1.一種AMOLED顯示器的制作方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步驟：
步驟一、在第一基板的一側(cè)依次制備相變材料層和發(fā)光層后，在第一基板的另一側(cè)覆蓋掩膜圖形并進(jìn)行激光處理，得到A部分；
步驟二、在第二基板上依次制作薄膜晶體管、陽極和空穴層，得到B部分；
步驟三、使A部分的發(fā)光層和B部分的空穴層貼合；以及
步驟四、除去所述第一基板和所述相變材料層，在原相變材料層的位置依次制備電子層和陰極，封裝后得到所述AMOLED顯示器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一基板為玻璃基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光處理的波長為33nm、308nm或355nm，能量密度為10～5000Mj/cm2，頻率為10～3000Hz，能量為10～1000毫焦，時間為1～500ns。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過真空熱蒸鍍的方式，采用有機(jī)發(fā)光材料在所述相變材料層的表面成膜，得到所述發(fā)光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在蒸鍍所述發(fā)光層時，所述相變材料層不發(fā)生變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述相變材料層中的相變材料為氯化聚乙烯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過濺射或蒸鍍工藝將電子層和陰極置于發(fā)光層之上。
8.一種AMOLED顯示器，其特征在于，所述AMOLED顯示器通過權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法制備得到。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED顯示器，其特征在于，所述顯示器包括第二基板、AMOLED發(fā)光區(qū)域和封裝層，所述AMOLED發(fā)光區(qū)域設(shè)置于第二基板上，封裝層設(shè)置在AMOLED發(fā)光區(qū)域的頂部和四周，將AMOLED發(fā)光區(qū)域封裝，所述AMOLED發(fā)光區(qū)域包括由上到下依次設(shè)置的陰極、電子層、發(fā)光層、空穴層、陽極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管與所述第二基板貼合。