技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種高速光電子設(shè)備及相關(guān)方法。在一個方面，例如，高速光電子設(shè)備可以包括具有入射光表面的硅材料、在硅材料中形成半導(dǎo)體結(jié)的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)以及耦合到該硅材料并定位成與電磁輻射相互作用的紋理區(qū)。對于具有從大約800nm到大約1200nm的至少一個波長的電磁輻射，該光電子設(shè)備具有從大約1皮秒到大約5納秒的響應(yīng)時間和大于或等于大約0.4A/W的靈敏度。

技術(shù)研發(fā)人員：J·凱里;D·米勒
受保護的技術(shù)使用者：西奧尼克斯公司
文檔號碼：201610889793
技術(shù)研發(fā)日：2011.06.20
技術(shù)公布日：2017.02.22