技術(shù)總結(jié)
公開一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：具有側(cè)壁的有源圖案，由設(shè)置在基底上的器件隔離圖案限定，并具有從器件隔離圖案的頂表面突出的上部；襯里絕緣層，位于有源圖案的側(cè)壁上；柵極結(jié)構(gòu)，位于有源圖案上；以及源/漏區(qū)，位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)處。襯里絕緣層包括第一襯里絕緣層和具有比第一襯里絕緣層的頂表面高的頂表面的第二襯里絕緣層。每一個源/漏區(qū)包括由第二襯里絕緣層限定并覆蓋第一襯里絕緣層的頂表面的第一部分和從第二襯里絕緣層向上突出的第二部分。

技術(shù)研發(fā)人員：李庸碩;李正允;樸起寬;慎居明;金炫知;樸商德
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610943366
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.01
技術(shù)公布日：2017.06.06