技術總結
本發(fā)明涉及用于容納并且保持晶片的容納裝置，具有下面的特征：?保持面（1o），?用于將晶片保持在保持面（1o）上的保持裝置和?補償裝置（3，4，5，6），?用于對晶片的全局變形進行主動的、至少部分的補償，其中所述補償可以通過溫度加以控制。本發(fā)明還涉及用于使用前述容納裝置將第一晶片與第二晶片對齊的裝置和方法。

技術研發(fā)人員：M.溫普林格;T.瓦根萊特納;A.菲爾伯特
受保護的技術使用者：EV集團E·索爾納有限責任公司
文檔號碼：201610870884
技術研發(fā)日：2010.12.20
技術公布日：2017.06.23