1.一種能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括功率器件、第一散熱基板和第二散熱基板；
其中，所述功率器件設(shè)置在所述第一散熱基板上；所述功率器件的集極連接所述第一散熱基板；
所述功率器件的源極連接所述第二散熱基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括托板；
所述第一散熱基板和第二散熱基板設(shè)置在所述托板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一散熱基板的面積大于第二散熱基本的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一散熱基板一側(cè)設(shè)置有多個(gè)依次排列的集極引腳；所述第二散熱基板一側(cè)設(shè)置有多個(gè)依次排列的源極引腳。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括源極連接線；
所述功率器件的源極通過(guò)源極連接線所述第二散熱基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二散熱基板包括第一散熱區(qū)、第二散熱區(qū)和第三散熱區(qū)；
其中，所述第一散熱區(qū)、所述第二散熱區(qū)和所述第三散熱區(qū)依次平行排列；
所述第一散熱區(qū)的一端設(shè)置有一源極引腳，另一端連接所述第二散熱區(qū)；所述第二散熱區(qū)的一端設(shè)置有另一源極引腳，另一端連接所述第三散熱區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一散熱基板設(shè)置有L形缺口；所述第三散熱區(qū)延伸至所述L形缺口中。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括閘極引腳和閘極引線；
其中，所述功率器件的閘極通過(guò)閘極引線連接所述閘極引腳。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個(gè)集極引腳在所述托板的一側(cè)依次排列；閘極引腳、多個(gè)源極引腳在托板的另一側(cè)依次排列。