本發(fā)明屬于集成電路的生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及集成電路的晶圓片用清洗設(shè)備。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓片的清洗設(shè)備，將一批晶圓片集中置于清洗槽中，并利用升降裝置對(duì)晶圓片進(jìn)行升降，通過沖洗作用，將晶圓片的表面清洗干凈。這種清洗設(shè)備，雖然能實(shí)現(xiàn)批量清洗，但每次清洗的時(shí)間較長(zhǎng)，需要浸泡處理，并且清洗完成后，還需要進(jìn)行對(duì)晶圓片表面的殘留水進(jìn)行沖洗，整個(gè)清洗時(shí)間較長(zhǎng)；并且，為防止晶圓片之間相互碰撞，還需對(duì)清洗槽中通入氣體，保證清洗槽中不斷產(chǎn)生氣泡，對(duì)晶圓片進(jìn)行保護(hù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述晶圓片清洗設(shè)備存在的問題，申請(qǐng)人進(jìn)行研究及設(shè)計(jì)，提供一種晶圓片的清洗裝置，采用帶狀清洗槽，實(shí)現(xiàn)移動(dòng)式清洗，縮短清洗時(shí)間，簡(jiǎn)化設(shè)備結(jié)構(gòu)。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下方案：

一種晶圓片的清洗裝置，包括帶狀清洗槽、安裝于所述清洗槽兩側(cè)的多根清洗管及安裝于清洗槽底部的排水槽，所述清洗槽的兩側(cè)槽板上具有噴洗孔，所述噴洗孔貫穿槽板的兩側(cè)并朝晶圓片的輸送方向傾斜，所述噴洗孔與清洗管連通，所述清洗管連接清洗泵。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)：

所述清洗管間隔布置于槽板的側(cè)面，每根清洗管與獨(dú)立的清洗泵連接，清洗管的側(cè)面具有與所述噴洗孔連通的出水孔。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：

本發(fā)明采用帶狀清洗槽，對(duì)晶圓片進(jìn)行移動(dòng)時(shí)清洗，可縮短清洗時(shí)間，并無需二次沖洗，節(jié)省清洗操作，降低成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1的俯視圖。

圖中：1、清洗槽；2、清洗管；3、排水槽；4、槽板；5、噴洗孔；6、晶圓片。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說明。

如圖1、圖2所示，本實(shí)施例的晶圓片的清洗裝置，包括帶狀清洗槽1、安裝于清洗槽1兩側(cè)的多根清洗管2及安裝于清洗槽1底部的排水槽3，清洗槽1的兩側(cè)槽板4上具有噴洗孔5，噴洗孔5貫穿槽板4的兩側(cè)并朝晶圓片6的輸送方向傾斜，噴洗孔5與清洗管2連通，清洗管2連接清洗泵。

清洗管2間隔布置于槽板4的側(cè)面，每根清洗管2與獨(dú)立的清洗泵連接，清洗管2的側(cè)面具有與噴洗孔5連通的出水孔。當(dāng)所需噴洗壓力不大時(shí)，可以將多個(gè)清洗管2共同連接一個(gè)清洗泵，以降低能耗。

將晶圓片6置于清洗槽1中后，開啟清洗泵，高壓水從噴洗孔5中噴出，由于噴洗孔5傾斜設(shè)置，對(duì)晶圓片6表面清洗的同時(shí)將其向前推送，從而對(duì)晶圓片6進(jìn)行移動(dòng)式清洗，晶圓片6走完整個(gè)清洗槽1后，完成清洗操作。為提高晶圓片6的輸送速度,整個(gè)清洗槽1可以傾斜設(shè)置。

以上所舉實(shí)施例為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，僅用來方便說明本發(fā)明，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，若在不脫離本發(fā)明所提技術(shù)特征的范圍內(nèi)，利用本發(fā)明所揭示技術(shù)內(nèi)容所作出局部改動(dòng)或修飾的等效實(shí)施例，并且未脫離本發(fā)明的技術(shù)特征內(nèi)容，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)特征的范圍內(nèi)。