本發(fā)明涉及一種密封結(jié)構(gòu)、有機(jī)el顯示裝置以及傳感器。

背景技術(shù)：

近年，作為顯示裝置，有一種使用了含有有機(jī)el材料(el：electro-luminescence(電致發(fā)光))的有機(jī)el元件的自發(fā)光型顯示裝置備受人們的關(guān)注。該有機(jī)el元件若有水分浸入則會劣化，因而對該有機(jī)el元件采取保護(hù)該有機(jī)el元件免受外部氣體的影響的措施。例如，在下述專利文獻(xiàn)1中記載了一種密封結(jié)構(gòu)，其使用由紫外線固化型樹脂制成的粘接劑和密封基板來密封設(shè)置于玻璃基板上的有機(jī)el元件。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004－152511號公報

在上述專利文獻(xiàn)1中，使用環(huán)氧樹脂作為粘接劑。若粘接劑由環(huán)氧樹脂等具有極性基團(tuán)的樹脂構(gòu)成，則水分容易在該粘接劑內(nèi)擴(kuò)散。因此，在上述專利文獻(xiàn)1的密封結(jié)構(gòu)中，水分有可能經(jīng)由粘接劑浸入到被密封的區(qū)域內(nèi)。另一方面，若使用由不具有極性基團(tuán)的樹脂等制成的粘接劑，則根據(jù)構(gòu)成基板的材料，粘接劑有時無法良好地粘接于該基板。此時，可能會造成基板從粘接劑剝離。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制基板剝離以及水分浸入的密封結(jié)構(gòu)、有機(jī)el顯示裝置以及傳感器。

本發(fā)明的一種實施方式所涉及的密封結(jié)構(gòu)具備：第1基板，具有第1主面；框狀的第1金屬層，沿第1基板的邊緣設(shè)置在第1主面上；框狀的粘接層，設(shè)置于第1金屬層上；第2基板，位于粘接層的上方且具有與第1主面對置的第2主面；元件部，設(shè)置在第1主面上且設(shè)置于被第1基板、第1金屬層、粘接層以及第2基板包圍而被密封的密封空間內(nèi)，粘接層含有烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，并且粘接層粘接于第1金屬層。

在該密封結(jié)構(gòu)中，由于粘接層含有不具有極性基團(tuán)的烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，因而水分難以在該粘接層內(nèi)擴(kuò)散。因此，水分難以浸入到設(shè)置于被第1基板、第1金屬層、粘接層以及第2基板包圍而被密封的密封空間內(nèi)的元件部。而且，粘接層粘接于第1金屬層。通常，由烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂制成的粘接層對金屬具有良好的粘接性。因此，例如即使是在粘接層難以粘接于第1基板的情況下，由于該粘接層能夠良好地粘接于設(shè)置在第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從粘接層剝離。

并且，上述密封結(jié)構(gòu)還可以具備設(shè)置于第2主面上的框狀的第2金屬層，并且粘接層粘接于第2金屬層。此時，例如即使是在粘接層難以粘接于第2基板的情況下，由于該粘接層能夠良好地粘接于設(shè)置在第2主面上的第2金屬層，因而能夠抑制第2基板從粘接層剝離。

并且，第2基板可以是金屬基板，粘接層粘接于第2主面。此時，粘接層能夠良好地粘接于第2主面，因而能夠抑制第2基板從粘接層剝離。

并且，第1金屬層中的粘接有粘接層的面可以是設(shè)置有凸部以及凹部的凹凸面。此時，粘接層與第1金屬層的界面的面積變大。由此，經(jīng)由該界面從外部到密封空間的距離變長。因此，水分難以經(jīng)由該界面浸入到密封空間。除此之外，由于粘接層與第1金屬層接觸的面積增加，因而粘接層相對于第1金屬層的粘接力得到提高。

并且，凸部的平均齒距可以是10nm以上且1μm以下，凸部相對于凹部的平均高度可以是50nm以上且1μm以下。此時，水分更加難以經(jīng)由該界面浸入到密封空間。

并且，粘接層由烴類樹脂構(gòu)成，烴類樹脂可以是烯烴樹脂。

并且，粘接層由非極性熱塑性樹脂構(gòu)成，非極性熱塑性樹脂可以是氟系樹脂。

并且，第1基板可以是玻璃基板、陶瓷基板或者半導(dǎo)體基板。此時，粘接層難以粘接于第1基板。但是，由于粘接層能夠良好地粘接于設(shè)置于第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從粘接層剝離。

本發(fā)明的另一種實施方式所涉及的有機(jī)el顯示裝置具備上述各段落中記載的任意一種密封結(jié)構(gòu)，并且元件部具有有機(jī)el元件。

在該有機(jī)el顯示裝置中，在密封結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有有機(jī)el元件，并且粘接層含有不具有極性基團(tuán)的烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，因此，水分難以在該粘接劑內(nèi)擴(kuò)散。因此，水分難以浸入到設(shè)置于被第1基板、第1金屬層、粘接層以及第2基板包圍而被密封的空間內(nèi)的有機(jī)el元件。并且，粘接層粘接于第1金屬層。通常，由烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂制成的粘接層對金屬具有良好的粘接性。因此，例如即使是在粘接層難以粘接于第1基板的情況下，由于該粘接層能夠良好地粘接于設(shè)置在第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從粘接層剝離。

本發(fā)明的另一種實施方式所涉及的傳感器具有上述各段落中記載的任意一種密封結(jié)構(gòu)，并且元件部具有傳感器元件。

在該傳感器中，在密封結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有傳感器元件，并且粘接層含有不具有極性基團(tuán)的烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，因此，水分難以在該粘接層內(nèi)擴(kuò)散。因此，水分難以浸入到設(shè)置于被第1基板、第1金屬層、粘接層以及第2基板包圍而被密封的空間內(nèi)的傳感器元件。并且，粘接層粘接于第1金屬層。通常，由烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂制成的粘接層對金屬具有良好的粘接性。因此，例如即使是在粘接層難以粘接于第1基板的情況下，由于該粘接層能夠良好地粘接于設(shè)置在第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從粘接層剝離。

根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，能夠提供一種抑制基板剝離以及水分浸入的密封結(jié)構(gòu)、有機(jī)el顯示裝置以及傳感器。

附圖說明

圖1是表示實施方式所涉及的密封結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。

圖2是沿圖1的α－α線的剖視圖。

圖3是表示第1變形例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。

圖4(a)是表示第2變形例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的密封部的概略放大剖視圖，圖4(b)是表示第3變形例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的密封部的概略放大剖視圖。

圖5是表示實施例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。

圖6是表示實施例1、2以及比較例的干燥劑的重量變化的圖表。

圖中：1、1a～1c、101—密封結(jié)構(gòu)；2、2a—第1基板；2a—主面(第1主面)；3、3a—密封部；4、4a、4b—第2基板；4a—主面(第2主面)；5—元件部；11、11a—第1金屬層；11a—對置面；12—粘接層；13、13a—第2金屬層；21、31、41—凸部；22、32、42—凹部。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的最佳實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在以下的說明中，對同一要件或者具有同一功能的要件標(biāo)注相同的符號，并且省略重復(fù)說明。

圖1是表示實施方式所涉及的密封結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖2是沿圖1的α－α線的剖視圖。如圖1以及圖2所示，密封結(jié)構(gòu)1具備：具有主面(第1主面)2a的第1基板2、設(shè)置于第1基板2上的框狀的密封部3、位于密封部3的上方且具有與主面2a對置的主面(第2主面)4a的第2基板4、設(shè)置于被第1基板2、密封部3和第2基板4包圍而被密封的密封空間s內(nèi)的元件部5、設(shè)置于密封空間s內(nèi)的干燥劑6。

第1基板2是俯視時大致呈矩形形狀的基板。因此，第1基板2的主面2a大致呈矩形形狀。可以使用例如玻璃基板、陶瓷基板或者半導(dǎo)體基板作為第1基板2。另外，第1基板2可以具有透光性以及撓性等。在本實施方式中，第1基板2使用玻璃基板。

密封部3是接合第1基板2和第2基板4的部分。密封部3沿著第1基板2的邊緣設(shè)置在該第1基板2的主面2a上。密封部3具有：設(shè)置于主面2a上的框狀的第1金屬層11、設(shè)置于第1金屬層11上的框狀的粘接層12、設(shè)置于粘接層12上且與第1金屬層11對置的第2金屬層13。在密封部3中，第1金屬層11的與第2金屬層13對置的對置面11a和粘接層12的與第1金屬層11對置的主面12a以沒有間隙的方式緊貼在一起。另外，第2金屬層13的與第1金屬層11對置的對置面13a和粘接層12的與第2金屬層13對置的主面12b以沒有間隙的方式緊貼在一起。

第1金屬層11沿著第1基板2的主面2a的邊緣設(shè)置且具有框形形狀。第1金屬層11例如通過將設(shè)置于主面2a上的金屬膜圖案化成框狀而形成。該金屬膜例如通過真空蒸鍍法或者濺射法等而形成。第1金屬層11例如為鉬層、鈮層、鋁層、鎳層或者鉻層等各種金屬層。第1金屬層11可以是單層結(jié)構(gòu)也可以是層疊結(jié)構(gòu)。第1金屬層11的厚度例如為50nm以上。另外，第1金屬層11的寬度例如為1μm以上且2mm以下，優(yōu)選為100μm以上且1mm以下。

粘接層12是由粘接第1金屬層11以及第2金屬層13的粘接劑構(gòu)成的框狀的層。粘接層12所包含的粘接劑通過加熱得以熔融從而發(fā)揮粘接性，并且含有不具有羥基以及羧基等極性基團(tuán)的有機(jī)化合物。例如可以使用烯烴樹脂等烴類樹脂或者氟系樹脂等非極性熱塑性樹脂作為這種有機(jī)化合物。在本實施方式中，使用烯烴膜作為粘接層12。粘接層12的厚度例如為50μm以上且300μm以下。另外，粘接層12的寬度例如為1μm以上且2mm以下，優(yōu)選為100μm以上且1mm以下。

在本實施方式中，粘接層12的邊緣超出第1金屬層11的邊緣以及第2金屬層13的邊緣，但是，粘接層12的邊緣也可以與第1金屬層11的邊緣以及第2金屬層13的邊緣對齊。另外，在將粘接層12配置于第1金屬層11上之前，可以對粘接層12中的與第1金屬層11接觸的主面12a以及與第2金屬層13接觸的主面12b中的至少一個主面實施大氣壓等離子體處理。大氣壓等離子體處理是指例如對粘接層12照射等離子化后的氣體的處理。例如使用氦氣作為等離子化的氣體。通過對粘接層12實施大氣壓等離子體處理，粘接層12中的被等離子化后的氣體照射的表面得到活化。通過將粘接層12中的被活化的表面作為粘接面，可以利用化學(xué)粘接而牢固地將該表面與第1金屬層11以及第2金屬層13中的至少一個金屬層接合。另外，上述活化是指在表面生成懸空鍵(不飽和鍵)、或者是在該表面產(chǎn)生自由基。另外，也可以對粘接層12照射臭氧氣體，從而代替大氣壓等離子體處理。

第2金屬層13沿著第2基板4的主面4a的邊緣設(shè)置且具有框形形狀。第2金屬層13例如通過將設(shè)置于主面4a上的金屬膜圖案化成框狀而形成。該金屬膜例如通過真空蒸鍍法或者濺射法等而形成。第2金屬層13例如為鉬層、鈮層、鋁層、鎳層或者鉻層等各種金屬層。第2金屬層13可以是單層結(jié)構(gòu)也可以是層疊結(jié)構(gòu)。第2金屬層13的厚度例如為50nm以上。另外，第2金屬層13的寬度例如為1μm以上且2mm以下，優(yōu)選為100μm以上且1mm以下。在本實施方式中，第2金屬層13的寬度與第1金屬層11的寬度一致，但是第2金屬層13的寬度也可以與第1金屬層11的寬度不同。

第2基板4是俯視時大致呈矩形形狀的基板。因此，第2基板4的主面4a大致呈矩形形狀。如上述，主面4a與第1基板2的主面2a對置。并且，主面4a的形狀與主面2a的形狀大致相同。因此，設(shè)置于該主面4a上的第2金屬層13位于與第1金屬層11對置并且與粘接層12粘接的位置?？梢允褂美绮ＡЩ濉⑻沾苫?、塑料基板或者金屬基板作為第2基板4。另外，第2基板4可以具有透光性以及撓性等。在第2基板4為塑料基板的情況下，例如使用具有耐熱性的聚酰亞胺基板等。另外，金屬基板是至少含有金屬元素的基板，也可以是由合金制成的基板。另外，金屬基板也可以是以金屬或者合金為主成分的基板?？梢允褂美玢~板、鉬板或者不銹鋼板等作為金屬基板。在本實施方式中，使用玻璃基板作為第2基板4。

元件部5具有形成于密封空間s內(nèi)且形成于第1基板2的主面2a上的電氣元件、配線、電子電路以及電子部件等。電氣元件是通過電力供給而發(fā)揮功能的元件，例如具有發(fā)光元件以及傳感器元件等中的任意一個元件。電子電路例如是為了驅(qū)動電氣元件工作的電路。該電子電路例如由形成于主面2a上的電阻、晶體管以及電容器等構(gòu)成。電子部件例如是集成電路等。在本實施方式中，在元件部5內(nèi)形成有一個或者多個水分浸入則容易劣化的元件(有機(jī)el元件)。因此，密封結(jié)構(gòu)1構(gòu)成有機(jī)el顯示裝置。

干燥劑6吸附密封空間s內(nèi)的水分。干燥劑6形成于密封空間s內(nèi)且形成于第2基板4的主面4a上。干燥劑6是片狀或者粉體狀等的固體、或者是凝膠狀。干燥劑6可以是無機(jī)物也可以是有機(jī)物。另外，在第2基板4具有透光性的情況下，干燥劑6也可以具備透光性。使用直鏈狀或者環(huán)狀的有機(jī)金屬化合物作為具備透光性的干燥劑。該有機(jī)金屬化合物例如包含鋁、鑭、釔、鎵、硅或者鍺中的任意一種。

根據(jù)以上說明的本實施方式所涉及的密封結(jié)構(gòu)1，粘接層12是由烴類樹脂制成的烯烴膜。因此，粘接層12不具有極性基團(tuán)，水分難以在該粘接層12內(nèi)擴(kuò)散。因此，水分難以浸入到設(shè)置于被第1基板2、密封部3、第2基板4包圍而被密封的密封空間s內(nèi)的元件部5，其中，該密封部3具有第1金屬層11、粘接層12以及第2金屬層13。另外，粘接層12與第1金屬層11以及第2金屬層13粘接。通常，由烴類樹脂制成的粘接層12對金屬具有良好的粘接性。因而，例如，即使在粘接層12難以粘接于第1基板2以及第2基板4中的一方或雙方的情況下，由于該粘接層12能夠良好地粘接于設(shè)置于主面2a上的第1金屬層11，因而能夠抑制第1基板2從粘接層12剝離。此外，由于粘接層12能夠良好地粘接于設(shè)置于主面4a上的第2金屬層13，因而能夠抑制第2基板4從粘接層12剝離。

并且，第1基板2可以是玻璃基板、陶瓷基板或者半導(dǎo)體基板。此時，粘接層12難以與第1基板2粘接。但是，由于粘接層12能夠良好地粘接于設(shè)置于主面2a上的第1金屬層11，因而能夠抑制第1基板2從粘接層12剝離。

另外，可以在密封空間s內(nèi)設(shè)置干燥劑6。此時，由于密封空間s內(nèi)的水分被干燥劑6吸附，因而水分更加難以浸入到元件部5。

以下，說明上述實施方式的第1變形例～第3變形例。在第1變形例～第3變形例的說明中，主要針對與上述實施方式不同之處進(jìn)行說明。

圖3是表示第1變形例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。如圖3所示，密封結(jié)構(gòu)1a的第2基板4a為金屬基板。另外，密封部3a僅具有第1金屬層11以及粘接層12。因此，在第2基板4a的主面4a上并未設(shè)置有第2金屬層13，主面4a直接粘接于粘接層12。

根據(jù)上述第1變形例，粘接層12對金屬基板(即第2基板4a)具有良好的粘接性。因此，與上述實施方式相同，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制第2基板4a從粘接層12剝離的作用效果。此外，由于密封部3a可以不具有第2金屬層13，因而能夠簡單地形成該密封部3a。

圖4(a)是表示第2變形例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的密封部的概略放大剖視圖。如圖4(a)所示，在密封結(jié)構(gòu)1b的密封部3中，第1金屬層11a的對置面11a是設(shè)置有多個凸部21以及多個凹部22的凹凸面。凸部21以及凹部22例如通過使用硫酸-雙氧水等腐蝕劑的濕式蝕刻或者rie(反應(yīng)離子蝕刻)等干式蝕刻而得到。凸部21的高度可以相同也可以不同，凹部22的深度可以相同也可以不同，凸部21彼此之間的齒距可以相同也可以不同。另外，凸部21以及凹部22可以密集設(shè)置在第1金屬層11a的一部分區(qū)域，也可以分散設(shè)置凸部21以及凹部22。

相鄰的凸部21之間的平均齒距p1為10nm以上且1μm以下。該平均齒距p1是相鄰的凸部21的頂點之間的俯視時的平均距離。另外，凸部21相對于凹部22的平均高度h1為50nm以上且1μm以下。平均高度h1是指從凹部22的底點到凸部21的頂點為止的平均高度。凸部21以及凹部22沿第1金屬層11a的寬度方向延伸，并且以通過平均高度h1的中心的中心線c1為基準(zhǔn)而確定凸部21以及凹部22。具體而言，在第1金屬層11a的厚度方向上，將比中心線c1更靠第2基板4側(cè)作為凸部21，將比中心線c1更靠第1基板2側(cè)作為凹部22。另外，以下將第1金屬層11a的寬度方向簡稱為寬度方向，將第1金屬層11a的厚度方向簡稱為厚度方向。

與第1金屬層11a相同，第2金屬層13a的對置面13a是設(shè)置有多個凸部31以及多個的凹部32的凹凸面。與凸部21以及凹部22相同，凸部31以及凹部32例如通過濕式蝕刻或者干式蝕刻而得到。因此，凸部31的高度可以相同也可以不同，凹部32的深度可以相同也可以不同，凸部31彼此之間的齒距可以相同也可以不同。相鄰的凸部31之間的平均齒距p2為10nm以上且1μm以下。該平均齒距p2是指相鄰的凸部31的頂點之間的俯視時的平均距離。并且，凸部31相對于凹部32的平均高度h2為50nm以上且1μm以下。平均高度h2是指從凹部32的底點到凸部31的頂點為止的平均高度。凸部31以及凹部32沿寬度方向延伸，并且以通過平均高度h2的中心的中心線c2為基準(zhǔn)而確定凸部31以及凹部32。具體而言，在厚度方向上，將比中心線c2更靠第1基板2側(cè)作為凸部31，將比中心線c2更靠第2基板4側(cè)作為凹部32。

在上述第2變形例中，也能夠獲得與上述實施方式相同的作用效果。并且，粘接有粘接層12的對置面11a是凸部21以及凹部22連續(xù)交替設(shè)置的凹凸面。因此，粘接層12的主面12a與對置面11a的界面的面積變大。由此，經(jīng)由該界面從外部到密封空間s的距離變長。因此，水分難以經(jīng)由上述界面浸入到密封空間s。除此之外，由于粘接層12與第1金屬層11a接觸的面積增加，因而粘接層12相對于第1金屬層11a的粘接力得到提高。

并且，通過將平均齒距p1以及平均高度h1設(shè)定在上述范圍內(nèi)，能夠更好地抑制水分經(jīng)由粘接層12的主面12a和第1金屬層11a的對置面11a的界面而浸入到密封空間s。

而且，與第1金屬層11a相同，粘接有粘接層12的對置面13a是凸部31以及凹部32連續(xù)交替設(shè)置的凹凸面。因此，粘接層12的主面12b與對置面13a的界面的面積變大。由此，經(jīng)由該界面從外部到密封空間s的距離變長。因此，水分難以經(jīng)由上述界面浸入到密封空間s。除此之外，由于粘接層12與第2金屬層13a接觸的面積增加，因而粘接層12相對于第2金屬層13a的粘接力得到提高。而且，通過將平均齒距p2以及平均高度h2設(shè)定在上述范圍，能夠更好地抑制水分經(jīng)由主面12b和對置面13a的界面而浸入到密封空間s。

在第2變形例中，凸部21與凹部32彼此對置，凹部22與凸部31彼此對置。由此，能夠避免粘接層12出現(xiàn)不均勻，因而能夠抑制第1金屬層11a與粘接層12之間的剝離，并且能夠抑制第2金屬層13a與粘接層12之間的剝離。但是，也可以使凸部21和凸部31彼此對置，還可以使凹部22和凹部32彼此對置。

圖4(b)是表示第3變形例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的密封部的概略放大剖視圖。如圖4(b)所示，密封結(jié)構(gòu)1c的第2基板4b是金屬基板。并且，密封部3a僅具有第1金屬層11a以及粘接層12。因此，在第2基板4a的主面4a上并未設(shè)置有第2金屬層13，主面4a直接粘接于粘接層12。

在第2基板4b的主面4a中的粘接有粘接層12的區(qū)域4b是設(shè)置有多個凸部41以及多個凹部42的凹凸面。與凸部21以及凹部22相同，凸部41以及凹部42例如通過濕式蝕刻或者干式蝕刻而得到。因此，凸部41的高度可以相同也可以不同，凹部42的深度可以相同也可以不同，凸部41彼此之間的齒距可以相同也可以不同。相鄰的凸部41之間的平均齒距p3為10nm以上且1μm以下。該平均齒距p3是指相鄰的凸部41的頂點之間的俯視時的平均距離。另外，凸部41相對于凹部42的平均高度h3為50nm以上且1μm以下。平均高度h3是指從凹部42的底點到凸部41的頂點為止的平均高度。凸部41以及凹部42沿寬度方向延伸，并且以通過平均高度h3的中心的中心線c3為基準(zhǔn)而確定凸部41以及凹部42。具體而言，在厚度方向上，將比中心線c3更靠第1基板2側(cè)作為凸部41，將比中心線c3更靠第2基板4b側(cè)作為凹部42。

在上述第3變形例中，也可以得到與上述第2變形例相同的作用效果。除此之外，與第1變形例相同，在第3變形例中，密封部3a也可以不具有第2金屬層13，因而能夠簡單地形成該密封部3a。

另外，通過將平均齒距p3以及平均高度h3設(shè)定在上述范圍，能夠更好地抑制水分經(jīng)由粘接層12的主面12a和第2基板4b的主面4a的界面而浸入密封空間s。

在第3變形例中，凸部21與凹部42彼此對置，凹部22與凸部41彼此對置。由此，能夠避免粘接層12出現(xiàn)不均勻，因而能夠抑制第1金屬層11a與粘接層12之間的剝離，并且能夠抑制第2基板4b與粘接層12之間的剝離。但是，也可以使凸部21與凸部41彼此對置，還可以使凹部22和凹部42彼此對置。

本發(fā)明的密封結(jié)構(gòu)并不限定于上述實施方式以及變形例，還可以存在其他各種變形。例如，本發(fā)明的元件部5也可以具有mems等傳感器從而代替顯示元件。此時，上述密封結(jié)構(gòu)構(gòu)成傳感器。另外，元件部5也可以具有顯示元件以及傳感器元件這兩者，還可以具有其他有機(jī)電子器件(有機(jī)半導(dǎo)體元件或者色素增感型太陽能電池等)。

另外，在上述實施方式以及上述變形例中，粘接層12也可以不是形成為框狀的膜。例如，粘接層12也可以是使液體狀的粘接劑固化之后形成的部件。此時，例如可以在第1金屬層上涂布粘接劑，將第2金屬層接合于該粘接劑上，然后通過熱處理等使粘接劑固化。另外，除了粘接劑之外，粘接層12還可以含有各種添加物。例如，作為添加物可例舉出無機(jī)填料或者表面活性劑。在含有無機(jī)填料的粘接層12內(nèi)，水分更加難以擴(kuò)散。在含有表面活性劑的粘接層12與第1金屬層的界面以及該粘接層12與第2金屬層的界面，水分更加難以浸入。另外，在由氟系樹脂等非極性熱塑性樹脂構(gòu)成粘接層12的情況下，也能夠得到與上述實施方式以及上述變形例相同的效果。

另外，在第2變形例中，僅第1金屬層11a的對置面11a和第2金屬層13a的對置面13a中的任意一個為凹凸面即可。同樣地，在第3變形例中，僅第2基板4b的區(qū)域4b為凹凸面即可。另外，第3變形例的區(qū)域4b也可以形成于整個主面4a。換言之，凸部41以及凹部42可以連續(xù)交替形成在整個主面4a上。

另外，在上述第2變形例中，平均齒距p1、p2以及平均高度h1、h2中的至少一個設(shè)定在上述范圍即可。同樣地，在上述第3變形例中，平均齒距p1、p3以及平均高度h1、h3中的至少一個設(shè)定在上述范圍即可。

另外，在上述實施方式以及上述第1變形例～第3變形例中，第1金屬層可以是不連續(xù)的。即，第1金屬層的一部分可以中斷。此時，可以在第1基板上的未設(shè)置有第1金屬層的部分設(shè)置與元件部5連接的引出配線等。

【實施例】

下面，通過以下的實施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于這些例子。

(實施例1)

圖5是表示實施例所涉及的密封結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。如圖5所示，制備了通過框狀的密封部3粘接第1基板2a和第2基板4而成的密封結(jié)構(gòu)101，其中，該第1基板2a在主面2a的中央部設(shè)置有凹陷51，第2基板4具有與該凹陷51對置的主面4。下面對該密封結(jié)構(gòu)101的制造方法進(jìn)行說明。

首先，制備在主面2a的中央部設(shè)置有凹陷51的第1基板2a和具有與該凹陷51對置的主面4a的第2基板4。接著，在主面2a上形成由鉬制成的金屬膜，并且在主面4a上形成由鉬制成的金屬膜。接著，使上述金屬膜圖案化，形成沿主面2a的邊緣的框狀的第1金屬層11，并且形成沿主面4a的邊緣的框狀的第2金屬層13。接著，將第1基板2a在50％aq的硫酸-雙氧水中浸泡10分鐘，從而形成對置面11a為凹凸面的第1金屬層11a。同樣地，將第2基板4在50％aq的硫酸-雙氧水中浸泡10分鐘，從而形成對置面13a為凹凸面的第2金屬層13a。接著，在露點為－70℃的手套式操作箱內(nèi)，在凹陷51中填充約100mg的干燥劑52(即，片狀的氧化鈣(cao))。接著，使用將環(huán)烯烴聚合物(日本瑞翁株式會社制zeonor、注冊商標(biāo))成型為框狀的膜狀的粘接層12來臨時固定第1基板2a和第2基板4。此時，通過第1金屬層11a的對置面11a和第2金屬層13a的對置面13a來夾持粘接層12。然后，在惰性氣體中且在160℃以上的條件下進(jìn)行熱處理。由此，使粘接層12與第1金屬層11a以及第2金屬層13a熔敷，從而得到密封結(jié)構(gòu)101。

(實施例2)

除了預(yù)先對膜狀的粘接層12實施大氣壓等離子體處理以外，通過與實施例1相同的手法制備了密封結(jié)構(gòu)。在大氣壓等離子體處理中，首先對氦氣施加頻率為10khz的10kv的交流電壓，從而使該氦氣等離子化。接著，向大氣中噴射該等離子化后的氦氣，使其照射于粘接層12的表面。

(比較例)

使用環(huán)氧樹脂系粘接劑(nagasechemtex株式會社制xnr5516)來代替密封部3而將第1基板2a和第2基板4接合，從而得到密封結(jié)構(gòu)。在本比較例中，在第1基板2a的主面2a上并未形成第1金屬層11，且在第2基板4的主面4a上并未形成第2金屬層13。因此，在本比較例中，第1基板2a以及第2基板4并未浸泡于硫酸-雙氧水。

(高溫高濕試驗)

分別對實施例1的密封結(jié)構(gòu)101、實施例2的密封結(jié)構(gòu)以及比較例的密封結(jié)構(gòu)進(jìn)行高溫高濕試驗，測定了填充于各密封結(jié)構(gòu)內(nèi)的干燥劑的重量變化。在高溫高濕試驗中，將各個密封結(jié)構(gòu)靜止放置在溫度為85℃、濕度為85％的條件下300個小時。

圖6是表示實施例1、2以及比較例的干燥劑的重量變化的圖表。在圖6中，縱軸表示干燥劑的水分增加量，橫軸表示試驗時間。另外，曲線61表示實施例1的測定結(jié)果，曲線62表示實施例2的測定結(jié)果，曲線63表示比較例的測定結(jié)果。在比較例中，在進(jìn)行了300小時的高溫高濕試驗時，干燥劑的重量增加了約0.00025g(0.25mg)。與此相對，在實施例1中，干燥劑的重量增加了約0.0001g(0.1mg)。并且，在實施例2中，并未確認(rèn)到干燥劑的重量增加。因此，證實了在使用了大氣壓等離子體處理之后的粘接層12的實施例2的密封結(jié)構(gòu)中，水分最難以浸入到密封空間s內(nèi)。