技術(shù)特征：

1.一種降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，依次包括：處理襯底、生長低溫緩沖層GaN、生長不摻雜GaN層、生長摻雜Si的N型GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長摻雜Mg的P型GaN層、降溫冷卻，

在所述生長摻雜Mg的P型GaN層之后，還包括：生長SiInGaN/SiGaN超晶格層，

所述生長SiInGaN/SiGaN超晶格層為：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar、保持溫度750℃-850℃，通入流量為10sccm-20sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N₂、5sccm-10sccm的SiH₄、1000sccm-2000sccm的TMIn，生長SiInGaN/SiGaN超晶格層，

所述生長SiInGaN/SiGaN超晶格層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar、保持溫度750℃-850℃，通入流量為10sccm-20sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N₂、5sccm-10sccm的SiH₄、1000sccm-2000sccm的TMIn，生長厚度為1nm-2nm的SiInGaN層，其中Si摻雜濃度為1E18atoms/cm³-5E18atoms/cm³，In摻雜濃度為1E19atoms/cm³-5E19atoms/cm³；

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar、保持溫度750℃-850℃，通入流量為10sccm-20sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N₂、5sccm-10sccm的SiH₄，生長厚度為1nm-2nm的SiGaN層，其中，Si摻雜濃度為1E18atoms/cm³-5E18atoms/cm³；

周期性生長所述SiInGaN層和所述SiGaN層，生長周期為2-4，

生長所述SiInGaN層和生長所述SiGaN層的順序可互換。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述處理襯底，具體為：在1000℃-1100℃的H₂氣氛下，通入100L/min-130L/min的H₂，保持反應(yīng)腔壓力100mbar-300mbar，處理藍寶石襯底8min-10min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長低溫緩沖層，具體為：

降低溫度至500℃-600℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為10000sccm-20000sccm NH₃、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂，在藍寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫緩沖層GaN。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長不摻雜GaN層，具體為：

升高溫度到1000℃-1200℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為30000sccm-40000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、持續(xù)生長2μm-4μm的不摻雜GaN層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長摻雜Si的N型GaN層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、20sccm-50sccm的SiH₄，持續(xù)生長3μm-4μm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E18atoms/cm³-1E19atoms/cm³；

保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、2sccm-10sccm的SiH₄，持續(xù)生長200nm-400nm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E17atoms/cm³-1E18atoms/cm³。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長發(fā)光層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、溫度700℃-750℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-40sccm的TMGa、1500sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N₂，生長摻雜In的厚度為2.5nm-3.5nm的In_xGa_(1-x)N層，x＝0.20-0.25，發(fā)光波長450nm-455nm；

接著升高溫度至750℃-850℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N₂，生長8nm-15nm的GaN層；

重復(fù)In_xGa_(1-x)N的生長，然后重復(fù)GaN的生長，交替生長In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為7-15個。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長P型AlGaN層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力200mbar-400mbar、溫度900℃-950℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、30sccm-60sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、100sccm-130sccm的TMAl、1000sccm-1300sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的P型AlGaN層，Al摻雜濃度1E20atoms/cm³-3E20atoms/cm³，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長摻雜Mg的P型GaN層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力400mbar-900mbar、溫度950℃-1000℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、1000sccm-3000sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的摻Mg的P型GaN層，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低接觸電阻的LED外延生長方法，其特征在于，

所述降溫冷卻，具體為：

降溫至650℃-680℃，保溫20min-30min，接著關(guān)閉加熱系統(tǒng)、關(guān)閉給氣系統(tǒng)，隨爐冷卻。