技術(shù)編號(hào):12370040
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率器件封裝,具體地,涉及一種能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在快充應(yīng)用中,功率器件的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗會(huì)以熱的形式表現(xiàn),使芯片溫度上升。功率器件溫度升高,會(huì)使其中的阻抗跟著上升,進(jìn)而產(chǎn)生更多的熱,如此周而復(fù)始,上升到一定高度時(shí)會(huì)觸發(fā)系統(tǒng)高溫保護(hù),使系統(tǒng)降額運(yùn)行或停止工作。一個(gè)好的功率器件封裝,必須能將功率器件運(yùn)作時(shí)產(chǎn)生的熱及時(shí)導(dǎo)出、排除。然而,現(xiàn)有功率器件封裝都不同程度存在散熱效能不佳的情況。傳統(tǒng)半導(dǎo)體功率器件封裝方式,其設(shè)計(jì)上都只有漏極端連接散熱板散熱。只經(jīng)由集...
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