述界面層130內(nèi)所摻雜的氮離子、氫離子或氟離子能夠向所述高k介質(zhì)層131內(nèi)擴(kuò)散，并能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層131內(nèi)的缺陷，例如電子陷阱或氧空位，從而消除所述高k介質(zhì)層131內(nèi)妨礙極化原子弛豫的缺陷，減小弛豫時(shí)間，并以此減小弛豫電流。因此，以所述Hf基介質(zhì)材料作為柵介質(zhì)層時(shí)，即能夠減小漏電流，又能夠減小弛豫電流，使得所形成的晶體管性能提高。

請(qǐng)參考圖7，在形成高k介質(zhì)層131之后，進(jìn)行第二退火工藝。

所述第二退火工藝用于驅(qū)動(dòng)所述界面層130內(nèi)摻雜的優(yōu)化離子向所述高k介質(zhì)層131內(nèi)擴(kuò)散，使得所述優(yōu)化離子能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層131內(nèi)的缺陷，以此抑制所述高k介質(zhì)層131內(nèi)的弛豫電流。

在本實(shí)施例中，所述第二退火工藝的氣體包括N₂。所述第二退火工藝除了驅(qū)動(dòng)優(yōu)化離子擴(kuò)散入高k介質(zhì)層131之外，還能夠進(jìn)一步激活所述源區(qū)和漏區(qū)113內(nèi)的P型離子或N型離子；此外，所述第二退火工藝還能夠進(jìn)一步排出所述高k介質(zhì)層131內(nèi)的缺陷，以減小弛豫電流。

一方面，所述優(yōu)化離子能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層131內(nèi)的電子陷阱，使得高k介質(zhì)層131的缺陷能級(jí)從禁帶中移除，從而減少了極化原子在弛豫過程，電子不會(huì)被電子陷阱俘獲，則所述極化原子在弛豫過程中受到的干擾減小，能夠減小弛豫時(shí)間，并減小弛豫電流。

另一方面，所述優(yōu)化離子能夠消除所述高k介質(zhì)層131內(nèi)氧空位，則所述高k介質(zhì)層131不會(huì)自所述界面層拉取氧離子。而所述高k介質(zhì)層131內(nèi)的氧離子含量越高，弛豫電流越大。因此，在所述高k介質(zhì)層131內(nèi)摻雜中所述優(yōu)化離子能夠減小弛豫電流減小。并且，所述優(yōu)化離子還能夠優(yōu)化所述界面層130和所述高k介質(zhì)層131之間的接觸界面，減少所述接觸界面處的缺陷，從而能夠減少所述界面層130和高k介質(zhì)層131的漏電流。

在本實(shí)施例中，所述優(yōu)化離子為氮離子、氫離子和氟離子中的一種或多種，在所述高k介質(zhì)層131內(nèi)摻雜所述優(yōu)化離子還能夠提高所述高k介質(zhì)層 131的介電系數(shù)(k)，從而提高所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的漏電流減少、工作性能提高。

在本實(shí)施例中，在所述第二退火工藝之后，還包括：后續(xù)在所述開口內(nèi)的高k介質(zhì)層131表面形成填充滿開口121的柵極層；采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝對(duì)所述柵極層和高k介質(zhì)層131進(jìn)行平坦化，直至暴露出所述介質(zhì)層120表面為止，在所述開口121內(nèi)形成柵介質(zhì)層和柵極層。

其中，所述柵極層的材料為金屬和金屬化合物中的一種或多種；所述金屬包括銅、鎢、鋁、銀、鈦和鉭；所述金屬化合物包括氮化鈦和氮化鉭；所述柵極層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、原子層沉積工藝、電鍍工藝和化學(xué)鍍工藝中的一種或多種。

在本實(shí)施例中，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為高k金屬柵晶體管，所述高k介質(zhì)層131作為所形成的晶體管的柵介質(zhì)層，而所形成的晶體管內(nèi)漏電流和弛豫電流減小，而且，所述晶體管的正偏壓緯度不穩(wěn)定性(PBTI)或負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)得到改善。因此，所形成的晶體管性能改善、可靠性提高。

在其它實(shí)施例中，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還能夠用于形成隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、電容器或閃存存儲(chǔ)器；所述隨機(jī)存儲(chǔ)器能夠?yàn)閯?dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)；所述高k介質(zhì)層能夠作為隨機(jī)存儲(chǔ)器或閃存存儲(chǔ)器的柵介質(zhì)層，或者作為電容器的電極間介質(zhì)層。由于所述高k介質(zhì)層內(nèi)摻雜由優(yōu)化離子，使得所述高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流減小，因此，也能夠使所形成的隨機(jī)存儲(chǔ)器、電容器或閃存存儲(chǔ)器的性能改善。

綜上，本實(shí)施例中，所述第一退火工藝在形成界面層之后、形成高k介質(zhì)層之前進(jìn)行。所述優(yōu)化離子能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，而所述缺陷容易在弛豫過程中產(chǎn)生更大的弛豫電流。一方面，所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷所構(gòu)成的電子陷阱能夠被優(yōu)化離子所填補(bǔ)，從而能夠使高k介質(zhì)層中的缺陷能極自禁帶中移出，使得電子在所述高k介質(zhì)層中遷移時(shí)不易被電子陷阱俘獲，從而能夠使所述高k介質(zhì)層在弛豫過程中所產(chǎn)生的弛豫電流減小。另一方面，所述高k介質(zhì)層內(nèi)的氧空位能夠被所述優(yōu)化離子所填補(bǔ)，從而避免 了界面層內(nèi)的氧離子因受氧空位的吸引而向所述高k介質(zhì)層內(nèi)遷移；所述高k介質(zhì)層內(nèi)的極化原子在弛豫過程中不易受到氧離子的干擾，能夠有效地減小高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流。而且，所述優(yōu)化離子不會(huì)降低高k介質(zhì)層的介電常數(shù)。因此，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能改善，由所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的晶體管的正偏壓溫度不穩(wěn)定、以及負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定均得到抑制。

圖8至圖10是本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

在圖4的基礎(chǔ)上，請(qǐng)繼續(xù)參考圖8，在所述開口121暴露出的襯底100表面形成界面層230。

所述界面層230的材料為氧化硅；所述界面層230的形成工藝為氧化工藝；所述氧化工藝包括熱氧化工藝或濕法氧化工藝。本實(shí)施例中，采用熱氧化工藝形成所述界面層230。

在另一實(shí)施例中，所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，而所述開口暴露出部分鰭部的側(cè)壁和頂部表面，則所述界面層位于所述開口暴露出的鰭部側(cè)壁和頂部表面。

請(qǐng)參考圖9，在所述開口121的側(cè)壁表面和底部的界面層230表面形成高k介質(zhì)層231。

在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層231用于形成高k金屬柵晶體管的柵介質(zhì)層。

所述高k介質(zhì)層231的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層231的形成工藝為原子層沉積工藝。

所述高k介質(zhì)層231的材料為Hf基介質(zhì)材料；在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層231的材料為HfO₂。所述Hf基介質(zhì)材料內(nèi)的漏電流較低，因此，以所述Hf基介質(zhì)材料作為柵介質(zhì)層時(shí)，有利于提高所形成的晶體管的性能。

然而，所述Hf基介質(zhì)材料的弛豫電流較高，因此，以所述Hf基介質(zhì)材料作為柵介質(zhì)層對(duì)于改善晶體管性能的能力有限。為了減少高k介質(zhì)層231 內(nèi)的弛豫電流，后續(xù)需要通過第一退火工藝在所述高k介質(zhì)層231內(nèi)摻雜優(yōu)化離子，用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層231內(nèi)的缺陷，以此減小弛豫電流。

在本實(shí)施例中，在形成所述高k介質(zhì)層231之后，直接進(jìn)行第一退火工藝。

在一實(shí)施例中，在形成所述高k介質(zhì)層之后，進(jìn)行后續(xù)的第一退火工藝之前，還包括進(jìn)行第二退火工藝。所述第二退火工藝的氣體包括N₂，所述第二退火工藝用于激活源區(qū)和漏區(qū)內(nèi)的P型離子或N型離子，還能夠減少所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，減少漏電流和弛豫電流。

請(qǐng)參考圖10，進(jìn)行第一退火工藝，所述第一退火工藝用于在所述高k介質(zhì)層231內(nèi)摻雜優(yōu)化離子，所述優(yōu)化離子用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層231內(nèi)的缺陷。

所述優(yōu)化離子包括氮離子、氫離子和氟離子中的一種或多種。所述氮離子、氫離子和氟離子不僅能夠用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層231內(nèi)的缺陷，以此減少高k介質(zhì)層231內(nèi)的弛豫電流，還能夠提高所述高k介質(zhì)層231的介電系數(shù)，進(jìn)一步提高了所形成的高k金屬柵晶體管的性能。

在本實(shí)施例中，所述第一退火工藝的氣體包括NH₂F；所述第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM。其中，所述NH₂F氣體包括同時(shí)氮離子、氫離子和氟離子，能夠向所述高k介質(zhì)層231內(nèi)同時(shí)摻雜氮離子、氫離子和氟離子。

所述第一退火工藝除了在所述高k介質(zhì)層231內(nèi)摻雜氮離子、氫離子和氟離子之外，還能夠用于激活所述源區(qū)和漏區(qū)113內(nèi)的P型離子或N型離子。

一方面，所述優(yōu)化離子能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層231內(nèi)的電子陷阱，使得高k介質(zhì)層231的缺陷能級(jí)從禁帶中移除，從而減少了極化原子在弛豫過程，電子不會(huì)被電子陷阱俘獲，則所述極化原子在弛豫過程中受到的干擾減小，能夠減小弛豫時(shí)間，并減小弛豫電流。

另一方面，所述優(yōu)化離子能夠消除所述高k介質(zhì)層231內(nèi)氧空位，則所述高k介質(zhì)層231不會(huì)自所述界面層230拉取氧離子。而所述高k介質(zhì)層231內(nèi)的氧離子含量越高，弛豫電流越大。因此，在所述高k介質(zhì)層231內(nèi)摻雜 中所述優(yōu)化離子能夠減小弛豫電流減小。

在另一實(shí)施例中，所述第一退火工藝的氣體還包括NH₂F和H₂的混合氣體；是第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM，所述NH₂F與H₂的體積比為1:100～100:1。

在本實(shí)施例中，在所述第一退火工藝之后，還包括：后續(xù)在所述開口121內(nèi)的高k介質(zhì)層231表面形成填充滿開口121的柵極層；采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝對(duì)所述柵極層和高k介質(zhì)層231進(jìn)行平坦化，直至暴露出所述介質(zhì)層120表面為止，在所述開口121內(nèi)形成柵介質(zhì)層和柵極層。其中，所述柵極層的材料為金屬和金屬化合物中的一種或多種；所述金屬包括銅、鎢、鋁、銀、鈦和鉭。

在其它實(shí)施例中，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還能夠用于形成隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、電容器或閃存存儲(chǔ)器；所述高k介質(zhì)層能夠作為隨機(jī)存儲(chǔ)器或閃存存儲(chǔ)器的柵介質(zhì)層，或者作為電容器的電極間介質(zhì)層；所述隨機(jī)存儲(chǔ)器能夠?yàn)閯?dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)。

綜上，本實(shí)施例中，在界面層表面形成高k介質(zhì)層之后，再進(jìn)行第一退火工藝，用于向所述高k介質(zhì)層內(nèi)摻雜優(yōu)化離子。所述優(yōu)化離子用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，以減小所述高k介質(zhì)層內(nèi)的弛豫電流。由于所述第一退火工藝直接對(duì)所述高k介質(zhì)層進(jìn)行摻雜，使得所述優(yōu)化離子能夠充分填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，能夠更有效地減小弛豫電流。

圖11至圖12是本發(fā)明又一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

請(qǐng)參考圖11，提供襯底300；在所述襯底300表面形成界面層301；在所述界面層301表面形成高k介質(zhì)層302。

在本實(shí)施例中，所述襯底300為平面基底。所述襯底300包括硅襯底、硅鍺襯底、碳化硅襯底、絕緣體上硅(SOI)襯底、絕緣體上鍺(GOI)襯底、玻璃襯底或III-V族化合物襯底(例如氮化硅或砷化鎵等)。本實(shí)施例中，所述襯底300為硅襯底。所述襯底300內(nèi)具有隔離結(jié)構(gòu)；所述隔離結(jié)構(gòu)的材料為絕緣材料，例如氧化硅；所述隔離結(jié)構(gòu)的表面高于或低于所述襯底300表 面。

在另一實(shí)施例中，所述襯底用于形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁表面，且所述隔離層的表面低于鰭部的頂部表面。所述偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述鰭部，且所述偽柵極結(jié)構(gòu)位于所述鰭部的部分側(cè)壁和頂部表面。

所述基底和鰭部通過刻蝕平面半導(dǎo)體基底形成；或者，所述鰭部通過選擇性外延沉積工藝形成于基底表面。所述隔離層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k介質(zhì)材料(介電系數(shù)大于或等于2.5，小于3.9)或超低k介質(zhì)材料(介電系數(shù)小于2.5，小于3.9)。

在本實(shí)施例中，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于構(gòu)成高k金屬柵(High k Metal Gate，簡(jiǎn)稱HKMG)晶體管，而所述高k金屬柵晶體管采用后柵(Gate Last)工藝形成。因此，所述襯底300表面首先需要形成偽柵極層，所述偽柵極層用于為后續(xù)形成的金屬材料的柵極層占據(jù)空間位置。

在本實(shí)施例的高k金屬柵晶體管的形成工藝為高k在前工藝(high-k first)，在形成所述偽柵極層之前，在襯底300表面形成界面層301和高k介質(zhì)層302，而所述高k介質(zhì)層302用于作為所形成的晶體管的柵介質(zhì)層，后續(xù)去除偽柵極層之后，在所述高k介質(zhì)層302表面形成柵極層。

在其它實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還能夠用于形成隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、電容器或閃存存儲(chǔ)器；所述隨機(jī)存儲(chǔ)器能夠?yàn)閯?dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)；所述高k介質(zhì)層能夠作為隨機(jī)存儲(chǔ)器或閃存存儲(chǔ)器的柵介質(zhì)層，或者作為電容器的電極間介質(zhì)層。

所述界面層301用于增強(qiáng)所述高k介質(zhì)層302與襯底300之間的結(jié)合強(qiáng)度，避免所述高k介質(zhì)層302與襯底300之間因發(fā)生晶格失配而產(chǎn)生漏電流。

在本實(shí)施例中，所述界面層301的材料為氧化硅；所述界面層301的形成工藝為氧化工藝；所述氧化工藝包括熱氧化工藝或濕法氧化工藝。

在另一實(shí)施例中，所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，而所述開口暴露出部分鰭部的側(cè)壁和頂部表面，則所 述界面層位于所述開口暴露出的鰭部側(cè)壁和頂部表面。

在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層302用于形成高k金屬柵晶體管的柵介質(zhì)層。

所述高k介質(zhì)層302的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層302的形成工藝為原子層沉積工藝。

所述高k介質(zhì)層302的材料為Hf基介質(zhì)材料；在本實(shí)施例中，所述高k介質(zhì)層302的材料為HfO₂。所述Hf基介質(zhì)材料內(nèi)的漏電流較低，因此，以所述Hf基介質(zhì)材料作為柵介質(zhì)層時(shí)，有利于提高所形成的晶體管的性能。然而，所述Hf基介質(zhì)材料的弛豫電流較高，因此，后續(xù)在所述高k介質(zhì)層302內(nèi)所摻雜優(yōu)化離子，用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層302內(nèi)的缺陷，以此減小弛豫電流。

在本實(shí)施例中，在形成所述高k介質(zhì)層302之后，直接進(jìn)行第一退火工藝。

在另一實(shí)施例中，在形成所述高k介質(zhì)層之后，進(jìn)行后續(xù)的第一退火工藝之前，還包括進(jìn)行第二退火工藝。所述第二退火工藝的氣體包括N₂，所述第二退火工藝用于激活源區(qū)和漏區(qū)內(nèi)的P型離子或N型離子，還能夠減少所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷，減少漏電流和弛豫電流。

請(qǐng)參考圖12，進(jìn)行第一退火工藝，所述第一退火工藝用于在所述高k介質(zhì)層302內(nèi)摻雜優(yōu)化離子。所述優(yōu)化離子用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層302內(nèi)的缺陷。

所述優(yōu)化離子包括氮離子、氫離子和氟離子中的一種或多種。所述氮離子、氫離子和氟離子不僅能夠用于填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層302內(nèi)的缺陷，以此減少高k介質(zhì)層302內(nèi)的弛豫電流，還能夠提高所述高k介質(zhì)層302的介電系數(shù)，進(jìn)一步提高了所形成的高k金屬柵晶體管的性能。

在本實(shí)施例中，所述第一退火工藝的氣體包括NH₂F；所述第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM。其中，所述NH₂F氣體包括同時(shí)氮離子、氫離子和氟離子，能夠向所述高k介質(zhì)層302內(nèi)同時(shí)摻雜氮離子、氫離子和氟離子。

所述第一退火工藝除了在所述高k介質(zhì)層302內(nèi)摻雜氮離子、氫離子和氟離子之外，還能夠用于激活所述源區(qū)和漏區(qū)113內(nèi)的P型離子或N型離子。

一方面，所述優(yōu)化離子能夠填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層302內(nèi)的電子陷阱，使得高k介質(zhì)層302的缺陷能級(jí)從禁帶中移除，從而減少了極化原子在弛豫過程，電子不會(huì)被電子陷阱俘獲，則所述極化原子在弛豫過程中受到的干擾減小，能夠減小弛豫時(shí)間，并減小弛豫電流。

另一方面，所述優(yōu)化離子能夠消除所述高k介質(zhì)層302內(nèi)氧空位，則所述高k介質(zhì)層302不會(huì)自所述界面層301拉取氧離子。而所述高k介質(zhì)層302內(nèi)的氧離子含量越高，弛豫電流越大。因此，在所述高k介質(zhì)層302內(nèi)摻雜中所述優(yōu)化離子能夠減小弛豫電流減小。

在另一實(shí)施例中，所述第一退火工藝的氣體還包括NH₂F和H₂的混合氣體；是第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM，所述NH₂F與H₂的體積比為1:100～100:1。

在本實(shí)施例中，在所述第一退火工藝之后，還包括：在所述高k介質(zhì)層302表面形成偽柵極膜；刻蝕所述偽柵極膜、高k介質(zhì)層302和界面層301，并暴露出部分襯底300表面，在高k介質(zhì)層302表面形成偽柵極層；在所述偽柵極層、高k介質(zhì)層302和界面層301的側(cè)壁表面形成側(cè)墻；在所述偽柵極層、高k介質(zhì)層302、界面層301和側(cè)墻兩側(cè)的襯底300內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；在形成所述源區(qū)和漏區(qū)之后，在所述襯底300表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面；去除所述偽柵極層，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成暴露出高k介質(zhì)層302的開口；在所述開口內(nèi)的高k介質(zhì)層302表面形成填充滿開口的柵極層。其中，所述柵極層的材料為金屬和金屬化合物中的一種或多種；所述金屬包括銅、鎢、鋁、銀、鈦和鉭。

在其它實(shí)施例中，所述第一退火工藝還能夠在形成界面層301之后、形成所述高k介質(zhì)層302之前進(jìn)行；在進(jìn)行所述第一退火工藝、并形成所述高k介質(zhì)層302之后，進(jìn)行第二退火工藝，驅(qū)動(dòng)所述界面層301內(nèi)摻雜的優(yōu)化離子向所述高k介質(zhì)層302內(nèi)擴(kuò)散，以填補(bǔ)所述高k介質(zhì)層302內(nèi)的缺陷，減小弛豫電流。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。