1.一種銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在沉積鉬背電極的襯底上磁控濺射形成銅銦鎵硒第一預制層；
(2)在銅銦鎵硒第一預制層上磁控濺射形成包含硒化物系列化合物的銅銦鎵硒第二預制層，Ga/(In+Ga)的比值與銅銦鎵硒第一預制層之差為0～0.03；
(3)硒化熱處理前兩步形成的預制層薄膜，得到銅銦鎵硒薄膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：磁控濺射前，對所用靶材進行10min預濺射。
3.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：形成銅銦鎵硒第一預制層包括先形成銅鎵合金層，再于銅鎵合金層上形成銦金屬層。
4.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：銅銦鎵硒第二預制層中硒化物系列化合物包含Cu-Se、In-Se、Ga-Se、Cu-In-Se組合化合物中的一種或幾種。
5.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：銅銦鎵硒第二預制層Se/(Cu+In+Ga))為0.3～1.0。
6.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：濺射的銅銦鎵硒第一預制層以及銅銦鎵硒第二預制層各元素比滿足Cu/(In+Ga)為0.7～0.9，Ga/(In+Ga)為0.3～0.4。
7.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：磁控濺射時氣體壓強為0.1Pa～10Pa。
8.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：硒化熱處理前，在銅銦鎵硒第二預制層上蒸發(fā)沉積硒形成硒層。
9.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：硒化熱處理溫度500℃～550℃，時間20min～60min。
10.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：硒化熱處理加熱過程為，先20℃/min升溫至200℃，再100℃/min升溫至510℃～560℃，維持2分鐘，然后10℃/min降溫至500℃～550℃，維持30min～60min。