本申請涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體講，涉及一種AMOLED顯示器的制作方法及相應(yīng)的AMOLED顯示器。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active-matrix organic light emitting diode，簡稱AMOLED)顯示器被稱為下一代顯示技術(shù)。與現(xiàn)有的手機、電視、顯示器等液晶顯示器相比，AMOLED顯示器具有更寬的視角、更高的刷新率和更薄的尺寸，其具有自發(fā)光、廣視角、相應(yīng)時間短、高發(fā)光率、色域廣、工作電壓低等特點，被認為是最具潛力的顯示裝置。

像素數(shù)目(Pixels Per Inch，簡稱PPI)是圖像分辨率的單位，其表示的是顯示器每英寸所擁有的像素(Pixel)數(shù)目。因此PPI數(shù)值越高，即代表顯示屏能夠以越高的密度顯示圖像，擬真度就越高。但在現(xiàn)有材料和工藝設(shè)備基礎(chǔ)上，制作高PPI的AMOLED顯示器限制較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請的首要目的在于提出一種AMOLED顯示器的制作方法。

本申請的第二目的在于提出所述方法制備得到的AMOLED顯示器。

為了完成本申請的目的，采用的技術(shù)方案為：

本申請涉及一種AMOLED顯示器的制作方法，所述方法至少包括以下步驟：

步驟一、在第一基板的一側(cè)依次制備相變材料層和發(fā)光層后，在第一基板的另一側(cè)覆蓋掩膜圖形并進行激光處理，得到A部分；

步驟二、在第二基板上依次制作薄膜晶體管、陽極和空穴層，得到B部分；

步驟三、使A部分的發(fā)光層和B部分的空穴層貼合；以及

步驟四、除去所述第一基板和所述相變材料層，在原相變材料層的位置依次制備電子層和陰極，封裝后得到所述AMOLED顯示器。

優(yōu)選地，所述第一基板為玻璃基板。

優(yōu)選地，所述激光處理的波長為33nm、308nm或355nm，能量密度為10～5000Mj/cm²，頻率為10～3000Hz，能量為10～1000毫焦，時間為1～500ns。

優(yōu)選地，通過真空熱蒸鍍的方式，采用有機發(fā)光材料在所述相變材料層的表面成膜，得到所述發(fā)光層。

優(yōu)選地，在蒸鍍發(fā)光層時，所述相變材料層不發(fā)生變化。

優(yōu)選地，所述相變材料層中的相變材料為氯化聚乙烯。

優(yōu)選地，通過濺射或蒸鍍工藝將電子層和陰極置于發(fā)光層之上。

本申請還涉及所述方法制備得到的AMOLED顯示器。

優(yōu)選地，所述顯示器包括第二基板、AMOLED發(fā)光區(qū)域和封裝層，所述AMOLED發(fā)光區(qū)域設(shè)置于第二基板上，封裝層設(shè)置在AMOLED發(fā)光區(qū)域的頂部和四周，將AMOLED發(fā)光區(qū)域封裝，所述AMOLED發(fā)光區(qū)域包括由上到下依次設(shè)置的陰極、電子層、發(fā)光層、空穴層、陽極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管與所述第二基板貼合。

本申請的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果：

通過在AMOLED顯示器的制作過程中使用相變材料層，能夠在其它材料和步驟不改變的前提下，減小發(fā)光層中的像素間距，得到具有高PPI的AMOLED顯示器。

附圖說明

圖1為本申請所述方法制備的AMOLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本申請AMOLED顯示器中RGB像素排布的示意圖。

圖3為本申請中A部分的制作過程示意圖。

圖4為本申請中A部分和B部分結(jié)合過程示意圖。

圖5為本申請中除去第一基板和相變材料層過程示意圖。

其中，1為第二基板，2為TFT，3為陽極，4為空穴層，51、52和53為發(fā)光層，6為電子層，7為陰極，8為封裝層，9為相變材料層，10為第一基板，111、112和113為掩膜，210為像素，211、212和213為子像素，30為A部分，31為B部分。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本申請。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本申請而不用于限制本申請的范圍。

本申請涉及一種AMOLED顯示器的制作方法，所述方法至少包括以下步驟：

步驟一、在第一基板的一側(cè)依次制備相變材料層和發(fā)光層后，在第一基板的另一側(cè)覆蓋掩膜圖形并進行激光處理，得到A部分；

步驟二、在第二基板上依次制作薄膜晶體管(TFT)、陽極和空穴層，得到B部分；

步驟三、使A部分的發(fā)光層和B部分的空穴層貼合；以及

步驟四、除去所述第一基板和所述相變材料層，在原相變材料層的位置依次制備電子層和陰極，封裝后得到所述AMOLED顯示器。

作為本申請方法的一種改進，在第一基板上涂布相變材料層，然后在相變材料層上蒸鍍發(fā)光層。

作為本申請方法的一種改進，所述第一基板為玻璃基板，在第一基板上覆蓋掩膜圖形后，將其進行激光處理，以使相變材料變形，降低相鄰的像素和子像素間距，增大PPI。所述激光處理的波長為33nm、308nm或355nm，能量密度為10～5000Mj/cm²，頻率為10～3000Hz，能量為10～1000毫焦，時間為1～500ns。

作為本申請方法的一種改進，通過真空熱蒸鍍的方式，采用有機發(fā)光材料在所述相變材料層的表面成膜，得到所述發(fā)光層。發(fā)光層中的發(fā)光材料決定了顯示器的發(fā)光顏色，通過選擇不同的有機發(fā)光材料可以得到紅光、藍光和綠光，實現(xiàn)全彩色顯示，也可以產(chǎn)生白光。

作為本申請方法的一種改進，在蒸鍍發(fā)光層時，相變材料層不發(fā)生變化。即其中的相變材料不發(fā)生相變或分解。所述相變材料層為氯化聚乙烯。

作為本申請方法的一種改進，所述薄膜晶體管包括柵極、絕緣層、源極和漏極，所述薄膜晶體管的漏極與所述陽極電性連接。

作為本申請方法的一種改進，最后通過濺射或蒸鍍將電子層和陰極置于發(fā)光層之上。所述第二基板可采用塑料、金屬或玻璃材質(zhì)，由于AMOLED可以在不同材質(zhì)的基板上制造，如選取柔韌性好的塑料薄板或金屬薄片代替普通的玻璃基板，在外形上可以制作出可彎曲折疊的柔性顯示設(shè)備。

本申請還涉及通過上述的方法制作的AMOLED顯示器，其包括第二基板、AMOLED發(fā)光區(qū)域和封裝層。所述AMOLED發(fā)光區(qū)域設(shè)置于第二基板上，封裝層設(shè)置在AMOLED發(fā)光區(qū)域的頂部和四周，將AMOLED發(fā)光區(qū)域封裝。所述AMOLED發(fā)光區(qū)域包括由上到下依次設(shè)置的陰極、電子層、發(fā)光層、空穴層、陽極和TFT。所述TFT與所述第二基板貼合。

實施例1

如圖1所示，本申請所述方法提供的AMOLED顯示器的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的AMOLED顯示器相同，所述AMOLED顯示器包括第二基板1、AMOLED發(fā)光區(qū)域和封裝層8，所述AMOLED發(fā)光區(qū)域設(shè)置于第二基板1上，封裝層8設(shè)置在AMOLED發(fā)光區(qū)域的頂部和四周，將AMOLED發(fā)光區(qū)域封裝。

所述AMOLED發(fā)光區(qū)域包括由上到下依次設(shè)置的陰極7、電子層6、發(fā)光層51/52/53、空穴層4、陽極3和薄膜晶體管2(TFT)。所述薄膜晶體管2與所述第二基板1貼合。

其中，所述第二基板1一般由透明聚合物材料制成，作為AMOLED顯示器的襯底，如聚酰亞胺(PI)。所述薄膜晶體管2包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述漏極與所述陽極3電性連接。所述發(fā)光層51/52/53包含多種有機發(fā)光材料。圖2為標準RGB像素排布的示意圖。該圖中包含了若干個像素210,像素210的形狀大體呈矩形，而每個像素210包括了三個子像素，子像素的形狀大體也呈矩形，三個子像素分別為紅211、綠212和藍213三原色，當然三個子像素的位置可以任意排列，并不以圖2中的排列方式排布。像素與像素之間存在著像素間非發(fā)光區(qū)域，子像素與子像素之間存在著子像素間非發(fā)光區(qū)域。當然像素210和子像素的形狀并不局限于矩形，還可以是正六邊形、三角形、圓形、不規(guī)則多邊形等等。

如圖3所示，本申請A部分30的制作過程為：在第一基板10的一側(cè)依次蒸鍍相變材料層9和發(fā)光層51/52/53，所述相變材料層9與第一基板10貼合，所述發(fā)光層51/52/53分布于相變材料層9遠離第一基板10的一側(cè)，并與相變材料層9貼合。然后，在第一基板10的另一側(cè)制作覆蓋掩膜圖形111/112/113并進行激光處理，得到A部分30。

根據(jù)PPI的計算公式：

所述AA區(qū)域為顯示區(qū)域。在顯示區(qū)域的發(fā)光面積不變的前提下，如需增大PPI，需要增大單位面積上的像素個數(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)逐層蒸鍍的工藝不同，本申請在AMOLED顯示器的制備過程中使用相變材料層，利用其在溫度和光照強度改變的情況下發(fā)生相變的特性，使相鄰像素之間的間距減小，從而增大PPI。對相變材料的要求是在激光照射下內(nèi)部結(jié)構(gòu)改變，相變材料的本體收縮，以減少發(fā)光層51/52/53內(nèi)的像素間距和子像素間距。同時在前述蒸鍍發(fā)光層51/52/53時，相變材料不發(fā)生相變或分解。在本實施例中，所述相變材料選用氯化聚乙烯(CPE)，即高密度聚乙烯(HDPE)經(jīng)氯化取代反應(yīng)而生成的飽和高分子材料，組成元素為C、H和Cl，氯含量一般在30～50％。

所述第一基板10為硅或ITO，在第一基板10上制作掩膜圖形后，將其進行激光處理，以使相變材料變形，降低相鄰的像素和子像素間距，增大PPI，所述激光處理的波長為33nm、308nm或355nm，能量密度為10～5000Mj/cm²，頻率為10～3000Hz，能量為10～1000毫焦，時間為1～500ns。

通過真空熱蒸鍍的方式，采用有機發(fā)光材料在相變材料層9的表面成膜，得到所述發(fā)光層51/52/53。發(fā)光層51/52/53中的發(fā)光材料決定了顯示器的發(fā)光顏色，通過選擇不同的有機發(fā)光材料可以得到紅光、藍光和綠光，實現(xiàn)全彩色顯示，也可以產(chǎn)生白光。

接下來，在第二基板1上依次蒸鍍薄膜晶體管2、陽極3和空穴層4，得到B部分31。所述薄膜晶體管2與第二基板1貼合，陽極3與薄膜晶體管2貼合，空穴層4與陽極3貼合。然后通過蒸鍍使A部分30的發(fā)光層51/52/53和B部分31的空穴層4貼合，這一過程如圖4所示。

最后，在高于170℃的溫度下處理1～500ns，使相變材料層9與發(fā)光層51/52/53分離，以除去第一基板10和相變材料層9。在發(fā)光層51/52/53與空穴層4貼合的另一側(cè)依次蒸鍍電子層6和陰極7，封裝后得到所述AMOLED顯示器。

本實施例中，相變材料收縮比例約為1/3，發(fā)光層51/52/53中相鄰像素之間的初始間距為100μm，相鄰子像素之間的初始間距平均為15μm，收縮后為5μm。對于55inch顯示器，與對比例相比PPI增大約5％。

對比例

不使用相變材料層9，按照第二基板1-TFT2-陽極3-空穴層4-發(fā)光層51/52/53-電子層6-陰極7-封裝層8的順序逐層制備AMOLED顯示器，其結(jié)構(gòu)特征與實施例1相同，發(fā)光層51/52/53中子像素的初始間距平均為15μm，相鄰像素間距為100μm，對于55inch顯示器，PPI為2K。

本申請雖然以較佳實施例公開如上，但并不是用來限定權(quán)利要求。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動和修改，因此本申請的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所界定的范圍為準。