本申請(qǐng)涉及平板顯示技術(shù)，具體講，涉及一種AMOLED顯示器中柔性基板的制作方法。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active-matrix organic light emitting diode，簡(jiǎn)稱AMOLED)顯示器被稱為下一代顯示技術(shù)。與現(xiàn)有的手機(jī)、電視等使用的液晶顯示器相比，AMOLED顯示器具有更寬的視角、更高的刷新率和更薄的尺寸，其具有自發(fā)光、廣視角、響應(yīng)時(shí)間短、高發(fā)光率、色域廣、工作電壓低等特點(diǎn)，被認(rèn)為是最具潛力的顯示裝置。

現(xiàn)有的AMOLED顯示器多采用玻璃基板，隨著智能手機(jī)等便攜式、小型化的電子產(chǎn)品的興起，無(wú)機(jī)剛性基板逐漸被有機(jī)聚合物柔性基板取代，常用的柔性基板采用聚酰亞胺(PI)材料，其制備方法為將PI液涂布于襯底表面，待其固化后作為AMOLED顯示器的基板。但經(jīng)涂布工藝制備的PI基板中易存在氣泡，所述氣泡的體積分布范圍較寬，大的直徑在20～30微米，小的直徑在5微米左右。在面積為730mm*920mm基板上，氣泡數(shù)目約為2000～5000顆。氣泡的存在嚴(yán)重破壞了PI層的完整性，影響AMOLED顯示器的顯示質(zhì)量和成品率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)的目的在于提供一種AMOLED顯示器中柔性基板的制作方法，所述方法能夠最大限度地除去柔性基板中的氣泡，提高柔性AMOLED顯示器的質(zhì)量和顯示效率。

為了完成本申請(qǐng)的目的，采用的技術(shù)方案為：

本申請(qǐng)涉及一種AMOLED顯示器中柔性基板的制作方法，所述方法至少包括以下步驟：

步驟一、在襯底上涂布PI液，所述襯底上設(shè)有均為矩形的安全切割區(qū)域和基板區(qū)域，且所述基板區(qū)域位于所述安全切割區(qū)域內(nèi)部，所述安全切割區(qū)域的四邊分別記為a、b、c和d，所述基板區(qū)域的四邊分別記為a’、b’、c’和d’；

步驟二、以a的中點(diǎn)為旋轉(zhuǎn)中心，對(duì)涂有PI液的襯底進(jìn)行離心；

步驟三、對(duì)a和a’之間的區(qū)域進(jìn)行初級(jí)固化；

步驟四、分別以b和b’、c和c’、以及d和d’代替a和a’，重復(fù)步驟二和三；

步驟五、對(duì)基板區(qū)域進(jìn)行終極固化，得到PI層；以及

步驟六、將PI層從襯底上剝離，并切除PI層中位于基板區(qū)域以外的部分，得到本申請(qǐng)所述的柔性基板。

優(yōu)選地，所述a和a’平行，b和b’平行，c和c’平行，d和d’平行。

優(yōu)選地，所述涂布在40～80℃的溫度下進(jìn)行。

優(yōu)選地，所述離心在40～80℃的溫度下進(jìn)行，優(yōu)選根據(jù)離心力的公式F＝m*ω²*r確定旋轉(zhuǎn)角速度，其中m為PI層質(zhì)量，ω為角速度，r為旋轉(zhuǎn)半徑。

優(yōu)選地，在離心的同時(shí)對(duì)涂有PI液的襯底進(jìn)行超聲處理，更優(yōu)選所述超聲處理的功率為10～50KHz。

優(yōu)選地，所述初級(jí)固化為在0～40℃的溫度下固化2～10分鐘，更優(yōu)選所述初級(jí)固化在20～25℃下進(jìn)行。

優(yōu)選地，所述終極固化為在-10～30℃的溫度下固化1～60分鐘。

優(yōu)選地，所述PI層的厚度為0.01μm～1000μm。

優(yōu)選地，對(duì)所述PI層依次進(jìn)行一次和二次切割，所述一次切割是除去安全切割區(qū)域以外的部分，然后進(jìn)行二次切割，除去基板區(qū)域以外的部分。

本申請(qǐng)的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果：

通過(guò)對(duì)涂有PI液的襯底進(jìn)行離心，可以將不易消除的微小氣泡集中在矩形的安全切割區(qū)域四邊，在后續(xù)的固化和切割過(guò)程中除去大部分氣泡。

在本申請(qǐng)優(yōu)選的技術(shù)方案中，離心的同時(shí)進(jìn)行超聲，可以加快氣泡破裂速度，同時(shí)使殘留的氣泡大小變得一致，可提高基板邊緣的耐受性，亦可減少氣泡對(duì)基板區(qū)域的傷害。

附圖說(shuō)明

圖1為PI液的溫度/粘度曲線。

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例1中離心和超聲前，PI液中氣泡分布示意圖。

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例1中以a的中點(diǎn)為旋轉(zhuǎn)中心離心和超聲后，PI液中氣泡分布示意圖。

圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例1中依次以a、b、c、d的中點(diǎn)為旋轉(zhuǎn)中心離心和超聲后，PI液中氣泡分布示意圖。

圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例1中進(jìn)行一次切割后，PI層中氣泡分布示意圖。

圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例1中進(jìn)行二次切割后，PI層中氣泡分布示意圖；

其中，1-氣泡。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本申請(qǐng)。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本申請(qǐng)而不用于限制本申請(qǐng)的范圍。

本申請(qǐng)涉及一種AMOLED顯示器中柔性基板的制作方法，至少包括以下步驟：

步驟一、在襯底上涂布PI液，所述襯底上設(shè)有均為矩形的安全切割區(qū)域和基板區(qū)域，且所述基板區(qū)域位于所述安全切割區(qū)域內(nèi)部，所述安全切割區(qū)域的四邊分別記為a、b、c和d，所述基板區(qū)域的四邊分別記為a’、b’、c’和d’；

步驟二、以a的中點(diǎn)為旋轉(zhuǎn)中心，對(duì)涂有PI液的襯底進(jìn)行離心；

步驟三、對(duì)a和a’之間的區(qū)域進(jìn)行初級(jí)固化；

步驟四、分別以b和b’、c和c’、以及d和d’代替a和a’，重復(fù)步驟二和三；

步驟五、對(duì)基板區(qū)域進(jìn)行終極固化，得到PI層；以及

步驟六、將PI層從襯底上剝離，并切除PI層中位于基板區(qū)域以外的部分，得到本申請(qǐng)所述的柔性基板。

作為本申請(qǐng)制作方法的一種改進(jìn)，所述a和a’平行，b和b’平行，c和c’平行，d和d’平行。

作為本申請(qǐng)制作方法的一種改進(jìn)，所述涂布在40～80℃的溫度下進(jìn)行，后續(xù)過(guò)程中需要對(duì)PI層依次進(jìn)行一次和二次切割，所述安全切割區(qū)域?yàn)檫M(jìn)行一次切割后保留的部分，所述基板區(qū)域?yàn)檫M(jìn)行二次切割后保留的部分。

作為本申請(qǐng)制作方法的一種改進(jìn)，所述離心在40～80℃的溫度下進(jìn)行，優(yōu)選根據(jù)離心力的公式F＝m*ω²*r，其中m為PI層質(zhì)量，ω為角速度，r為旋轉(zhuǎn)半徑，確定旋轉(zhuǎn)的角速度。PI液中不可避免地存在氣泡，離心過(guò)程中，邊界a周圍的PI液受離心力作用向遠(yuǎn)離邊界a的方向運(yùn)動(dòng)，同時(shí)PI液中的氣泡向軸a聚攏，能夠加快氣泡上浮的速度，起到脫泡作用。

作為本申請(qǐng)制作方法的一種改進(jìn)，在離心過(guò)程的同時(shí)對(duì)涂有PI液的襯底進(jìn)行超聲處理。所述超聲處理的功率為10～50KHz，作用為加速氣泡破裂，同時(shí)使殘留的氣泡大小變得一致，提高柔性基板的均勻性。

作為本申請(qǐng)制作方法的一種改進(jìn)，所述初級(jí)固化為在0～40℃的溫度下固化2～10分鐘。隨著溫度的升高，PI液粘度逐漸下降。高粘稠度狀態(tài)有利于氣泡的聚集和排出，雖然在0℃左右PI液的粘度最大，但需要額外的制冷設(shè)備。因此優(yōu)選所述初級(jí)固化在20～25℃下進(jìn)行，基本處于室溫狀態(tài)而無(wú)需人為加熱或制冷，在該溫度范圍內(nèi)PI液的粘度為3000～4000cp，基于溫度和粘稠度是最佳選擇，在此之后重復(fù)離心步驟能夠促進(jìn)氣泡的大量排出。

步驟四結(jié)束后，PI液中殘余的氣泡集中在a、b、c和d四條邊界附近，以及矩形abcd和a’b’c’d’之間的區(qū)域。

作為本申請(qǐng)制作方法的一種改進(jìn)，所述終極固化為在-10～30℃的溫度下固化1～60分鐘。需要說(shuō)明的是，所述終極固化是在初級(jí)固化的基礎(chǔ)上進(jìn)行。與初級(jí)固化溫度范圍的選擇同理：在30℃以上終極固化時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，終極固化的溫度越低，固化時(shí)間越短，對(duì)于縮短柔性基板的制作時(shí)間有利。但溫度降到-10℃以下時(shí)需要提供大量電能進(jìn)行制冷，額外消耗了不少能量。處于能源消耗和固化時(shí)間的綜合考慮，本申請(qǐng)選擇上述溫度范圍。此時(shí)PI液完全轉(zhuǎn)化為固態(tài)的PI層且具有一定的硬度，大量氣泡集中在基板區(qū)域和安全切割區(qū)域之間，少數(shù)氣泡位于基板區(qū)域邊緣，可以進(jìn)行后續(xù)的切割?；诨宓氖褂靡?，如響應(yīng)時(shí)間、發(fā)光率、透過(guò)率等，固化后的所述PI層的厚度為0.01μm～1000μm。實(shí)際生產(chǎn)中可根據(jù)不同代線和客戶需求，制備厚度合適的PI層。

作為本申請(qǐng)制作方法的一種改進(jìn)，對(duì)所述PI層依次進(jìn)行一次和二次切割，所述一次切割是除去安全切割區(qū)域以外的部分，然后進(jìn)行二次切割，除去基板區(qū)域以外的部分。根據(jù)器件尺寸將所述基板區(qū)域繼續(xù)切割成需要的大小，得到顯示屏屏體。

目前制作柔性基板均采用PI材質(zhì)，但本申請(qǐng)中的方法也可應(yīng)用于其它材質(zhì)的柔性基板，不限于PI材質(zhì)。

實(shí)施例1

本實(shí)施例中AMOLED顯示器中柔性基板的制作方法包括以下步驟：

步驟一、在玻璃襯底上涂布PI液，涂布在40～80℃的溫度下進(jìn)行，所述襯底上設(shè)有均為矩形的安全切割區(qū)域和基板區(qū)域，且所述基板區(qū)域位于所述安全切割區(qū)域內(nèi)部，所述安全切割區(qū)域的四邊分別記為a、b、c和d，所述基板區(qū)域的四邊分別記為a’、b’、c’和d’；所述a和a’平行，b和b’平行，c和c’平行，d和d’平行。此時(shí)PI液的各處都分布有氣泡1，如圖2所示(圖2～圖6中，氣泡1以小圓圈表示)。此處制作的基板為大基板，4.5代線基板大小為730mm*920mm，可以制作15英寸以下的顯示屏，8代線基板大小為2200mm*2500mm，可以制作32～60英寸以上的顯示屏。

步驟二、以a的中點(diǎn)為旋轉(zhuǎn)中心，在紙面方向上對(duì)涂有PI液的襯底進(jìn)行離心和超聲處理；所述離心在40～80℃的溫度下進(jìn)行，根據(jù)離心力的公式F＝m*ω²*r，其中m為PI層質(zhì)量，ω為角速度，r為旋轉(zhuǎn)半徑，確定旋轉(zhuǎn)角速度ω，其范圍為0.01～100rad/s。所述超聲處理的頻率為10～50KHz。通過(guò)離心將PI液中的氣泡1集中在邊界a附近，如圖3所示。通過(guò)超聲震動(dòng)使余下的氣泡1破裂成一致大小，并迅速脫離PI液。

步驟三、對(duì)a和a’之間的區(qū)域進(jìn)行初級(jí)固化；所述初級(jí)固化為在0～40℃的溫度下固化2～10分鐘，優(yōu)選固化溫度為20℃。PI液在不同溫度下的粘度變化趨勢(shì)如圖1所示，隨著溫度的升高，粘度迅速下降。

步驟四、分別以b和b’、c和c’、以及d和d’代替a和a’，重復(fù)步驟二和三，將PI液中殘余的氣泡1集中在a、b、c和d四條邊界附近，以及矩形abcd和a’b’c’d’之間的區(qū)域，此時(shí)基板區(qū)域的氣泡1幾乎不可見(jiàn)，如圖4所示。

步驟五、對(duì)基板區(qū)域進(jìn)行終極固化，即在-10～30℃的溫度下固化1～60分鐘，得到厚度為0.01μm～1000μm的PI層。

步驟六、將PI層從襯底上剝離后進(jìn)行一次切割，除去安全切割區(qū)域以外的部分，如圖5所示。然后對(duì)安全切割區(qū)域進(jìn)行二次切割，除去基板區(qū)域以外的部分，如圖6所示。根據(jù)器件尺寸將所述基板區(qū)域繼續(xù)切割成需要的大小，得到顯示器屏體。

本實(shí)施例中，在面積為730mm*920mm基板上，氣泡1幾乎不可見(jiàn)。

實(shí)施例2

僅對(duì)PI液進(jìn)行離心處理，不超聲，其它條件同實(shí)施例1。在面積為730mm*920mm基板上，氣泡數(shù)目約為500～1000顆。

對(duì)比例

在襯底上涂布PI液后，經(jīng)初級(jí)固化和終極固化后進(jìn)行二次切割，涂布和固化工藝同實(shí)施例1，在面積為730mm*920mm基板上，氣泡數(shù)目約為2000～5000顆。

本申請(qǐng)雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但并不是用來(lái)限定權(quán)利要求。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請(qǐng)構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動(dòng)和修改，因此本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。