技術特征：

技術總結(jié)
提供了一種FinFET器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。FinFET器件結(jié)構(gòu)包括形成在襯底上方的氧化層和形成在氧化層上方的鰭結(jié)構(gòu)。鰭結(jié)構(gòu)由半導體層制成，并且半導體層包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分在第一部分和第三部分之間。第一部分、第二部分和第三部分構(gòu)造了U型溝槽，并且第二部分位于U型溝槽下方。FinFET器件結(jié)構(gòu)還包括形成在U型溝槽中的柵極結(jié)構(gòu)。

技術研發(fā)人員：賴政杰;陳光鑫;吳永俊;葉沐詩
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.09.29
技術公布日：2017.08.11