技術總結
本發(fā)明公開了一種薄膜發(fā)光二極管芯片及其制作方法，包括：永久基材和位于其上的發(fā)光結構，所述發(fā)光結構為III?V族材料所生長的薄膜，有相對的兩個表面，其中第一表面為發(fā)光的出光面及第一電極所構成，第二表面與所述永久基材進行連接，其特征在于：所述發(fā)光結構的第二表面具有若干個V?Pits，所述永久基材從上到下包含金屬反射層、鏡面層、金屬鍵合層以及導熱層，所述金屬反射層填充于所述V?Pits中。

技術研發(fā)人員：鐘志白;李佳恩;鄭錦堅;楊力勛;徐宸科;康俊勇
受保護的技術使用者：廈門市三安光電科技有限公司
文檔號碼：201610928037
技術研發(fā)日：2016.10.31
技術公布日：2017.03.08