技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種LED外延生長方法，依次包括：處理襯底、生長低溫GaN成核層、生長高溫緩沖層GaN、生長非摻雜u?GaN層、生長摻雜Si的n?GaN層、生長發(fā)光層、生長i?AlGaN層和p?InGaN層的交替生長結(jié)構(gòu)、生長高溫p型GaN層、生長p型GaN接觸層、降溫冷卻。如此方案，把傳統(tǒng)的LED外延電子阻擋層，設(shè)計為低壓高溫的i?AlGaN層和高壓低溫的p?InGaN層的交替層生長結(jié)構(gòu)，既起到電子阻擋效果，又有助于空穴注入水平的增加，從而提高LED的發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：徐平;林傳強
受保護的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號碼：201610834416
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.20
技術(shù)公布日：2016.11.16