技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種降低接觸電阻的LED外延生長方法，依次包括：處理襯底、生長低溫緩沖層GaN、生長不摻雜GaN層、生長摻雜Si的N型GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長摻雜Mg的P型GaN層、生長SiInGaN/SiGaN超晶格層、降溫冷卻。如此方案，在生長生長摻雜Mg的P型GaN層之后，引入生長SiInGaN/SiGaN超晶格層的步驟，將SiInGaN/SiGaN超晶格層作為接觸層，也就是說，在PGaN層和ITO之間插入一層功函數(shù)非常小的SiInGaN/SiGaN超晶格層，有效的降低了接觸電阻，降低了LED的驅(qū)動電壓，提升了LED的光效品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：張宇
受保護的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號碼：201610837668
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.21
技術(shù)公布日：2016.11.16