本發(fā)明涉及層疊線圈部件。

背景技術(shù)：

日本特開2008-78229號公報及日本特開2008-21788號公報分別公開有層疊線圈部件，該層疊線圈部件具備：包含磁性體部的素體、包含配置于素體內(nèi)的多個內(nèi)部導(dǎo)體的線圈、非磁性層。多個內(nèi)部導(dǎo)體具有在第一方向上相互分開并且從第一方向觀察相互重合的導(dǎo)體部分。非磁性層配置于在第一方向上相互相鄰的內(nèi)部導(dǎo)體之間，并且沿著重合的上述部分。由于非磁性層配置于素體內(nèi)，因此，層疊線圈部件的直流疊加特性提高。

上述層疊線圈部件中，磁性體部、內(nèi)部導(dǎo)體及非磁性層由燒成時的收縮率及熱膨脹后的收縮率相互不同的材料形成。在磁性體部、內(nèi)部導(dǎo)體、及非磁性層的邊界部分，由于上述的收縮率之差等產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力。因此，當(dāng)在邊界部分產(chǎn)生沿著第一方向的剪切應(yīng)力時，可能在邊界部分產(chǎn)生裂紋。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明一個方式的目的在于，提供一種層疊線圈部件，提高直流疊加特性，且抑制裂紋的產(chǎn)生。

本發(fā)明的一個方式提供一種層疊線圈部件，具備具有磁性的素體、線圈和至少一個低磁導(dǎo)率層。線圈包含相互電連接并且配置于素體內(nèi)的多個內(nèi)部導(dǎo)體。多個內(nèi)部導(dǎo)體具有在第一方向上相互分開并且從第一方向觀察相互重合的導(dǎo)體部分。至少一個低磁導(dǎo)率層在第一方向上相互相鄰的內(nèi)部導(dǎo)體之間，沿著導(dǎo)體部分配置。低磁導(dǎo)率層的磁導(dǎo)率比素體的磁導(dǎo)率低。低磁導(dǎo)率層具有在相鄰的內(nèi)部導(dǎo)體之間與內(nèi)部導(dǎo)體接觸的第一部分和在第一方向上與內(nèi)部導(dǎo)體分開的至少一個第二部分。素體具有夾設(shè)于第二部分和內(nèi)部導(dǎo)體之間的第一素體區(qū)域。

上述一個方式的層疊線圈部件中，低磁導(dǎo)率層配置于在第一方向上相互相鄰的內(nèi)部導(dǎo)體之間，并且沿著導(dǎo)體部分。低磁導(dǎo)率層具有比素體的磁導(dǎo)率低的磁導(dǎo)率，并且具有第一部分。因此，在素體內(nèi)在各內(nèi)部導(dǎo)體的周圍產(chǎn)生的磁通被低磁導(dǎo)率層的第一部分遮擋。其結(jié)果，抑制磁飽和的產(chǎn)生，提高直流疊加特性。

低磁導(dǎo)率層具有第二部分。在第二部分和內(nèi)部導(dǎo)體之間夾設(shè)有第一素體區(qū)域。因此，內(nèi)部導(dǎo)體及低磁導(dǎo)率層與素體的邊界具有不沿著第一方向而在第一方向上交叉的面。因此，內(nèi)部導(dǎo)體及低磁導(dǎo)率層與素體的邊界發(fā)揮抵抗沿著第一方向的剪切應(yīng)力的作用，沿著第一方向的剪切應(yīng)力向與第一方向交叉的方向分散。其結(jié)果，即使在產(chǎn)生沿著第一方向的剪切應(yīng)力的情況下，也不易在素體上產(chǎn)生裂紋。

上述一個方式的層疊線圈部件中，低磁導(dǎo)率層的第一方向上的厚度也可以比內(nèi)部導(dǎo)體的第一方向上的厚度小。在該情況下，在相同的素體內(nèi)，相對于第一方向上內(nèi)部導(dǎo)體占據(jù)的區(qū)域，第一方向上低磁導(dǎo)率層占據(jù)的區(qū)域狹窄。即，可以增加素體內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體占據(jù)的區(qū)域而高效地形成線圈。

上述一個方式的層疊線圈部件中，從第一方向觀察時，低磁導(dǎo)率層也可以比內(nèi)部導(dǎo)體更位于內(nèi)側(cè)。在該情況下，從第一方向觀察在低磁導(dǎo)率層的外側(cè)且在內(nèi)部導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)形成在第一方向上相鄰的內(nèi)部導(dǎo)體之間夾持素體而不夾設(shè)低磁導(dǎo)率層的區(qū)域。該區(qū)域不具有與低磁導(dǎo)率層的邊界而在第一方向上連續(xù)存在，因此，即使在產(chǎn)生沿著第一方向的剪切應(yīng)力的情況下，該區(qū)域也不易被剪斷。因此，進(jìn)一步更加難以在素體上產(chǎn)生裂紋。

上述一個方式的層疊線圈部件中，也可以在低磁導(dǎo)率層的第二部分側(cè)形成素體所含的材料擴散的擴散層。在該情況下，通過擴散層，素體與低磁導(dǎo)率層的邊界中的材質(zhì)的變化緩和，素體與低磁導(dǎo)率層的接合強度提高。

上述一個方式的層疊線圈部件中，低磁導(dǎo)率層也可以具有多個第二部分。在該情況下，多個第二部分也可以沿第一方向排列，素體也可以具有夾設(shè)于沿著第一方向排列的第二部分之間的第二素體區(qū)域。本方式的層疊線圈部件中，素體不僅具有第一素體區(qū)域，而且具有第二素體區(qū)域，因此，一個低磁導(dǎo)率層與素體的邊界也不沿著第一方向而在第一方向上交叉。因此，一個低磁導(dǎo)率層與素體的邊界也發(fā)揮抵抗沿著第一方向的剪切應(yīng)力的作用，且沿著第一方向的剪切應(yīng)力向與第一方向交叉的方向分散。其結(jié)果，相對于沿著第一方向的剪切應(yīng)力的強度變高，進(jìn)一步更加難以產(chǎn)生裂紋。

本發(fā)明通過以下給出的詳細(xì)描述以及附圖進(jìn)行具體說明，該詳細(xì)描述以及附圖僅用于說明因此并不限定本發(fā)明。

適用于本發(fā)明的范圍在以下給出的詳細(xì)描述中將變得更加明顯。但是，應(yīng)理解為，詳細(xì)描述和具體例子雖然指示本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，但由于對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說由該詳細(xì)說明可知其可以在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和修改，因此其僅是以說明的方式給出。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式的層疊線圈部件的立體圖；

圖2是圖1所示的層疊線圈部件的分解立體圖；

圖3是沿著圖1的iii-iii線的素體的截面圖；

圖4是表示圖3所示的邊界區(qū)域的截面圖；

圖5a及圖5b是說明形成圖3所示的邊界區(qū)域的疊層工序的圖；

圖6a及圖6b是說明形成圖3所示的邊界區(qū)域的疊層工序的圖；

圖7a及圖7b是說明形成圖3所示的邊界區(qū)域的疊層工序的圖；

圖8a及圖8b是說明形成圖3所示的邊界區(qū)域的疊層工序的圖；

圖9是表示第二實施方式的層疊線圈部件的邊界區(qū)域的截面圖；

圖10是表示第三實施方式的層疊線圈部件的邊界區(qū)域的截面圖；

圖11是表示第四實施方式的層疊線圈部件的邊界區(qū)域的截面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實施方式。此外，說明中，對相同要素或具有相同功能的要素使用相同符號，并省略重復(fù)的說明。

(第一實施方式)

參照圖1～圖3說明第一實施方式的層疊線圈部件的結(jié)構(gòu)。圖1是表示第一實施方式的層疊線圈部件的立體圖。圖2是圖1所示的層疊線圈部件的分解立體圖。圖3是沿著圖1的iii-iii線的素體的截面圖。圖4是表示圖3所示的邊界區(qū)域的截面圖。圖2中，省略了磁性體部及外部電極的圖示。圖3中，省略了外部電極的圖示。

如圖1所示，層疊線圈部件1具備素體2和一對外部電極4、5。外部電極4、5配置于素體2的兩端部。

素體2呈長方體形狀。素體2具有作為其外表面的、互相相對的一對端面2a、2b和四個側(cè)面2c、2d、2e、2f。四個側(cè)面2c、2d、2e、2f以連結(jié)一對端面2a、2b的方式，在端面2a和端面2b相對的方向上延伸。側(cè)面2d是例如將層疊線圈部件1安裝于未圖示的其它電子設(shè)備(例如，電路基板或電子部件等)時，與其它電子設(shè)備相對的面。

端面2a和端面2b相對的方向(圖中的x方向)、側(cè)面2c和側(cè)面2d相對的方向(圖中的z方向)、側(cè)面2e和側(cè)面2f相對的方向(圖中的y方向)互相大致正交。長方體形狀包含角部及棱線部被倒角的長方體的形狀及角部及棱線部被磨圓的長方體的形狀。

素體2通過將多個磁性體層疊層而構(gòu)成，包含磁性體部11(參照圖3)。多個磁性體層在側(cè)面2c和側(cè)面2d相對的方向上疊層。即，多個磁性體層疊層的方向與側(cè)面2c和側(cè)面2d相對的方向(圖示的z方向)一致。以下，也將多個磁性體層疊層的方向(即，側(cè)面2c和側(cè)面2d相對的方向)稱為“z方向”。多個磁性體層分別呈現(xiàn)大致矩形形狀。實際的素體2中，多個磁性體層被一體化成不能看到其層間的邊界的程度。

磁性體部11由例如包含磁性體材料(ni-cu-zn系鐵氧體材料、ni-cu-zn-mg系鐵氧體材料、或ni-cu系鐵氧體材料等)的粉末的磁性膏體的燒結(jié)體構(gòu)成。即，素體2具有磁性。磁性膏體也可以包含fe合金等粉末。

外部電極4配置于素體2的端面2a上，外部電極5配置于素體2的端面2b上。即，外部電極4和外部電極5在端面2a和端面2b相對的方向上相互分開。外部電極4、5在俯視圖中呈現(xiàn)大致矩形形狀，外部電極4、5的角被磨圓。外部電極4、5含有導(dǎo)電材料(例如，ag或pd等)。外部電極4、5作為含有導(dǎo)電性金屬粉末(例如，ag粉末或pd粉末等)及玻璃粉的導(dǎo)電膏的燒結(jié)體而構(gòu)成。通過對外部電極4、5實施電鍍，在外部電極4、5的表面上形成鍍層。電鍍中可使用例如ni或sn等。

外部電極4包含：位于端面2a上的電極部分4a、位于側(cè)面2d上的電極部分4b、位于側(cè)面2c上的電極部分4c、位于側(cè)面2e上的電極部分4d、位于側(cè)面2f上的電極部分4e的5個電極部分。電極部分4a覆蓋端面2a的整個面。電極部分4b覆蓋側(cè)面2d的一部分。電極部分4c覆蓋側(cè)面2c的一部分。電極部分4d覆蓋側(cè)面2e的一部分。電極部分4e覆蓋側(cè)面2f的一部分。5個電極部分4a、4b、4c、4d、4e被一體地形成。

外部電極5包含：位于端面2b上的電極部分5a、位于側(cè)面2d上的電極部分5b、位于側(cè)面2c上的電極部分5c、位于側(cè)面2e上的電極部分5d、位于側(cè)面2f上的電極部分5e的5個電極部分。電極部分5a覆蓋端面2b的整個面。電極部分5b覆蓋側(cè)面2d的一部分。電極部分5c覆蓋側(cè)面2c的一部分。電極部分5d覆蓋側(cè)面2e的一部分。電極部分5e覆蓋側(cè)面2f的一部分。5個電極部分5a、5b、5c、5d、5e被一體地形成。

如圖2～圖4所示，層疊線圈部件1在素體2內(nèi)具備：多個線圈導(dǎo)體21、22、23、24、25、26(多個內(nèi)部導(dǎo)體)；連接導(dǎo)體13、14；一個磁隙層30；多個低磁導(dǎo)率層31、32、33、34。圖2中，磁隙層30及各低磁導(dǎo)率層31～34以單點劃線表示。

線圈導(dǎo)體21～26具有在z方向(第一方向)上分開并且從z方向觀察相互重合的第一導(dǎo)體部分。線圈導(dǎo)體21、23、25、26的一個端部和另一個端部在x方向上相互分開。線圈導(dǎo)體22、24的一個端部和另一個端部在y方向上相互分開。在z方向上相互相鄰的線圈導(dǎo)體21～26具有從z方向觀察與第一導(dǎo)體部分相互不重合的第二導(dǎo)體部分。線圈導(dǎo)體21～26的端部彼此通過通孔導(dǎo)體17連接。通孔導(dǎo)體17位于z方向上相鄰的端部之間。

線圈導(dǎo)體21的端部21b和線圈導(dǎo)體22的端部22a利用通孔導(dǎo)體17連接。線圈導(dǎo)體22的端部22b和線圈導(dǎo)體23的端部23a利用通孔導(dǎo)體17連接。線圈導(dǎo)體23的端部23b和線圈導(dǎo)體24的端部24a利用通孔導(dǎo)體17連接。線圈導(dǎo)體24的端部24b和線圈導(dǎo)體25的端部25a利用通孔導(dǎo)體17連接。線圈導(dǎo)體25的端部25b和線圈導(dǎo)體26的端部26a利用通孔導(dǎo)體17連接。

線圈導(dǎo)體21～26經(jīng)由通孔導(dǎo)體17相互連接，從而在素體2內(nèi)構(gòu)成線圈20。即，層疊線圈部件1在素體2內(nèi)具備線圈20。線圈20包含在z方向上相互分開，且相互電連接的多個線圈導(dǎo)體21～26。線圈20的軸心方向為z方向。線圈導(dǎo)體21的端部2la與線圈20的一端部e1對應(yīng)，且線圈導(dǎo)體26的端部26b與線圈20的另一端部e2對應(yīng)。

線圈導(dǎo)體21配置于多個線圈導(dǎo)體21～26中在疊層方向上最接近素體2的側(cè)面2c的位置。本實施方式中，線圈導(dǎo)體21的導(dǎo)體圖案和連接導(dǎo)體13的導(dǎo)體圖案被一體地連續(xù)地形成。連接導(dǎo)體13將線圈導(dǎo)體21的端部21a和外部電極4連結(jié)，并在素體2的端面2a上露出。連接導(dǎo)體13與覆蓋端面2a的電極部分4a連接。線圈20的一個端部e1和外部電極4經(jīng)由連接導(dǎo)體13電連接。

線圈導(dǎo)體26配置于多個線圈導(dǎo)體21～26中在疊層方向上最接近素體2的側(cè)面2d的位置。本實施方式中，線圈導(dǎo)體26的導(dǎo)體圖案和連接導(dǎo)體14的導(dǎo)體圖案被一體地連續(xù)地形成。連接導(dǎo)體14將線圈導(dǎo)體26的端部26b和外部電極5連結(jié)，并在素體2的端面2b上露出。連接導(dǎo)體14與覆蓋端面2b的電極部分5a連接。線圈20的另一端部e2和外部電極5經(jīng)由連接導(dǎo)體14電連接。

線圈導(dǎo)體21～26、連接導(dǎo)體13、14及通孔導(dǎo)體17含有例如導(dǎo)電性材料(例如，ag或pd等)。線圈導(dǎo)體21～26、連接導(dǎo)體13、14及通孔導(dǎo)體17作為含有導(dǎo)電性金屬粉末(例如，ag粉末或pd粉末等)的導(dǎo)電膏的燒結(jié)體而構(gòu)成。

磁隙層30配置于線圈導(dǎo)體23和線圈導(dǎo)體24之間。磁隙層30具有從z方向觀察呈大致矩形狀。磁隙層30以覆蓋沿著z方向的疊層面、即與素體2中的線圈20的軸心方向交叉的截面(沿x方向及y方向延伸的面)的整體的方式延伸。在磁隙層30上形成有貫通孔。在該貫通孔中配置有將線圈導(dǎo)體23和線圈導(dǎo)體24之間連接的通孔導(dǎo)體17。

低磁導(dǎo)率層31～34配置于z方向上相互相鄰的各線圈導(dǎo)體21～26之間。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層31～34沿著對應(yīng)的線圈導(dǎo)體21～26的第一導(dǎo)體部分。低磁導(dǎo)率層31～34呈現(xiàn)例如框狀。

低磁導(dǎo)率層31配置于線圈導(dǎo)體21和線圈導(dǎo)體22之間。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層31和線圈導(dǎo)體21中的與線圈導(dǎo)體22重合的第一導(dǎo)體部分以及線圈導(dǎo)體22中的與線圈導(dǎo)體21重合的第一導(dǎo)體部分接觸。即，低磁導(dǎo)率層31沿著線圈導(dǎo)體21的第一導(dǎo)體部分和線圈導(dǎo)體22的第一導(dǎo)體部分。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層31和線圈導(dǎo)體21中的不與線圈導(dǎo)體22重合的第二導(dǎo)體部分以及線圈導(dǎo)體22中的不與線圈導(dǎo)體21重合的第二導(dǎo)體部分接觸。即，從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層31在線圈導(dǎo)體21的一個端部和另一個端部在x方向上相互分開的分開區(qū)域以及線圈導(dǎo)體22的一個端部和另一個端部在y方向上相互分開的分開區(qū)域中均重合。低磁導(dǎo)率層31具有與線圈導(dǎo)體21、22接觸的接觸部31a(第一部分)和在z方向上與線圈導(dǎo)體21、22分開的分開部31b(第二部分)(參照圖4)。

低磁導(dǎo)率層32配置于線圈導(dǎo)體22和線圈導(dǎo)體23之間。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層32和線圈導(dǎo)體22中的與線圈導(dǎo)體23重合的第一導(dǎo)體部分以及線圈導(dǎo)體23中的與線圈導(dǎo)體22重合的第一導(dǎo)體部分接觸。即，低磁導(dǎo)率層32沿著線圈導(dǎo)體22的第一導(dǎo)體部分和線圈導(dǎo)體23的第一導(dǎo)體部分。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層32和線圈導(dǎo)體22中的不與線圈導(dǎo)體23重合的第二導(dǎo)體部分以及線圈導(dǎo)體23中的不與線圈導(dǎo)體22重合的第二導(dǎo)體部分接觸。即，從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層32在線圈導(dǎo)體22的一個端部和另一端部在y方向上相互分開的分開區(qū)域、及線圈導(dǎo)體23的一個端部和另一端部在x方向相互分開的分開區(qū)域中均重合。低磁導(dǎo)率層32具有與線圈導(dǎo)體22、23接觸的接觸部32a(第一部分)和在z方向上與線圈導(dǎo)體22、23分開的分開部32b(第二部分)(參照圖4)。

低磁導(dǎo)率層33配置于線圈導(dǎo)體24和線圈導(dǎo)體25之間。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層33和線圈導(dǎo)體24中的與線圈導(dǎo)體25重合的第一導(dǎo)體部分以及線圈導(dǎo)體25中的與線圈導(dǎo)體24重合的第一導(dǎo)體部分接觸。即，低磁導(dǎo)率層33沿著線圈導(dǎo)體24的第一導(dǎo)體部分和線圈導(dǎo)體25的第一導(dǎo)體部分。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層33與線圈導(dǎo)體24中的不與線圈導(dǎo)體25重合的第二導(dǎo)體部分、和線圈導(dǎo)體25中的不與線圈導(dǎo)體24重合的第二導(dǎo)體部分接觸。即，從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層33與線圈導(dǎo)體24的一個端部和另一端部在y方向上相互分開的分開區(qū)域及線圈導(dǎo)體25的一個端部和另一端部在z方向上相互分開的分開區(qū)域均重合。低磁導(dǎo)率層33具有與線圈導(dǎo)體24、25接觸的接觸部33a(第一部分)和z方向上與線圈導(dǎo)體24、25分開的分開部33b(第二部分)(參照圖4)。

低磁導(dǎo)率層34配置于線圈導(dǎo)體25和線圈導(dǎo)體26之間。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層34和線圈導(dǎo)體25中的與線圈導(dǎo)體26重合的第一導(dǎo)體部分以及線圈導(dǎo)體26中的與線圈導(dǎo)體25重合的第一導(dǎo)體部分接觸。即，低磁導(dǎo)率層34沿著線圈導(dǎo)體25的第一導(dǎo)體部分和線圈導(dǎo)體26的第一導(dǎo)體部分。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層34和線圈導(dǎo)體25中的不與線圈導(dǎo)體26重合的第二導(dǎo)體部分以及線圈導(dǎo)體26中的不與線圈導(dǎo)體25重合的第二導(dǎo)體部分接觸。即，從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層34在線圈導(dǎo)體25的一個端部和另一端部在x方向上相互分開的分開區(qū)域以及線圈導(dǎo)體26的一個端部和另一端部在x方向上相互分開的分開區(qū)域中均重合。低磁導(dǎo)率層34具有與線圈導(dǎo)體25、26接觸的接觸部34a(第一部分)和在z方向上與線圈導(dǎo)體25、26分開的分開部34b(第二部分)(參照圖4)。

磁隙層30及低磁導(dǎo)率層31～34具有比素體2的磁導(dǎo)率低的磁導(dǎo)率。磁隙層30及低磁導(dǎo)率層31～34含有例如具有比磁性體部11低的磁導(dǎo)率的弱磁性材料、或不具有磁性的非磁性體材料。本實施方式中，磁隙層30及低磁導(dǎo)率層31～34利用含有非磁性體材料(cu-zn系鐵氧體材料等)的粉末的非磁性膏體的燒結(jié)體構(gòu)成。

磁隙層30為非磁性，因此，遮擋在線圈20的整個周圍產(chǎn)生的磁通。因此，抑制線圈20的整個周圍的磁飽和的產(chǎn)生。各低磁導(dǎo)率層31～34為非磁性，且具有接觸部31a～34a，因此，遮擋在各線圈導(dǎo)體21～26的周圍產(chǎn)生的磁通。因此，磁通不易向各線圈導(dǎo)體21～26的周圍流入。抑制各線圈導(dǎo)體21～26的周圍中的局部磁飽和的產(chǎn)生。其結(jié)果，抑制層疊線圈部件1中的磁飽和的產(chǎn)生，提高層疊線圈部件1的直流疊加特性。

如圖3所示，多個線圈導(dǎo)體21～26具有在z方向上大致相同的厚度ta。多個低磁導(dǎo)率層31～34具有z方向上大致相同的厚度tb。低磁導(dǎo)率層31～34的厚度tb比線圈導(dǎo)體21～26的厚度ta小。

素體2的沿著y方向及z方向的截面上，線圈導(dǎo)體21～26的y方向上的寬度wa和低磁導(dǎo)率層31～34的y方向上的寬度wb大致相等。低磁導(dǎo)率層31～34的y方向上的寬度wb只要設(shè)定成可以遮擋線圈導(dǎo)體21～26周圍的磁通的程度的值即可。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層31～34也可以不從線圈導(dǎo)體21～26露出，且也可以從線圈導(dǎo)體21～26露出。

素體2具有素體區(qū)域s1(第一素體區(qū)域)(參照圖4)。素體區(qū)域s1夾設(shè)于各低磁導(dǎo)率層31～34的分開部31b～34b和在z方向上與對應(yīng)的分開部31b～34b相鄰的線圈導(dǎo)體21～26之間。即，素體區(qū)域s1位于：分開部31b和線圈導(dǎo)體21之間、分開部31b和線圈導(dǎo)體22之間、分開部32b和線圈導(dǎo)體22之間、分開部32b和線圈導(dǎo)體23之間、分開部33b和線圈導(dǎo)體23之間、分開部33b和線圈導(dǎo)體25之間、分開部34b和線圈導(dǎo)體25之間以及分開部34b和線圈導(dǎo)體26之間。

磁性體部11分別包含多個相對于線圈導(dǎo)體21～26的邊界面11a和相對于低磁導(dǎo)率層31～34的邊界面11b。素體2包含邊界面11a和邊界面11b在z方向上交替排列的邊界區(qū)域r1、r2。

邊界區(qū)域r1位于z方向上比磁隙層30更靠近素體2的側(cè)面2c。邊界區(qū)域r1包含低磁導(dǎo)率層31、32的分開部31b、32b。邊界區(qū)域r1包含磁性體部11相對于線圈導(dǎo)體21～23的各邊界面11a和磁性體部11相對于低磁導(dǎo)率層31、32的各邊界面11b。在邊界區(qū)域r1中邊界面11a和邊界面11b交替排列，由此，形成線圈導(dǎo)體21～23及低磁導(dǎo)率層31、32與素體2的邊界b1(參照圖4)。即，邊界區(qū)域r1包含邊界b1。

邊界區(qū)域r2位于z方向上比磁隙層30更靠近素體2的側(cè)面2d。邊界區(qū)域r2包含低磁導(dǎo)率層33、34的分開部33b、34b。邊界區(qū)域r2包含磁性體部11相對于線圈導(dǎo)體24～26的各邊界面11a和磁性體部11相對于低磁導(dǎo)率層33、34的各邊界面11b。在邊界區(qū)域r2中邊界面11a和邊界面11b交替排列，由此，形成線圈導(dǎo)體24～26及低磁導(dǎo)率層33、34與素體2的邊界b2(參照圖4)。即，邊界區(qū)域r2包含邊界b2。

邊界區(qū)域r1、r2中，在z方向上，素體區(qū)域s1位于交替排列的各線圈導(dǎo)體21～26和各低磁導(dǎo)率層31～34之間。邊界區(qū)域r1中，在z方向上，素體區(qū)域s1位于線圈導(dǎo)體21和低磁導(dǎo)率層31之間，并且素體區(qū)域s1位于線圈導(dǎo)體22和低磁導(dǎo)率層32之間。邊界區(qū)域r1中，在沿著z方向的假想軸線d(參照圖4)上，線圈導(dǎo)體21～23、低磁導(dǎo)率層31、32及素體區(qū)域s1按照線圈導(dǎo)體21、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層31、素體區(qū)域s1、線圈導(dǎo)體22、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層32、素體區(qū)域s1及線圈導(dǎo)體23的順序排列。邊界區(qū)域r1中，在沿著y方向及z方向的假想截面上，邊界面11a和邊界面11b以構(gòu)成在z方向上延伸的鋸齒的方式，在z方向上排列。即，線圈導(dǎo)體21～23及低磁導(dǎo)率層31、32和素體2的邊界b1(參照圖4)具有不沿著z方向而在z方向上交叉的面。

邊界區(qū)域r2中，在z方向上，素體區(qū)域s1位于線圈導(dǎo)體24和線圈導(dǎo)體25之間，并且素體區(qū)域s1位于線圈導(dǎo)體25和線圈導(dǎo)體26之間。邊界區(qū)域r2中，在沿著z方向的假想軸線d(參照圖4)上，線圈導(dǎo)體24～26、低磁導(dǎo)率層33、34及素體區(qū)域s1按照線圈導(dǎo)體24、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層33、素體區(qū)域s1、線圈導(dǎo)體25、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層34、素體區(qū)域s1及線圈導(dǎo)體26的順序排列。邊界區(qū)域r2中，在沿著y方向及z方向的假想截面上，邊界面11a和邊界面11b以構(gòu)成在z方向上延伸的鋸齒的方式，沿z方向排列。即，線圈導(dǎo)體24～26及低磁導(dǎo)率層33、34與素體2的邊界b2(參照圖4)具有不沿著z方向，而在z方向上交叉的面。

接著，說明層疊線圈部件1的制造過程。層疊線圈部件1例如如以下制造。首先，通過將用于構(gòu)成磁性體部11的磁性膏體圖案和用于構(gòu)成線圈導(dǎo)體21～26、連接導(dǎo)體13、14及通孔導(dǎo)體17的導(dǎo)電性膏體圖案、用于構(gòu)成磁隙層30及低磁導(dǎo)率層31～34的非磁性膏體圖案通過印刷法等依次疊層，從而得到疊層體。

磁性膏體圖案通過涂布磁性膏體并使其干燥而形成。磁性膏體通過將上述磁性體材料的粉末和有機溶劑及有機粘合劑等混合而制作。導(dǎo)電性膏體圖案通過涂布導(dǎo)電性膏體并使其干燥而形成。導(dǎo)電性膏體通過將上述導(dǎo)電性金屬粉末和有機溶劑及有機粘合劑等混合而制作。非磁性膏體圖案通過涂布非磁性膏體并使其干燥而形成。非磁性膏體通過將上述非磁性材料或弱磁性材料等粉末和有機溶劑及有機粘合劑等混合而制作。對用于形成邊界區(qū)域r1、r2的磁性膏體圖案、導(dǎo)電性膏體圖案及非磁性膏體圖案的疊層工序的詳情后面進(jìn)行敘述。

接著，將該疊層體切斷，得到多個生坯芯片。生坯芯片具有與素體2的大小對應(yīng)的大小。接著，進(jìn)行得到的生坯芯片的滾筒研磨。其結(jié)果，得到角部或棱線被磨圓的生坯芯片。接著，將進(jìn)行了滾筒研磨的生坯芯片在規(guī)定的條件下燒成。其結(jié)果，作為磁性膏體圖案的燒結(jié)體，構(gòu)成磁性體部11，并得到素體2。作為導(dǎo)電性膏體圖案的燒結(jié)體，構(gòu)成線圈導(dǎo)體21～26、連接導(dǎo)體13、14及通孔導(dǎo)體17。作為非磁性膏體圖案的燒結(jié)體，構(gòu)成磁隙層30及低磁導(dǎo)率層31～34。即，素體2具備線圈導(dǎo)體21～26、通孔導(dǎo)體17、磁隙層30及低磁導(dǎo)率層31～34。

接著，在素體2的外表面賦予外部電極4、5用的導(dǎo)電性膏體，將賦予的導(dǎo)電性膏體在規(guī)定條件下進(jìn)行熱處理。其結(jié)果，在素體2上形成外部電極4、5。然后，對外部電極4、5的表面實施電鍍。如以上所述，得到層疊線圈部件1。

以下，參照圖5a～圖8b，詳細(xì)說明用于形成邊界區(qū)域r1的磁性膏體圖案、導(dǎo)電性膏體圖案、及非磁性膏體圖案的疊層工序。用于形成邊界區(qū)域r2的疊層工序與用于形成邊界區(qū)域r1的疊層工序同樣，因此，省略其說明。圖5a～圖8b中，僅表示用于構(gòu)成磁性體部11的磁性生坯片材g的一部分。

圖5a～圖8b是說明用于形成邊界區(qū)域的疊層工序的圖。首先，如圖5a所示，在以片材狀印刷磁性膏體而形成的磁性生坯片材g的表面上印刷磁性膏體。此時，以形成規(guī)定的空白區(qū)域(即，不印刷磁性膏體的區(qū)域)的方式涂布磁性膏體。該規(guī)定的空白區(qū)域的形狀與用于構(gòu)成線圈導(dǎo)體21的導(dǎo)電性膏體圖案l1(參照圖5b)的形狀對應(yīng)。其結(jié)果，構(gòu)成磁性體部11的磁性膏體圖案m1和位于磁性膏體圖案m1之間的規(guī)定的空白區(qū)域形成于磁性生坯片材g上。

接著，如圖5b所示，在位于磁性膏體圖案m1之間的空白區(qū)域中充填印刷導(dǎo)電性膏體。其結(jié)果，用于構(gòu)成線圈導(dǎo)體21的導(dǎo)電性膏體圖案l1形成于磁性生坯片材g上。導(dǎo)電性膏體圖案l1具有位于磁性生坯片材g的表面上的中央部l1a和位于磁性膏體圖案m1的表面上的邊界部l1b。磁性膏體圖案m1的表面和導(dǎo)電性膏體圖案l1的表面不平坦，與磁性膏體圖案m1相比，導(dǎo)電性膏體圖案l1鼓起。

接下啦，如圖6a所示，在磁性膏體圖案m1的表面上印刷磁性膏體。此時，以形成規(guī)定的空白區(qū)域的方式印刷磁性膏體。該規(guī)定的空白區(qū)域的形狀與用于構(gòu)成低磁導(dǎo)率層31的非磁性膏體圖案n1(參照圖6的(b))的形狀對應(yīng)。其結(jié)果，用于構(gòu)成磁性體部11的磁性膏體圖案m2和位于磁性膏體圖案m2之間的規(guī)定的空白區(qū)域形成于磁性膏體圖案m1及導(dǎo)電性膏體圖案l1上。該規(guī)定的空白區(qū)域位于導(dǎo)電性膏體圖案l1的中央部l1a上。在磁性膏體圖案m1和磁性膏體圖案m2之間夾設(shè)有導(dǎo)電性膏體圖案l1的邊界部l1b。

接著，如圖6b所示，在位于磁性膏體圖案m2之間的空白區(qū)域中充填印刷非磁性膏體。其結(jié)果，用于構(gòu)成低磁導(dǎo)率層31的非磁性膏體圖案n1形成于導(dǎo)電性膏體圖案l1上。非磁性膏體圖案n1具有位于導(dǎo)電性膏體圖案l1的表面上的中央部n1a和位于磁性膏體圖案m2的表面上的邊界部n1b。磁性膏體圖案m2的表面和非磁性膏體圖案n1的表面大致平坦。

接下來，如圖7a所示，在磁性膏體圖案m2的表面上印刷磁性膏體。此時，以形成規(guī)定的空白區(qū)域的方式印刷磁性膏體。該規(guī)定的空白區(qū)域的形狀與用于構(gòu)成線圈導(dǎo)體22的導(dǎo)電性膏體圖案l2(參照圖7b)的形狀對應(yīng)。其結(jié)果，用于構(gòu)成磁性體部11的磁性膏體圖案m3和位于磁性膏體圖案m3之間的規(guī)定的空白區(qū)域形成于磁性膏體圖案m2及非磁性膏體圖案n1上。該規(guī)定的空白區(qū)域位于非磁性膏體圖案n1的中央部n1a上。在磁性膏體圖案m2和磁性膏體圖案m3之間夾設(shè)有非磁性膏體圖案n1的邊界部n1b。

接著，如圖7b所示，在位于磁性膏體圖案m3之間的空白區(qū)域中充填印刷導(dǎo)電性膏體。其結(jié)果，用于構(gòu)成線圈導(dǎo)體22的導(dǎo)電性膏體圖案l2形成于非磁性膏體圖案n1上。導(dǎo)電性膏體圖案l2具有位于非磁性膏體圖案n1的表面上的中央部l2a和位于磁性膏體圖案m3的表面上的邊界部l2b。磁性膏體圖案m3的表面和導(dǎo)電性膏體圖案l2的表面不平坦，與磁性膏體圖案m3相比，導(dǎo)電性膏體圖案l2鼓起。

接著，如圖8a所示，在磁性膏體圖案m3的表面上印刷磁性膏體圖案m4。此時，以形成規(guī)定的空白區(qū)域的方式印刷磁性膏體。該規(guī)定的空白區(qū)域的形狀與用于構(gòu)成低磁導(dǎo)率層32的非磁性膏體圖案n2(參照圖8的(b))的形狀對應(yīng)。其結(jié)果，用于構(gòu)成磁性體部11的磁性膏體圖案m4和位于磁性膏體圖案m4之間的規(guī)定的空白區(qū)域形成于磁性膏體圖案m3及導(dǎo)電性膏體圖案l2上。該規(guī)定的空白區(qū)域位于導(dǎo)電性膏體圖案l2的中央部l2a上。在磁性膏體圖案m3和磁性膏體圖案m4之間夾設(shè)有導(dǎo)電性膏體圖案l2的邊界部l2b。

接著，如圖8b所示，在位于磁性膏體圖案m4之間的空白區(qū)域中充填印刷非磁性膏體。其結(jié)果，用于構(gòu)成低磁導(dǎo)率層32的非磁性膏體圖案n2形成于導(dǎo)電性膏體圖案l2上。非磁性膏體圖案n2具有位于導(dǎo)電性膏體圖案l2的表面上的中央部n2a和位于磁性膏體圖案m4的表面上的邊界部n2b。磁性膏體圖案m4的表面和非磁性膏體圖案n2的表面大致平坦。

然后，再次重復(fù)進(jìn)行與圖7a及圖7b所示的處理相同的處理。即，在磁性膏體圖案m4的表面上印刷用于構(gòu)成磁性體部11的磁性膏體，以形成規(guī)定的空白區(qū)域，并且形成的空白區(qū)域中充填印刷用于構(gòu)成線圈導(dǎo)體23的導(dǎo)電性膏體。如以上，形成對應(yīng)于邊界區(qū)域r1的部分，即通過疊層后的燒成而成為邊界區(qū)域r1的部分。對于對應(yīng)于邊界區(qū)域r2的部分即通過疊層后的燒成而成為邊界區(qū)域r2的部分也通過與對應(yīng)于邊界區(qū)域r1的部分中的疊層工序相同的疊層工序得到。

在第一實施方式的層疊線圈部件1中，低磁導(dǎo)率層31～34配置于z方向上相互相鄰的各線圈導(dǎo)體21～26之間。低磁導(dǎo)率層31～34具有比素體2低的磁導(dǎo)率，并且具有與線圈導(dǎo)體21～26接觸的接觸部31a～34a。因此，在素體2內(nèi)，在各線圈導(dǎo)體21～26的周圍產(chǎn)生的磁通被接觸部31a～34a遮擋。其結(jié)果，抑制磁飽和的產(chǎn)生，提高層疊線圈部件1的直流疊加特性。

低磁導(dǎo)率層31～34具有分開部31b～34b。在分開部31b～34b和線圈導(dǎo)體21～26之間夾設(shè)有素體區(qū)域s1。因此，線圈導(dǎo)體21～26及低磁導(dǎo)率層31～34與素體2的邊界b1、b2具有不沿著z方向而在z方向上交叉的面。因此，線圈導(dǎo)體21～26及低磁導(dǎo)率層31～34與素體2的邊界b1、b2發(fā)揮抵抗沿著z方向的剪切應(yīng)力的作用，沿著z方向的剪切應(yīng)力向與z方向交叉的方向分散。其結(jié)果，即使在產(chǎn)生沿著z方向的剪切應(yīng)力的情況下，也不易在素體2上產(chǎn)生裂紋。根據(jù)以上，層疊線圈部件1中，提高直流疊加特性，并且抑制裂紋的產(chǎn)生。

本實施方式的層疊線圈部件1中，低磁導(dǎo)率層31～34的厚度tb比線圈導(dǎo)體21～26的厚度ta小。因此，在相同素體2內(nèi)，相對于線圈導(dǎo)體21～26在z方向上占據(jù)的區(qū)域，低磁導(dǎo)率層31～34在z方向上占據(jù)的區(qū)域狹窄。即，可以增加素體2內(nèi)的線圈導(dǎo)體21～26占據(jù)的區(qū)域從而高效地形成線圈20。

(第二實施方式)

接著，參照圖9對第二實施方式的層疊線圈部件進(jìn)行說明。圖9是表示第二實施方式的層疊線圈部件的邊界區(qū)域的截面圖。圖9與圖4對應(yīng)。

第二實施方式的層疊線圈部件省略圖示，但與第一實施方式的層疊線圈部件1一樣，具備：素體2、一對外部電極4、5(參照圖1)、多個線圈導(dǎo)體21～26(參照圖2及圖3)、多個連接導(dǎo)體13、14(參照圖2及圖3)、一個磁隙層30(參照圖2及圖3)、多個低磁導(dǎo)率層31～34。

與第一實施方式一樣，低磁導(dǎo)率層31～34具有接觸部31a～34a及分開部31b～34b，素體2具有多個素體區(qū)域s1(參照圖4)。邊界區(qū)域r1、r2中，在z方向上，在低磁導(dǎo)率層31～34和線圈導(dǎo)體21～26之間夾設(shè)有素體區(qū)域s1。邊界區(qū)域r1、r2中，邊界面11a和邊界面11b以構(gòu)成沿z方向延伸的鋸齒的方式在z方向上排列。即，邊界b1、b2具有不沿著z方向而在z方向上交叉的面。

如圖9所示，第二實施方式的層疊線圈部件與層疊線圈部件1的不同點在于，從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層32～34比線圈導(dǎo)體21～26位于更內(nèi)側(cè)。與線圈導(dǎo)體21～26的一側(cè)的側(cè)端部21c、22c、23c、24c、25c、26c相比，低磁導(dǎo)率層31～34的一側(cè)端部31c、32c、33c、34c在素體2內(nèi)的y方向上位于更內(nèi)側(cè)。與線圈導(dǎo)體21～26的另一側(cè)端部21d、22d、23d、24d、25d、26d相比，低磁導(dǎo)率層31～34的另一側(cè)端部31d、32d、33d、34d在素體2內(nèi)的y方向上位于更內(nèi)側(cè)。

在沿著y方向及z方向的截面上，與線圈導(dǎo)體21～26的y方向上的寬度wa相比，低磁導(dǎo)率層31～34的y方向上的寬度wb較小。低磁導(dǎo)率層31～34的寬度wb設(shè)定成可以遮擋線圈導(dǎo)體21～26的周圍的磁通的程度的值。由于寬度wb比寬度wa小，因此，從z方向觀察，在低磁導(dǎo)率層31～34的外側(cè)且線圈導(dǎo)體21～26導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)，形成有在z方向上相鄰的各線圈導(dǎo)體21～26之間不夾設(shè)低磁導(dǎo)率層31～34而夾設(shè)有磁性體部11的區(qū)域lc。區(qū)域lc中，由相同熱收縮率的材料構(gòu)成的磁性體部連續(xù)存在。

第二實施方式的層疊線圈部件中，在素體2內(nèi)在各線圈導(dǎo)體21～26的周圍產(chǎn)生的磁通被接觸部31a～34a遮擋。其結(jié)果，抑制磁飽和的產(chǎn)生，提高層疊線圈部件1的直流疊加特性。線圈導(dǎo)體21～26及低磁導(dǎo)率層31～34與素體2的邊界b1、b2具有不沿著z方向而在z方向上交叉的面。因此，邊界b1、b2發(fā)揮抵抗沿著z方向的剪切應(yīng)力的作用，沿著z方向的剪切應(yīng)力向與z方向交叉的方向分散。其結(jié)果，即使在產(chǎn)生沿著z方向的剪切應(yīng)力的情況下，也不易在素體2上產(chǎn)生裂紋。根據(jù)以上，第二實施方式的層疊線圈部件中，也提高直流疊加特性，并且抑制裂紋的產(chǎn)生。

第二實施方式的層疊線圈部件中，從z方向觀察，在低磁導(dǎo)率層31～34的外側(cè)且線圈導(dǎo)體21～26的內(nèi)側(cè)形成有區(qū)域lc。區(qū)域lc不具有與低磁導(dǎo)率層31～34的邊界而在z方向上連續(xù)地存在，因此，即使在產(chǎn)生沿著z方向的剪切應(yīng)力的情況下，區(qū)域lc也不易被剪斷。第二實施方式的層疊線圈部件中，通過形成區(qū)域lc，從而更進(jìn)一步抑制裂紋的產(chǎn)生。

(第三實施方式)

接著，參照圖10說明第三實施方式的層疊線圈部件。圖10是表示第三實施方式的層疊線圈部件的邊界區(qū)域的截面圖。圖10與圖4對應(yīng)。

第三實施方式的層疊線圈部件省略圖示，但與第一實施方式的層疊線圈部件1一樣，具備：素體2、一對外部電極4、5(參照圖1)、多個線圈導(dǎo)體21～26(參照圖2及圖3)、多個連接導(dǎo)體13、14(參照圖2及圖3)、一個磁隙層30(參照圖2及圖3)、多個低磁導(dǎo)率層31～34。

與第一實施方式一樣，低磁導(dǎo)率層31～34具有接觸部31a～34a及分開部31b～34b，素體2具有多個素體區(qū)域s1(參照圖4)。邊界區(qū)域r1、r2中，在z方向上，在低磁導(dǎo)率層31～34和線圈導(dǎo)體21～26之間夾設(shè)有素體區(qū)域s1。邊界區(qū)域r1、r2中，邊界面11a和邊界面11b以構(gòu)成沿z方向延伸的鋸齒的方式沿z方向排列。即，邊界b1、b2具有不沿著z方向而在z方向上交叉的面。

如圖10所示，第三實施方式的層疊線圈部件與上述的層疊線圈部件1的不同點在于，在磁隙層30及低磁導(dǎo)率層32～34上分別形成有擴散層40、41。第三實施方式中，擴散層40、41是作為素體2所含的磁性體材料的一部分的ni擴散的區(qū)域。擴散層40、41具有比素體2的磁導(dǎo)率高的磁導(dǎo)率。擴散層40形成于磁隙層30與素體2的邊界面的整體上。擴散層41形成于低磁導(dǎo)率層31～34的分開部31b～34b側(cè)。

第三實施方式的層疊線圈部件中，也與第一及第二實施方式一樣，直流疊加特性提高，并且裂紋的產(chǎn)生被抑制。

本實施方式的層疊線圈部件中，通過擴散層41，素體2與低磁導(dǎo)率層31～34的邊界中的材質(zhì)的變化緩和，提高素體2和低磁導(dǎo)率層31～34的接合強度。

(第四實施方式)

接著，參照圖11對第四實施方式的層疊線圈部件進(jìn)行說明。圖11是表示第四實施方式的層疊線圈部件的邊界區(qū)域的截面圖。圖11與圖4對應(yīng)。

第四實施方式的層疊線圈部件省略圖示，但與第一實施方式的層疊線圈部件1一樣，具備：素體2、一對外部電極4、5(參照圖1)、多個線圈導(dǎo)體21～26(參照圖2及圖3)、多個連接導(dǎo)體13、14(參照圖2及圖3)、一個磁隙層30(參照圖2及圖3)、多個低磁導(dǎo)率層31～34。

與第一實施方式一樣，低磁導(dǎo)率層31～34具有接觸部31a～34a及分開部31b～34b，素體2具有多個素體區(qū)域s1(參照圖4)。邊界區(qū)域r1、r2中，在z方向上，在低磁導(dǎo)率層31～34和線圈導(dǎo)體21～26之間夾設(shè)有素體區(qū)域s1。邊界區(qū)域r1、r2中，邊界面11a和邊界面11b以構(gòu)成沿z方向延伸的鋸齒的方式沿著z方向排列。即，邊界b1、b2具有不沿著z方向而在z方向上交叉的面。

如圖11所示，第四實施方式的層疊線圈部件與上述的層疊線圈部件1的不同點在于，低磁導(dǎo)率層31～34具有多個分開部31b～34b及素體2具有素體區(qū)域s1和素體區(qū)域s2(第二素體區(qū)域)。

低磁導(dǎo)率層31～34在相鄰的各線圈導(dǎo)體21～26之間具有多個分開部31b～34b。各分開部31b～34b沿z方向排列。低磁導(dǎo)率層31在線圈導(dǎo)體21和線圈導(dǎo)體22之間具有分開部31b1和分開部31b2。分開部31b1和分開部31b2在z方向上相鄰。低磁導(dǎo)率層32在線圈導(dǎo)體22和線圈導(dǎo)體23之間具有分開部32b1和分開部32b2。分開部32b1和分開部32b2在z方向上相鄰。

在線圈導(dǎo)體24和線圈導(dǎo)體25之間，低磁導(dǎo)率層33具有分開部33b1和分開部33b2。分開部33b1和分開部33b2在z方向上相鄰。在線圈導(dǎo)體25和線圈導(dǎo)體26之間，低磁導(dǎo)率層34具有分開部34b1和分開部34b2。分開部34b1和分開部34b2在z方向上相鄰。

素體區(qū)域s2夾設(shè)于z方向上相鄰的各分開部31b1、31b2、32b1、32b2，33b1、33b2、34b1、34b2之間。即，素體區(qū)域s2形成于分開部31b1和分開部31b2之間、分開部32b1和分開部32b2之間、分開部33b1和分開部33b2之間及分開部34b1和分開部34b2之間。

邊界區(qū)域r1中，在沿著z方向的假想軸線d上，線圈導(dǎo)體21～23、低磁導(dǎo)率層31、32、及素體區(qū)域s1、s2按照線圈導(dǎo)體21、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層31、素體區(qū)域s2、低磁導(dǎo)率層31、素體區(qū)域s1、線圈導(dǎo)體22、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層32、素體區(qū)域s2、低磁導(dǎo)率層32、素體區(qū)域s1及線圈導(dǎo)體23的順序排列。即，線圈導(dǎo)體21～23及低磁導(dǎo)率層31、32和素體2的邊界b1具有z方向上交叉的面。一個低磁導(dǎo)率層31、32和素體2的邊界也具有z方向上交叉的面。

邊界區(qū)域r2中，在沿著z方向的假想軸線d上，線圈導(dǎo)體24～26、低磁導(dǎo)率層33、34及素體區(qū)域s1、s2按照線圈導(dǎo)體24、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層33、素體區(qū)域s2、低磁導(dǎo)率層33、素體區(qū)域s1、線圈導(dǎo)體25、素體區(qū)域s1、低磁導(dǎo)率層34、素體區(qū)域s2、低磁導(dǎo)率層34、素體區(qū)域s1及線圈導(dǎo)體26的順序排列。即，線圈導(dǎo)體23～26及低磁導(dǎo)率層33、34和磁性體部11的邊界b2具有z方向上交叉的面。一個低磁導(dǎo)率層33、34和素體2的邊界也具有z方向上交叉的面。

第四實施方式的層疊線圈部件中，也與第一～第三實施方式一樣，直流疊加特性提高，并且裂紋的產(chǎn)生被抑制。

第四實施方式的層疊線圈部件中，一個低磁導(dǎo)率層31～34與素體2的邊界也不沿著z方向而在z方向上交叉。因此，一個低磁導(dǎo)率層31～34與素體2的邊界也發(fā)揮抵抗沿著z方向的剪切應(yīng)力的作用，且沿著z方向的剪切應(yīng)力向與z方向交叉的方向分散。其結(jié)果，相對于沿著z方向的剪切應(yīng)力的強度提高，更進(jìn)一步難以產(chǎn)生裂紋。

以上，對各種實施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限定于上述實施方式，也可以在不變更各權(quán)利要求所記載的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行變形或進(jìn)行其它應(yīng)用。

例如，素體2內(nèi)所含的線圈導(dǎo)體的數(shù)量、磁隙層的數(shù)量、低磁導(dǎo)率層的數(shù)量不限定于上述實施方式。例如，只要在素體2內(nèi)包含至少一個的低磁導(dǎo)率層即可，也可以在素體2內(nèi)包含多個磁隙層。

第四實施方式中，低磁導(dǎo)率層31～34具有分開部31b1～34b1和分開部31b2～34b2，但不限于此。低磁導(dǎo)率層31～34也可以具有三個以上的分開部。

上述實施方式中，低磁導(dǎo)率層31～34的厚度tb比線圈導(dǎo)體21～26的厚度ta小，但不限于此。例如，低磁導(dǎo)率層31～34的厚度tb也可以為線圈導(dǎo)體21～26的厚度ta以上。上述實施方式中，多個線圈導(dǎo)體21～26的厚度ta相互大致相同，多個低磁導(dǎo)率層31～34的厚度tb相互大致相同，但不限于此。多個線圈導(dǎo)體21～26的厚度ta也可以相互不同，多個低磁導(dǎo)率層31～34的厚度tb也可以相互不同。

上述實施方式中，低磁導(dǎo)率層31～34由非磁性材料構(gòu)成，但不限于此。低磁導(dǎo)率層31～34也可以由例如磁導(dǎo)率比素體2低的弱磁性材料構(gòu)成。

上述實施方式中，低磁導(dǎo)率層31～34呈現(xiàn)框狀，但不限于此。例如，也可以將低磁導(dǎo)率層31～34的一部分切口。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層31～34也可以配置于線圈導(dǎo)體21～26的上述第二導(dǎo)體部分。從z方向觀察，低磁導(dǎo)率層31～34也可以不與線圈導(dǎo)體21～26的上述分開區(qū)域重合。