1.一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述電離規(guī)主要包括碳納米管陰極電子源、門極柵(4)、陽極柵(6)和離子收集極(5)；
其中，所述陽極柵(6)為圓筒狀結(jié)構(gòu)，其頂端和筒身均為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，底端為封閉結(jié)構(gòu)；
所述離子收集極(5)的材質(zhì)為金屬，為一端開口的圓筒狀結(jié)構(gòu)，其外徑大于所述陽極柵(6)的外徑；
所述陽極柵(6)、離子收集極(5)、門極柵(4)和碳納米管陰極電子源同軸布置，且所述陽極柵(6)套裝在所述離子收集極(5)的內(nèi)部，所述門極柵(4)布置在所述陽極柵(6)和碳納米管陰極電子源之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述碳納米管陰極電子源主要包括襯底，固接在所述襯底上的碳納米管陣列(2)，以及圍繞在所述碳納米管陣列(2)周圍的絕緣云母片(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述門極柵(4)的材質(zhì)為鎢，采用點焊的方式焊接在所述云母片的端部，且所述碳納米管陣列(2)的端部距所述門極柵(4)80±10μm，距所述陽極柵(6)的頂端1～2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述碳納米管陣列(2)采用熱化學(xué)氣相沉積法直接沉積在所述襯底上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述電離規(guī)還包括電極基座(1)；所述襯底通過點焊焊接在所述基座(1)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述離子收集極(5)的內(nèi)徑為16mm，所述陽極柵(6)的內(nèi)徑為13mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述陽極柵(6)頂端網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的物理透過率為80～90％；網(wǎng)絲的直徑為80～100mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述離子收集極(5)的材質(zhì)為金屬；所述陽極柵(6)底端的材質(zhì)的不銹鋼。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度的碳納米管陰極電離規(guī)，其特征在于：所述門極柵(4)為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)為鎢。