1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
具有側(cè)壁的有源圖案，在基底上被器件隔離圖案限定，有源圖案具有從器件隔離圖案的頂表面突出的上部；
襯里絕緣層，位于有源圖案的側(cè)壁上；
柵極結(jié)構(gòu)，位于有源圖案上；以及
源/漏區(qū)，位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)處，
其中，襯里絕緣層包括：第一襯里絕緣層；和第二襯里絕緣層，具有比第一襯里絕緣層的頂表面高的頂表面，
其中，每個(gè)源/漏區(qū)包括：
第一部分，由第二襯里絕緣層限定并覆蓋第一襯里絕緣層的頂表面；以及
第二部分，從第二襯里絕緣層向上突出。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一襯里絕緣層和第二襯里絕緣層在有源圖案與器件隔離圖案之間延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二襯里絕緣層的部分從器件隔離圖案的頂表面突出，
其中，每個(gè)源/漏區(qū)的第一部分與第二襯里絕緣層的側(cè)壁接觸。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，與柵極結(jié)構(gòu)疊置的第一襯里絕緣層的頂表面和與柵極結(jié)構(gòu)疊置的第二襯里絕緣層的頂表面在基本相同的水平處。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
第一間隔件，提供在第二襯里絕緣層上，第一間隔件與器件隔離圖案的頂表面接觸。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵極結(jié)構(gòu)包括：柵電極；和第二間隔件，提供在柵電極的側(cè)壁上，
其中，第一間隔件由與第二間隔件相同的材料形成。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，有源圖案包括：第一部分，與柵極結(jié)構(gòu)疊置；和第二部分，與源/漏區(qū)疊置，
其中，有源圖案的第二部分的頂表面比有源圖案的第一部分的頂表面低，
其中，有源圖案的第二部分分別插入源/漏區(qū)的第一部分中，
其中，有源圖案的每個(gè)第二部分的上部具有圓形的表面。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，源/漏區(qū)的第一部分延伸到有源圖案的第二部分的側(cè)壁上。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一襯里絕緣層的頂表面與器件隔離圖案的頂表面在基本上同一水平處，或者第一襯里絕緣層的頂表面處于比器件隔離圖案的頂表面低的水平處。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵極結(jié)構(gòu)沿一個(gè)方向延伸，
其中，源/漏區(qū)的第一部分在所述一個(gè)方向上的寬度比源/漏區(qū)的第二部分在所述一個(gè)方向上的寬度小。
11.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
具有側(cè)壁的有源圖案，在基底上被器件隔離圖案限定，有源圖案具有從器件隔離圖案的頂表面突出的上部；
襯里絕緣層，在有源圖案與器件隔離圖案之間延伸；
柵極結(jié)構(gòu)，位于有源圖案上；以及
源/漏區(qū)，位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)處，
其中，襯里絕緣層的至少一部分從器件隔離圖案的頂表面突出以限定每個(gè)源/漏區(qū)的下部。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，襯里絕緣層包括：第一襯里絕緣層；和第二襯里絕緣層，通過設(shè)置在其間的第一襯里絕緣層與有源圖案分開，
其中，每個(gè)源/漏區(qū)包括：第一部分，由第二襯里絕緣層限定；以及第二部分，從第二襯里絕緣層向上突出。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，源/漏區(qū)的底表面與第一襯里絕緣層的頂表面接觸。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一襯里絕緣層的頂表面與器件隔離圖案的頂表面設(shè)置在基本上同一水平處，或者第一襯里絕緣層的頂表面設(shè)置在比器件隔離圖案的頂表面低的水平處。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
間隔件，通過設(shè)置在其間的第二襯里絕緣層與源/漏區(qū)分開，
其中，第一襯里絕緣層由相對(duì)于第二襯里絕緣層和間隔件都具有蝕刻選擇性的材料形成。
16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，有源圖案的上部的一部分插入源/漏區(qū)的每個(gè)下部中。
17.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，基底包括NMOSFET區(qū)和PMOSFET區(qū)，
其中，有源圖案包括在NMOSFET區(qū)上的第一有源圖案和在PMOSFET區(qū)上的第二有源圖案，
其中，源/漏區(qū)包括在第一有源圖案上的第一源/漏區(qū)和在第二有源圖案上的第二源/漏區(qū)。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一源/漏區(qū)包括晶格常數(shù)與基底的晶格常數(shù)基本相等或者晶格常數(shù)比基底的晶格常數(shù)小的材料，
其中，第二源/漏區(qū)包括晶格常數(shù)比基底的晶格常數(shù)大的材料。
19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵極結(jié)構(gòu)沿一個(gè)方向延伸，
其中，第二源/漏區(qū)在所述一個(gè)方向上的最大寬度比第一源/漏區(qū)在所述一個(gè)方向上的最大寬度大。
20.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
氣隙，在彼此相鄰的源/漏區(qū)之間。
21.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
有源圖案，從基底突出；
柵極結(jié)構(gòu)，與有源圖案交叉；以及
源/漏區(qū)，位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)處，
其中，有源圖案包括：第一部分，與柵極結(jié)構(gòu)疊置；和第二部分，與源/漏區(qū)疊置，
其中，有源圖案的第二部分的頂表面比有源圖案的第一部分的頂表面低，
其中，有源圖案的第二部分分別形成在源/漏區(qū)的下部中。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其中，有源圖案的第二部分具有圓形的頂表面，所述圓形的頂表面具有彎曲，所述彎曲在遠(yuǎn)離基底的方向上是凸的。
23.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
襯里絕緣層，提供在被柵極結(jié)構(gòu)暴露的有源圖案的側(cè)壁上，
其中，襯里絕緣層包括：第一襯里絕緣層；和第二襯里絕緣層，通過設(shè)置在其間的第一襯里絕緣層與有源圖案分開，
其中，每個(gè)源/漏區(qū)包括：第一部分，由第二襯里絕緣層限定；和第二部分，從第二襯里絕緣層向上突出。
24.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體裝置，其中，源/漏區(qū)的底表面與第一襯里絕緣層的頂表面接觸。
25.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
器件隔離圖案，限定有源圖案，
其中，第一襯里絕緣層和第二襯里絕緣層在器件隔離圖案與有源圖案之間延伸。