技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種瞬態(tài)電壓抑制器及其制造方法，所述瞬態(tài)電壓抑制器的制造方法包括以下步驟：提供P?型半導(dǎo)體襯底至反應(yīng)腔室中；在P?型半導(dǎo)體襯底上注入埋層形成埋層襯底；在埋層襯底上分別刻蝕兩個(gè)淺溝槽；埋層推進(jìn)；對(duì)埋層襯底進(jìn)行預(yù)吹掃，對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行烘烤；用硅源氣體和刻蝕氣體填充兩個(gè)淺溝槽；生長高阻本征外延層；在埋層襯底上注入摻雜依次形成第一P+區(qū)、N+區(qū)以及第二P+區(qū)；在N+區(qū)與兩個(gè)淺溝槽之間分別刻蝕兩個(gè)深溝槽；在深溝槽內(nèi)填充二氧化硅，并完成金屬布線工藝。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了溝槽的二次隔離，有效地抑制了埋層的擴(kuò)散，從而保證了襯底表面外延層的電阻率，進(jìn)而降低了TVS的電容。

技術(shù)研發(fā)人員：劉峰松;陶有飛;史超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610949003
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.26
技術(shù)公布日：2017.02.15