本發(fā)明涉及功率器件封裝，具體地，涉及一種能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構。

背景技術：

在快充應用中，功率器件的導通損耗和開關損耗會以熱的形式表現，使芯片溫度上升。功率器件溫度升高，會使其中的阻抗跟著上升，進而產生更多的熱，如此周而復始，上升到一定高度時會觸發(fā)系統(tǒng)高溫保護，使系統(tǒng)降額運行或停止工作。一個好的功率器件封裝，必須能將功率器件運作時產生的熱及時導出、排除。

然而，現有功率器件封裝都不同程度存在散熱效能不佳的情況。傳統(tǒng)半導體功率器件封裝方式，其設計上都只有漏極端連接散熱板散熱。只經由集極端通過金屬底座將熱導出，以完成功率元件的散熱。閘極端、源極端則沒有特別處理。

技術實現要素：

針對現有技術中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種能夠改善散熱效能的快充MOSFET(金氧半場效晶體管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transi stor)封裝結構，能夠將功率器件工作時產生的熱及時導出、排除，增加功率器件散熱效能，從而延長快充連續(xù)工作時間。

根據本發(fā)明提供的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構，包括功率器件、第一散熱基板和第二散熱基板；

其中，所述功率器件設置在所述第一散熱基板上；所述功率器件的集極連接所述第一散熱基板；

所述功率器件的源極連接所述第二散熱基板。

優(yōu)選地，還包括托板；

所述第一散熱基板和第二散熱基板設置在所述托板上。

優(yōu)選地，所述第一散熱基板的面積大于第二散熱基本的面積。

優(yōu)選地，所述第一散熱基板一側設置有多個依次排列的集極引腳；所述第二散熱基板一側設置有多個依次排列的源極引腳。

優(yōu)選地，還包括源極連接線；

所述功率器件的源極通過源極連接線所述第二散熱基板。

優(yōu)選地，所述第二散熱基板包括第一散熱區(qū)、第二散熱區(qū)和第三散熱區(qū)；

其中，所述第一散熱區(qū)、所述第二散熱區(qū)和所述第三散熱區(qū)依次平行排列；

所述第一散熱區(qū)的一端設置有一源極引腳，另一端連接所述第二散熱區(qū)；所述第二散熱區(qū)的一端設置有另一源極引腳，另一端連接所述第三散熱區(qū)。

優(yōu)選地，所述第一散熱基板設置有L形缺口；所述第三散熱區(qū)延伸至所述L形缺口中。

優(yōu)選地，還包括閘極引腳和閘極引線；

其中，所述功率器件的閘極通過閘極引線連接所述閘極引腳。

優(yōu)選地，多個集極引腳在所述托板的一側依次排列；閘極引腳、多個源極引腳在托板的另一側依次排列。

與現有技術相比，本發(fā)明具有如下的有益效果：

1、本發(fā)明能夠將功率器件初始產生的熱及時排除，保持功率器件在低溫環(huán)境運行，維持其固定阻抗及較高的電源轉換效率；

2、本發(fā)明維持功率器件在低溫運行避免雪崩現象以達到對功率器件的保護效果，延長功率器件使用壽命；

3、本發(fā)明能夠及時把熱能排除，使產品能在較大溫度范圍的環(huán)境里安全運行；

4、采用本發(fā)明封裝的功率器件的快充產品可以長時間連續(xù)穩(wěn)定工作。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1為本發(fā)明中功率器件的封裝電路圖；

圖2為現有技術中的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明中能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構的結構示意圖。

圖中：

1為散熱基板；

2為功率器件；

3為閘極；

4為源極；

5為托板；

6為閘極引腳；

7為閘極引線；

8為源極引腳；

9為源極引線；

10為集極引腳；

11為第一散熱基板；

12為第二散熱基板；

13為源極連接區(qū)。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應當指出的是，對本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。

在本實施例中，本發(fā)明提供的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構，包括功率器件、第一散熱基板和第二散熱基板；

其中，所述功率器件設置在所述第一散熱基板上；所述功率器件的集極連接所述第一散熱基板；

所述功率器件的源極連接所述第二散熱基板。

本發(fā)明提供的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構，還包括托板；

所述第一散熱基板和第二散熱基板設置在所述托板上。

所述第一散熱基板的面積大于第二散熱基本的面積。

所述第一散熱基板一側設置有多個依次排列的集極引腳；所述第二散熱基板一側設置有多個依次排列的源極引腳。

本發(fā)明提供的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構，還包括源極連接線；

所述功率器件的源極通過源極連接線所述第二散熱基板。

所述第二散熱基板包括第一散熱區(qū)、第二散熱區(qū)和第三散熱區(qū)；

其中，所述第一散熱區(qū)、所述第二散熱區(qū)和所述第三散熱區(qū)依次平行排列；

所述第一散熱區(qū)的一端設置有一源極引腳，另一端連接所述第二散熱區(qū)；所述第二散熱區(qū)的一端設置有另一源極引腳，另一端連接所述第三散熱區(qū)。

所述第一散熱基板設置有L形缺口；所述第三散熱區(qū)延伸至所述L形缺口中。

本發(fā)明提供的能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結構，還包括閘極引腳和閘極引線；

其中，所述功率器件的閘極通過閘極引線連接所述閘極引腳。

多個集極引腳在所述托板的一側依次排列；閘極引腳、多個源極引腳在托板的另一側依次排列。

本發(fā)明將原本的散熱基板分為兩塊，第一散熱基本的承托功率芯片連接到集極維持其原有的散熱功能。第二散熱基板，用于連接源極使芯片表面金屬及PN結(PN-junction)在功率元件運作時產生的熱能經由此處快速有效的導出，以達到功率器件溫升降低的目標，維持系統(tǒng)穩(wěn)定運行。

本發(fā)明也可應用于多芯片封裝，將源極導熱規(guī)劃在貼片封裝設計里面，與其他芯片共同封裝即可，不用事后另行拉線或進行兩次封裝，以避免封裝材料因熱散系數不同，造成熱脹冷縮現象不一致，以產生斷線、皸裂、漏電等可靠性問題。

以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實質內容。