本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法。

背景技術：

專利文獻1中公開了在含有有機材料的平坦化絕緣膜上配置像素電極，形成使像素電極在覆蓋它們的元件分離膜上露出的開口部，元件分離膜可以含有有機材料。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-158292號公報

專利文獻2：日本特開2004-335267號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，在具有有機絕緣膜的顯示裝置中，如專利文獻2公開的那樣，有時形成有用于阻止水分浸入顯示區(qū)域與邊緣之間的分割槽。

在將這樣的分割槽應用于專利文獻1那樣的具有2層有機絕緣膜的顯示裝置的情況下，可以考慮在下側的有機絕緣膜形成第一分割槽之后形成上側的有機絕緣膜，在填埋第一分割槽的部分形成第二分割槽的方法。但是，通過涂敷形成上側的有機絕緣膜時，填埋第一分割槽的部分比下側的有機絕緣膜上的部分厚，所以在用于形成使像素電極露出的開口而優(yōu)化的蝕刻條件下，就無法利用第二分割槽完全分割填埋第一分割槽的部分，上側的有機絕緣膜的殘留膜成為水分侵入路徑，有可能無法得到充分的水分隔絕性。另外，在不產生上側的有機絕緣膜的膜殘留的方式優(yōu)化的蝕刻條件下，會過度蝕刻下側的有機絕緣膜，有可能發(fā)生圖案不良。

本發(fā)明是鑒于上述課題而作出的，其目的在于提供通過提高水分隔絕性而能夠防止由水分向顯示部侵入所導致的發(fā)光層的元件劣化的顯示裝置及其制造方法。

用于解決課題的方法

為了解決上述課題，本發(fā)明的顯示裝置是一種具有配置有多個像素的顯示區(qū)域的顯示裝置，其包括：第一有機絕緣膜；框狀地包圍上述顯示區(qū)域，分割上述第一有機絕緣膜的第一槽；配置于上述第一槽，以包圍上述顯示區(qū)域的框狀存在的由無機絕緣材料構成的第一無機分隔壁部；形成于上述第一有機絕緣膜和上述第一無機分隔壁部的上方的第二有機絕緣膜；和以包圍上述顯示區(qū)域的框狀存在，分割上述第二有機絕緣膜，俯視時位于上述第一槽的內側的第二槽。

另外，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，是一種具有配置有多個像素的顯示區(qū)域的顯示裝置的制造方法，其形成以包圍上述顯示區(qū)域的框狀存在的由無機絕緣材料構成的第一無機分隔壁部，形成具有第一槽、在上述第一槽配置了上述第一無機分隔壁部的第一有機絕緣膜，在上述第一無機分隔壁部配置于上述第一槽的狀態(tài)的上述第一有機絕緣膜的上方形成第二有機絕緣膜，形成以包圍上述顯示區(qū)域的框狀存在、分割上述第二有機絕緣膜、俯視時位于上述第一槽的內側的第二槽。

發(fā)明的效果

根據本發(fā)明，通過在第一槽配置無機分隔壁部，形成于無機分隔壁部的上方的包覆膜的部分比不配置無機分隔壁部的情況薄，所以利用第二槽分割該部分變得容易，其結果是，能夠防止第一槽內的第二有機絕緣膜的膜殘留，能夠提高水分隔絕性。

附圖說明

圖1是第一實施方式的顯示裝置的俯視圖。

圖2是上述顯示裝置的截面圖。

圖3是表示上述顯示裝置的制造工序的圖。

圖4是表示參考例的顯示裝置的制造工序的圖。

圖5是第二實施方式的顯示裝置的截面圖。

圖6是第三實施方式的顯示裝置的截面圖。

圖7是第四實施方式的顯示裝置的截面圖。

圖8是第五實施方式的顯示裝置的截面圖。

圖9是第六實施方式的顯示裝置的截面圖。

圖10是第七實施方式的顯示裝置的截面圖。

圖11是變形例的顯示裝置的截面圖。

圖12是變形例的顯示裝置的截面圖。

圖13是變形例的顯示裝置的截面圖。

附圖標記說明

1顯示裝置

2顯示面板

2a顯示區(qū)域

2c邊框區(qū)域

2e邊緣

3fpc

4水分隔絕結構

5水分隔絕結構

6陣列基板

7相對基板

8填充材料

9密封件

11基板

13層間絕緣膜

15層間絕緣膜(無機絕緣膜)

17有機平坦化膜(第一有機絕緣膜)

17c第一分割槽

17p包覆膜

18層間絕緣膜(無機絕緣膜)

19像素分離膜(第二有機絕緣膜)

19a開口

19c第二分割槽

19p包覆膜

21有機膜

23相對電極(陰極)

25密封膜

30像素電路

32半導體膜

33柵極電極

34源極電極

36漏極電極(下部電極)

36c導電膜

37電容形成電極

38像素電極(陽極)

38c導電膜

381導電膜

382導電膜

383導電膜

39導電膜

40電路元件

42半導體膜

43柵極電極

44源極電極

46漏極電極

47配線

48配線

49配線

50無機分隔壁部

51無機基部

52有機基部

61基板

63bm

65密封膜

67彩色濾光片

70端子

97有機平坦化膜

97c第一分割槽

98像素電極

99像素分離膜

99a開口

99c第二分割槽

99p包覆膜

99y填埋部

99z殘渣。

具體實施方式

下面，參照附圖說明本發(fā)明的實施方式。本說明書公開的不過是本發(fā)明的一例，本領域技術人員在保持本發(fā)明的主旨而適當變更的情況下容易想到的都包含在本發(fā)明的范圍中。圖中所示的各部分的寬度、厚度和形狀等，有時是示意性的表示，它們并不限定本發(fā)明的解釋。另外，本說明書和各圖中，對于與有關已經出現(xiàn)的圖所述的要素同樣的要素，標注相同的符號，有時適當省略詳細的說明。

另外，作為顯示裝置的一例，對使用作為一種自發(fā)光元件的oled(organiclightemittingdiode：有機發(fā)光二極管)的有機el(electroluminescence：電致發(fā)光)顯示裝置進行說明。

[第一實施方式]

圖1是第一實施方式的顯示裝置1的俯視圖。圖2是圖1的用ii-ii線截斷時的截面圖。顯示裝置1包括：顯示面板2；和安裝于該顯示面板2的端部的fpc(flexibleprintedcircuit：撓性印制電路)3。在顯示面板2的中央部設置有多個像素以矩陣狀排列的矩形的顯示區(qū)域2a。多個像素優(yōu)選被分類為多個發(fā)光色，像素的發(fā)光色例如為紅色、綠色、藍色三色或紅色、綠色、藍色、白色四色等。作為像素的發(fā)光色，也可以包含青色、品紅色、黃色。

在顯示區(qū)域2a的周圍設置有框狀的邊框區(qū)域2c。在邊框區(qū)域2c設置有用于抑制水分從顯示面板2的邊緣2e侵入到顯示區(qū)域2a的多個水分隔絕結構4,5。水分隔絕結構4,5位于顯示面板2的邊緣2e與顯示區(qū)域2a之間，以包圍顯示區(qū)域2a的方式形成為框狀。圖示的例子中，2個水分隔絕結構4,5在從邊緣2e向顯示區(qū)域2a去的方向(以下將該方向稱為水分侵入方向)排列，但并不限定于此，水分隔絕結構也可以只有1個。另外，圖示的例子中，水分隔絕結構4,5各自不間斷地包圍顯示區(qū)域2a，但并不限定于此，在框內存在其他的無機絕緣材料等結構物的情況等時，水分隔絕結構也可以在中途間斷。

顯示面板2包括陣列基板6和與陣列基板6相對的相對基板7。如圖12所示，也可以不設置相對基板7。陣列基板6和相對基板7通過填充材料8貼合。具體來說，沿著顯示面板2的邊緣2e設置有框狀的密封件9，在比密封件9靠內側的空間填充有填充材料8。顯示面板2例如是在相對于陣列基板6的向相對基板7的方向(以下將該方向稱為上方，將與該方向相反的方向稱為下方)射出光的頂部發(fā)光型。

相對基板7包括例如由玻璃構成的基板61?；?1也可以為聚酰亞胺等具有可撓性的樹脂。在顯示面板2為頂部發(fā)光型的情況下，基板61是透明的。在基板61的面向陣列基板6的一側設置有：與各像素的發(fā)光區(qū)域對應地形成有開口的黑矩陣(bm)63；以與bm63的一部分重疊的方式形成的彩色濾光片67；和覆蓋bm63和彩色濾光片67的平坦化層65。彩色濾光片67也可以設置于陣列基板6。也可以不設置平坦化層65。

陣列基板6包括例如由玻璃構成的基板11。基板11也可以為聚酰亞胺等具有可撓性的樹脂。在顯示面板2為頂部發(fā)光型的情況下，基板11也可以不是透明的。在基板11的面對相對基板7的一側的顯示區(qū)域2a設置有與各像素對應的像素電路30等，在邊框區(qū)域2c設置有水分隔絕結構4,5等。像素電路30包括tft(thinfilmtransistor：薄膜晶體管)且以與各像素對應的方式配置。

顯示區(qū)域2a中，在基板11的上方配置有半導體膜32?；?1和半導體膜32由層間絕緣膜13覆蓋，在層間絕緣膜13的上方配置有柵極電極33。層間絕緣膜13和柵極電極33由層間絕緣膜15覆蓋，在層間絕緣膜15的上方配置有源極電極34和漏極電極36。在層間絕緣膜13,15形成有用于將源極電極34和漏極電極36連接到半導體膜32的層間連接孔。由這些半導體膜32、柵極電極33、源極電極34和漏極電極36構成像素電路30的tft。柵極電極33與未圖示的另一tft的漏極電極連接，源極電極34與未圖示的電源線連接。半導體膜32例如由ltps半導體、非晶半導體、氧化物半導體等構成。層間絕緣膜13,15是例如由氧化硅、氮化硅等無機材料構成的無機絕緣膜。柵極電極33、源極電極34和漏極電極36例如由鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬構成。

圖示的例子中，半導體膜32與基板11接觸，但并不限定于此，也可以在基板11與半導體膜32之間存在有如圖11所示那樣的一個或多個底涂層12。底涂層12例如是由氧化硅、氮化硅等無機材料構成的無機絕緣膜。

層間絕緣膜15、源極電極34和漏極電極36由有機平坦化膜17覆蓋，在有機平坦化膜17的上方配置有像素電極38。在有機平坦化膜17形成有用于將像素電極38與漏極電極36連接的層間連接孔。有機平坦化膜17是第一有機絕緣膜的一例，是例如含有丙烯酸樹脂等有機材料的有機絕緣膜。有機平坦化膜17與其他層間絕緣膜相比形成得較厚，具有平坦的上表面。像素電極38例如為陽極，以與各像素對應的方式配置。像素電極38例如由銦錫氧化物(ito)、鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬構成，可以具有反射面。

有機平坦化膜17和像素電極38由像素分離膜19覆蓋，在像素分離膜19形成有使像素電極38除了端部以外露出的開口19a。具體來說，像素分離膜19覆蓋像素電極38的端部，在除此以外的區(qū)域，像素電極38露出。像素分離膜19的形成開口19a的內緣部，具有平緩的錐形狀。像素分離膜19是第二有機絕緣膜的一例，例如是含有丙烯酸樹脂等有機材料的有機絕緣膜。像素分離膜19也被稱為格堤部(bank)或肋部(rib)。

像素分離膜19和在開口19a內露出的像素電極38，由包含發(fā)光層的有機膜21覆蓋。有機膜21例如從像素電極38側起依次包含空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層。有機膜21的疊層結構并不限定于此，只要至少包含發(fā)光層就沒有特別限定。其中，本實施方式中，有機膜21中包含的發(fā)光層的發(fā)光色為白色，但并不限定于此，也可以為其他顏色。有機膜21通過例如沒有使用掩模的蒸鍍而成膜，形成于包含顯示區(qū)域2a的范圍，直到內側的水分隔絕結構4的跟前為止。

有機膜21由相對電極23覆蓋。相對電極23例如為陰極，以覆蓋有機膜21的整體的方式形成。相對電極23例如由銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)等透明導電材料構成。相對電極23例如形成于覆蓋有機膜21的范圍，形成至內側的水分隔絕結構4與外側的水分隔絕結構5之間。而且，相對電極23由密封膜25覆蓋。密封膜25例如是由氧化硅、氮化硅等無機材料構成的無機絕緣膜，遍及陣列基板6的整體形成。密封膜25與填充材料8和密封件9接觸。

在邊框區(qū)域2c分別設置有將有機平坦化膜17和像素分離膜19各自分割的水分隔絕結構4,5。在水分隔絕結構4,5形成有分割有機平坦化膜17的第一分割槽17c，在第一分割槽17c配置有無機分隔壁部50。第一分割槽17c和無機分隔壁部50將有機平坦化膜17分割。無機分隔壁部50例如由氧化硅、氮化硅等無機絕緣材料構成。無機絕緣材料不使水分通過，另外與金屬不同，不發(fā)生腐蝕，所以作為隔絕水分的結構最適合。無機分隔壁部50例如具有梯形的截面形狀，具有上表面，隨著向下方去寬度擴大。與之相對應，第一分割槽17c成為上側的寬度比下側的寬度窄的突出(overhang)形狀。無機分隔壁部50的上表面位于比有機平坦化膜17的上表面靠上方的位置，例如位于與像素電極38的上表面相同程度的高度。

另外，在水分隔絕結構4,5形成有分割像素分離膜19的第二分割槽19c。第二分割槽19c以俯視時包含在第一分割槽17c的內側的方式形成。例如，第二分割槽19c的下側的開口俯視時可以包含在第一分割槽17c的上側的開口的內側。另外，第二分割槽19c只要俯視時與第一分割槽17c重疊，也可以不一定以包含在內側的方式形成。第二分割槽19c例如以無機分隔壁部50的上表面為底，以第二分割槽19c的下側的開口包含在無機分隔壁部50的上表面的方式形成。像素分離膜19的形成第二分割槽19c的邊緣部，與無機分隔壁部50的上側的角部接觸。

而且，相對電極23和密封膜25疊層在內側的水分隔絕結構4的無機分隔壁部50的上方，密封膜25疊層在外側的水分隔絕結構5的無機分隔壁部50的上方。在內側的水分隔絕結構4與外側的水分隔絕結構5之間形成有像素電極38和同層的導電膜39，相對電極23通過形成于像素分離膜19的開口與導電膜39連接。另外，本實施方式中，在水分隔絕結構5與邊緣2e之間存在有機層，但也可以如圖13所示為不存在該有機層的結構。

如以上說明的那樣，由第一分割槽17c、第二分割槽19c和無機分隔壁部50構成水分隔絕結構4,5。這樣，有機平坦化膜17和像素分離膜19在水分隔絕結構4,5中被分割，包含有機材料的任意的膜都不跨過水分隔絕結構4,5的區(qū)域，換句話說，跨過水分隔絕結構4,5的區(qū)域的所有的膜都不包含有機材料。因此，能夠抑制水分從顯示面板2的邊緣2e向顯示區(qū)域2a侵入，能夠提高水分隔絕性。

邊框區(qū)域2c中，在無機分隔壁部50的下方配置有與像素電路30同樣的包括tft的電路元件40。電路元件40例如為柵極驅動電路。電路元件40包含與像素電路30的源極電極34和漏極電極36同層的導電膜36c。另外，在無機分隔壁部50與層間絕緣膜15之間配置有跨過水分隔絕結構4,5的區(qū)域的配線47。配線47與電路元件40連接。配線47由與像素電路30的源極電極34和漏極電極36同層的導電膜36c構成。漏極電極36是下部電極的一例。在此，同層是指同時成膜的由相同材料構成的層。

本實施方式中，在水分隔絕結構4,5設置有無機分隔壁部50，在無機分隔壁部50的上方配置相對電極23，所以不需要考慮與相對電極23的短路，能夠在水分隔絕結構4,5的區(qū)域配置與像素電路30的源極電極34和漏極電極36同層的導電膜36c。由此，能夠在水分隔絕結構4,5的區(qū)域設置使用了該導電膜36的電路元件40和配線47。另外，由于能夠在水分隔絕結構4,5的區(qū)域配置電路元件40，所以能夠有助于窄邊框化。

[制造方法]

圖3是表示顯示裝置1的一部分制造工序的圖。該圖中，省略了比層間絕緣膜15靠下方的絕緣膜和一部分的導電膜。

(a)中，有選擇地在層間絕緣膜15的上方形成有無機分隔壁部50。無機分隔壁部50的有選擇的形成，例如通過如下方式實現(xiàn)：通過cvd(chemicalvapordeposition：化學氣相沉積)形成覆蓋層間絕緣膜15的無機材料的包覆膜，通過光蝕刻技術對該包覆膜進行圖案形成。無機分隔壁部50例如由氧化硅、氮化硅等無機材料構成。無機分隔壁部50的厚度例如為2.2μm左右。

(b)中，在層間絕緣膜15的上方形成之后成為有機平坦化膜17的包覆膜17p。包覆膜17p的成膜例如通過旋涂等涂敷法實現(xiàn)，包覆膜17p的上表面平坦地形成。在此，由于以形成了無機分隔壁部50的狀態(tài)通過涂敷法形成包覆膜17p，所以包覆膜17p避開無機分隔壁部50，以無機分隔壁部50的上部比包覆膜17p的上表面突出的方式形成。由此，形成在面內方向分割包覆膜17p的、由無機分隔壁部50填埋的第一分割槽17c。即，包覆膜17p與無機分隔壁部50的界面形成第一分割槽17c。包覆膜17p例如包含例如丙烯酸樹脂等有機材料。包覆膜17p的厚度例如為2μm左右。

另外，并不限定于此方法，也可以例如在包覆膜17p形成第一分割槽17c之后，在第一分割槽17c的內側形成無機分隔壁部50。

(c)中，通過光蝕刻技術對包覆膜17p進行圖案形成，完成有機平坦化膜17。形成上表面平坦的有機平坦化膜17的理由在于，抑制包含發(fā)光層的有機膜21發(fā)生斷裂而使像素電極38與相對電極23短路，是為了防止有機膜的斷裂(參照圖2)。

(d)中，有選擇地在有機平坦化膜17的上方形成像素電極38和導電膜39。像素電極38和導電膜39的有選擇的形成，例如通過如下方式實現(xiàn)：通過濺射或蒸鍍形成覆蓋有機平坦化膜17的金屬膜，通過光蝕刻技術對該金屬膜進行圖案形成。像素電極38和導電膜39例如由ito、鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬構成。像素電極38和導電膜39的厚度例如為0.2μm左右。

(e)中，在有機平坦化膜17、無機分隔壁部50、像素電極38和導電膜39的上方形成之后成為像素分離膜19的包覆膜19p。包覆膜19p的成膜例如通過旋涂等涂敷法實現(xiàn)，包覆膜19p的上表面平坦地形成。包覆膜19p例如包含丙烯酸樹脂等有機材料。包覆膜19p的厚度例如為1μm左右。

(f)中，通過光蝕刻技術進行圖案形成，由此在包覆膜19p同時形成使像素電極38露出的開口19a和分割包覆膜19p的第二分割槽19c，完成像素分離膜19。

本實施方式中，在第一分割槽17c配置有無機分隔壁部50，所以包覆膜19p的形成于無機分隔壁部50的上方的部分比不配置無機分隔壁部50的情況(參照后述的圖4)薄。因此，即使在為了在包覆膜19p形成開口19a而優(yōu)化的蝕刻條件下，也能夠提高除去包覆膜19p的形成于無機分隔壁部50的上方的部分的可靠性，能夠得到殘渣少或極少的第二分割槽19c。其結果是，能夠提高水分隔絕性。

無機分隔壁部50的上表面優(yōu)選位于比有機平坦化膜17的上表面靠上方，位于比像素分離膜19的上表面靠下方，特別優(yōu)選為與像素電極38的上表面相同程度的高度。在這種情況下，包覆膜19p的形成于無機分隔壁部50的上方的部分，與包覆膜19p的形成于像素電極38的上方的部分為相同程度的厚度，所以為了在包覆膜19p形成開口19a而優(yōu)化的蝕刻條件，對第二分割槽19c的形成來說也是優(yōu)化的條件，能夠進一步提高除去的可靠性。

[參考例]

圖4是表示沒有配置上述無機分隔壁部50的參考例的顯示裝置的制造工序的圖。(x)中，在有機平坦化膜97形成第一分割槽97c，在有機平坦化膜97的上方有選擇地形成像素電極98。層間絕緣膜95在第一分割槽97c的底部露出。

(y)中，在有機平坦化膜97和在第一分割槽97c的底部露出的層間絕緣膜95的上方，通過旋涂等涂敷法等形成之后成為像素分離膜99的包覆膜99p。此時，在第一分割槽17c的內側形成填埋大量包覆膜99p的材料而成的填埋部99y。該填埋部99y比包覆膜99p的形成于像素電極98的上方的部分厚。

(z)中，通過光蝕刻技術進行圖案形成，由此在包覆膜99p形成使像素電極98露出的開口99a和分割包覆膜99p的第二分割槽99c。但是，由于在第一分割槽17c的內側存在厚的填埋部99y，所以在為了在包覆膜99p形成開口99a而優(yōu)化的蝕刻條件下，無法除盡填埋部99y，有可能成為殘渣99z而使水分隔絕性變得不充分。

[第二實施方式]

圖5是第二實施方式的顯示裝置的截面圖。第二實施方式的水分隔絕結構4,5中，無機分隔壁部50的上表面位于比有機平坦化膜17的上表面靠下方的位置，第二分割槽19c位于第一分割槽17c的內側。第一分割槽17c通過如下方式形成：例如先形成無機分隔壁部50，以該狀態(tài)形成覆蓋無機分隔壁部50的作為有機平坦化膜17的包覆膜，通過蝕刻將該包覆膜的形成于無機分隔壁部50的上方的部分除去。因此，第一分割槽17c包括配置無機分隔壁部50的下部和通過蝕刻形成的上部。第二分割槽19c以無機分隔壁部50的上表面為底，像素分離膜19的形成第二分割槽19c的邊緣部，覆蓋第一分割槽17c的傾斜面，并與無機分隔壁部50的上表面接觸。有機平坦化膜17的厚度例如為2μm左右，無機分隔壁部50的厚度例如為1.5μm左右。

像這樣即使無機分隔壁部50的上表面位于比有機平坦化膜17的上表面靠下方的位置，在形成像素分離膜19時，成為像素分離膜19的包覆膜的形成于無機分隔壁部50的上方的部分也比不配置無機分隔壁部50的情況薄，因此能夠提高除去該部分的可靠性，由此能夠提高水分隔絕性。另外，能夠使形成無機分隔壁部50的時間、例如沉積成為無機分隔壁部50的包覆膜的時間比第一實施方式縮短，能夠兼顧水分隔絕性和生產率。

[第三實施方式]

圖6是第三實施方式的顯示裝置的截面圖。第三實施方式的水分隔絕結構4,5中，在無機分隔壁部50的內側設置有有機基部52。具體來說，在層間絕緣膜15的上方配置有有機基部52，以覆蓋有機基部52的方式形成有無機分隔壁部50。有機基部52的上表面和側面被無機分隔壁部50覆蓋，有機基部52的下表面被層間絕緣膜15、導電層36c覆蓋。利用這樣的在內側配置有有機基部52的無機分隔壁部50也能夠實現(xiàn)水分隔絕結構4,5。另外，有機材料與無機材料相比，迅速地形成厚的包覆膜較容易，因此通過預先設置有機基部52且以覆蓋其的方式形成無機分隔壁部50，能夠實現(xiàn)形成時間的縮短。

[第四實施方式]

圖7是第四實施方式的顯示裝置的截面圖。第四實施方式的水分隔絕結構4,5中，在無機分隔壁部50的上方配置有與像素電極38同層的導電膜38c。無機分隔壁部50的上表面位于比有機平坦化膜17的上表面靠下方的位置，導電膜38c位于第一分割槽17c的內側。導電膜38c的上表面位于比有機平坦化膜17的上表面靠下方的位置，但并不限定于此，也可以位于比有機平坦化膜17的上表面靠上方的位置。第二分割槽19c以導電膜38c的上表面為底面，像素分離膜19的形成第二分割槽19c的邊緣部，覆蓋第一分割槽17c的傾斜面，并與導電膜38c的上表面接觸。導電膜38c與像素電極38電分離。

像這樣通過在無機分隔壁部50的上方配置導電膜38c，確保無機分隔壁部50與導電膜38c的合計的厚度，能夠提高水分隔絕性。即，在形成像素分離膜19時，成為像素分離膜19的包覆膜的形成于導電膜38c的上方的部分的厚度也比第二實施方式薄，因此能夠進一步提高除去該部分的可靠性，由此能夠提高水分隔絕性。

[第五實施方式]

圖8是第五實施方式的顯示裝置的截面圖。第五實施方式的水分隔絕結構4,5中，利用層間絕緣膜15形成無機分隔壁部50。圖示的例子中，在基板11的上方配置有無機基部51，在無機基部51的上方疊層有層間絕緣膜13,15，由此，上表面和側面形成由層間絕緣膜15構成的無機分隔壁部50。無機基部51例如由氧化硅、氮化硅等無機材料構成。通過利用這樣的層間絕緣膜15所形成的無機分隔壁部50也能夠提高水分隔絕性。

另外，第五實施方式中，構成無機分隔壁部50的層間絕緣膜15的上表面成為第二分割槽19c的底面。在這種情況下，在構成無機分隔壁部50的層間絕緣膜15的上表面設置與像素電路30的源極電極34和漏極電極36同層的配線47(參照圖2等)時，與相對電極23的短路成為問題。于是，第五實施方式中，在水分隔絕結構4,5的區(qū)域中利用與像素電路30的柵極電極33同層的配線48。具體來說，在邊框區(qū)域2c的水分隔絕結構4,5以外的區(qū)域，配置有與像素電路30的源極電極34和漏極電極36同層的配線49，在水分隔絕結構4,5的區(qū)域，經由形成于層間絕緣膜15的層間連接孔與配線49連接的、與像素電路30的柵極電極33同層的配線48配置在層間絕緣膜13,15之間。

[第六實施方式]

圖9是第六實施方式的顯示裝置的截面圖。第六實施方式中，在有機平坦化膜17與像素分離膜19之間配置有層間絕緣膜18，在有機平坦化膜17與層間絕緣膜18之間配置有夾著層間絕緣膜18與像素電極38相對的電容形成電極37。層間絕緣膜18例如是由氧化硅、氮化硅等無機材料構成的無機絕緣膜。電容形成電極37例如由鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬構成。

層間絕緣膜18和電容形成電極37也擴展到邊框區(qū)域2c。層間絕緣膜18例如擴展到邊框區(qū)域2c的整體，電容形成電極37例如超過內側的水分隔絕結構4擴展到內側的水分隔絕結構4與外側的水分隔絕結構5之間。由此，在內側的水分隔絕結構4的無機分隔壁部50的上方配置有層間絕緣膜18和電容形成電極37，在外側的水分隔絕結構5的無機分隔壁部50的上方配置有層間絕緣膜18。第二分割槽19c例如以層間絕緣膜18中的形成于無機分隔壁部50的上方的部分為底。另外，電容形成電極37在內側的水分隔絕結構4與外側的水分隔絕結構5之間經由導電膜39與相對電極23連接，由此電容形成電極37與相對電極23成為同電位。

像這樣在無機分隔壁部50的上方配置層間絕緣膜18和電容形成電極37的至少一者，也能夠提高水分隔絕性。另外，像這樣通過在無機分隔壁部50的上方配置層間絕緣膜18、電容形成電極37，確保無機分隔壁部50、層間絕緣膜18和電容形成電極37的合計的厚度，能夠提高水分隔絕性。即，在形成像素分離膜19時，成為像素分離膜19的包覆膜的形成于層間絕緣膜18的上方的部分的厚度比第二實施方式還薄，因此能夠進一步提高除去該部分的可靠性，由此能夠提高水分隔絕性。

[第七實施方式]

圖10是第七實施方式的顯示裝置的截面圖。第七實施方式的水分隔絕結構4,5中，無機分隔壁部50包含無機基部51和導電膜36c，在無機分隔壁部50的上方配置有電容形成電極37、層間絕緣膜18和導電膜38c。第二分割槽19c以導電膜38c的上表面為底面。像這樣，通過利用無機基部51、導電膜36c、電容形成電極37、層間絕緣膜18和導電膜38c，能夠確保它們的合計的厚度，提高水分隔絕性。即，在形成像素分離膜19時，成為像素分離膜19的包覆膜的形成于導電膜38c的上方的部分的厚度比第二實施方式還薄，因此能夠進一步提高除去該部分的可靠性，由此能夠提高水分隔絕性。

[變形例]

上述第六實施方式(參照圖9)，可以應用于圖11所示的截面結構的顯示裝置。本變形例中，配置于顯示區(qū)域2a的像素電路30的tft例如為nchtft，配置于邊框區(qū)域2c的柵極驅動電路等的電路元件40例如為pchtft。nchtft中，在半導體膜32的與柵極電極33相對的溝道區(qū)域與源極電極34和漏極電極36所連接的連接區(qū)域之間，設置有低濃度雜質區(qū)域。pchtft中，在半導體膜42的與柵極電極43相對的溝道區(qū)域與源極電極44和漏極電極46所連接的連接區(qū)域之間，設置有低濃度雜質區(qū)域。

像素電路30的柵極電極33的延伸部分形成保持電容線，在與半導體膜32之間形成保持電容。另外，柵極電極33的延伸部分，在與漏極電極36的延伸部分之間也形成保持電容。包含柵極電極33,43的導電層具有例如鋁和鈦所疊層的疊層結構。包含源極電極34,44和漏極電極36,46的導電層具有例如依次疊層有鈦、鋁、鈦的疊層結構。由包含源極電極34,44和漏極電極36,46的導電層構成的配線，被引繞至設置于陣列基板6的端部的端子部，形成端子70。

在包含源極電極34,44和漏極電極36,46的導電層中的除去有機平坦化膜17而露出的部分等，形成有例如由ito等透明導電材料構成的導電膜381,382,383。具體來說，在顯示區(qū)域2a中，在形成于有機平坦化膜17的、供漏極電極36露出的層間連接孔，形成有導電膜381。而且在有機平坦化膜17的填埋層間連接孔的層間絕緣膜18也形成有層間連接孔，像素電極38經由該層間連接孔與導電膜381連接。在邊框區(qū)域2c的有機平坦化膜17的上表面形成有導電膜382，將電容形成電極37和相對電極23連接。即，導電膜382同樣與配置在有機平坦化膜17與像素分離膜19之間的電容形成電極37連接，另一方面也經由形成于像素分離膜19的層間連接孔與相對電極23連接。端子部的端子70由導電膜383覆蓋。

電容形成電極37具有依次疊層有例如鉬、鋁、鉬的疊層結構。像素電極38具有依次疊層有例如ito、銀、ito的疊層結構。

以上，對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式，對本領域技術人員來說能夠實施各種變形。